' r+ I7 ^4 F/ z3 J. p' b2.工藝技術 + v. R+ ]! @; ~# M為降低寄生電感並實現更高的頻率性能,東芝公司為開發了獨特的通路孔加工成型技術,該通路孔一直從表面源電極經過晶片再接地。在碳化矽襯底上成功地進行通道孔的加工成型,被公認是一項十分苛刻的工藝,它是在新型場效應電晶體的開發中所取得的技術突破。$ T- Y; h. X8 a' p( {6 f
, @' I- v; R z+ _0 x" b隨著閘極長度的變短,要獲得高級別的性能,防止柵極電流漏泄顯得十分必要。一項應用於每個柵極外表的獨特塗層工藝將電流漏泄降至東芝公司傳統技術方法的1/30。電子束曝光技術的應用確保了0.3微米以下閘極長度的處理的穩定性。5 E+ c1 O) |; j! ?5 d
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主要特性 7 e; |6 @) r* s* u, T/ o' G2 E----------------------------------------------------------------------& m# R- X i4 P! U1 H# {+ @8 V
線性增益 8.2dB- a1 J8 A3 Y! T6 n7 U
----------------------------------------------------------------------2 c) F1 \. K, s! o
飽和功率 65.4W$ Q0 Q5 f T9 w! w
----------------------------------------------------------------------6 O$ r- q0 i. }7 y4 ]% y9 z$ z6 K- M, K
漏電壓 30V, E* W! D* X) d+ Q
---------------------------------------------------------------------- 4 e/ s# N+ G# e8 ~運行頻率 14.5GHz( W" c, r: p4 r" s/ z; N& |
---------------------------------------------------------------------- & H b) B3 H6 W! _5 {* ^晶片尺寸 3.4mm×0.53mm Q% D& S P3 L& G----------------------------------------------------------------------5 E4 S3 z1 W2 h' ^; G& |* ?8 n
封裝尺寸 21.0mm×12.9mm (外部尺寸) : G0 H6 O% h$ G7 ^----------------------------------------------------------------------9 O- p$ O( p) ^- U* }% X
(1)通道孔成型技術以及孔中金屬電極填充技術連接了表面源電極以及背面接地電極,降低了寄生電感,因此實現了高頻率性能。作者: chip123 時間: 2008-2-15 12:14 PM 標題: 東芝推出世界最高性能的物理亂數產生器電路 -- 使用只有1200平方微米的小型電路每秒生成2兆比特的亂數& \8 y) O' R4 {& O4 w3 _