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標題: 關於CMOS的正負Tc [打印本頁]
作者: relax918    時間: 2007-9-3 04:09 PM
標題: 關於CMOS的正負Tc
想請問各位較了解Bandgap reference 的大大( R( k6 K& x; ?8 ?* y
之前我有下一顆BGR
# n! x$ J4 n7 O# b+ X" }! ]$ U所以目前知道的     大部分BGR 是利用BJT~ PN接面的負Tc電壓 與 兩個BJT間的電壓差正Tc 來互相補償7 r3 a* F0 T8 K% k
可是現在我在做的是paper上的BGR     他是使用CMOS代替BJT & u: @8 C5 C$ n. @% M- |
BJT是利用Area的不同(通常是1:8)~  他CMOS是利用W/L來形成倍數2 |4 P5 Z9 ^9 Z( B  l2 C0 n9 b7 e: @
因為是paper... 所以很多公式都是三級跳= ="  有看沒有懂
1 g0 ~- Q! G# n' d2 v1 q8 P- e7 |
9 Z# K' J) C, I" z所以想請問一下大大~  . E/ y. a( m+ v# [
N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路 (類似BJT的C腳接電路)，S端接地(類似BJT的B、E腳接地)
8 F1 x/ O5 ?' r4 u4 ~: v. ]這樣的架構~   這顆MOS是怎樣的動作~ 產生的是正Tc還是負Tc ?% w5 C* V5 E; c3 |+ d8 Q: \' m

. r7 F2 r# W* J* R% w$ z$ D2 P以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:. O# e! M) O# u: @
bandgap voltage reference?
6 e9 ^- l- w' \, W; C! Obandgap voltage reference?
4 r! v3 Z! |# B) f# B) L9 ?如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
, e+ F) }$ q, B# e4 }/ yBandgap 如何做到好的line regulation? 1 u+ q7 \" l" K7 I1 g8 i
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
$ x) S3 m! o7 M0 L0 Qbandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
/ {9 J: M  y8 yBandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
0 C; k$ ]0 ~! C. q& b3 C9 s' }8 H9 Y2 }: y/ ?& N! u

) L4 k2 o- G# `7 L' P( L7 X( ?+ f1 W: t3 g' t
[ 本帖最後由 sjhor 於 2008-7-4 09:47 AM 編輯 ]
作者: ywliaob    時間: 2007-9-4 02:25 PM
NMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　
5 S* e/ s! ~$ [# l$ w) P( A6 V( E應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧0 x+ R0 B7 a  W8 w
假如G端也接地的話 應該會是BJT型態 是正Tc吧1 E* N& z8 c& r% A
但是我不是很確定喔
作者: li202    時間: 2007-9-19 05:11 PM
NMOS的G接地====>那就關起來了
) p4 ]$ U; F  L9 o$ k! z. U% j應該是接成MOS diode的型態9 \7 k& J& S3 D3 J+ `- S
4 m* Q. e  g( `# |. T( J+ v8 h: l
re:relax918 6 i0 V& V3 E: e) O
可以把你找的到paper提出來,這樣比較好解惑
作者: Oo海闊天空oO    時間: 2007-10-1 05:36 PM
"N型的MOS如果 D、G端接在一起連接電路"8 l" W" E+ J# P4 E; P
這種架構就類似於Diode-connected Transistor# Z; |& ^. b! W1 L& ?9 c$ ~
二極體接法形式的電晶體& Z4 C' Y1 H6 ^7 V
這樣子接~也是呈現負溫度TC的VGS值9 D7 n9 o8 x* l* s7 f0 B- K6 s
但是操作在"次臨界區"或是"飽和區"
% m! m3 i6 H4 r7 e* R公式的表示方法也不一樣- p/ k/ n( m' X
操作再次臨界區時,CMOS的特性跟DIODE是類似的* o5 T9 m! u  o5 X% \
5 g! Z% x9 C( e: l9 z
而一般bandgap 用的BJT,也是把B,C接在一起! O" }' q7 w7 c. Z4 A
利用P-N junction的特性而已
. R- f# M9 L& ^& R1 m9 f. u+ d5 [  k; X8 J0 ~1 y) }/ E* i
所以就特性來說~~用CMOS做成的P-N Junction
" J9 [3 e( S# V8 N  t% g1 T應該也會跟BJT做出來的有類似的效果
, x+ M/ S$ q" o! O, ^6 y, X- B+ Q7 k
但是何者較穩定就不保證了
- d& \' f. v& B. Z
$ A. D: q0 l" h( ?0 L. x因為就我之前的經驗~使用CMOS做出來的bandgap reference
8 v) s; x& t. V6 Y$ z它corner間的變化會很大,所以業界據說~還是偏愛使用BJT
作者: luyan923    時間: 2008-9-1 04:00 PM
一般做bandgap的管子实质就是个N结了，mos是将d和g接在一起，bipolar是将b和c接在一起了，这样主要是利用了pn结的负温度系数的特性。
作者: engineer    時間: 2016-5-15 10:00 AM
為什麼不採用BJT類型的BGR呢？省電因素？
作者: JUI    時間: 2023-11-3 01:57 AM
ywliaob 發表於 2007-9-4 02:25 PM
* P  R3 h! T" f: L7 u, q  UNMOS　Ｄ、Ｇ端接電路　Ｓ、Ｂ端接地　4 h3 H1 V: i, _. x
應該還是會以ＭＯＳ型態動作吧 如此便是負Tc吧
% U* t- h/ a+ H假如G端也接地的話  ...

8 O* \, R6 d4 ~1 R6 L6 @6 E6 S/ E感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉感謝拉
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