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標題:
layout 的 metal 耐電流?
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作者:
sjhor
時間:
2007-8-1 09:40 AM
標題:
layout 的 metal 耐電流?
經常要做一些POWER MOS 的 layout!!
; w! K7 B: N$ F; x! e" W
這些 MOS 的電流需求都是幾百mA ~ 幾A!!
" S1 i( m! ?2 |$ d
要做足 metal 的寬度 幾乎非常困難!!
8 S; i r* m9 _, j
不知道妳們是如何訂出所需的 metal 寬度!!
4 ^- @9 ^4 Y3 U& K
假如以下的狀況:
; c- u: U+ L- \2 y8 g& f5 f
1. Peak current is 2A?
0 l: O4 S$ j2 ]6 S# x2 V: g
2. Constant current current is 500mA?
作者:
m851055
時間:
2007-8-1 09:06 PM
一般power mos之chip都很大,所以空間不足的情形,可以加大IC dim,缺點是cost up。
作者:
jauylmz
時間:
2007-8-3 04:21 PM
如以 1um /1mA 來看,用4層metal 同時拉,應該用500um就行了吧
作者:
finster
時間:
2007-8-7 10:19 PM
為了因應Power MOS的巿場
' |! u. V4 {6 `" g, N8 e
通常,製程方面會有一種thick metal,它是有別於一般的metal rule
" x4 u' I' x: s% C
thick metal它可流過比一般的metal層更高的電流,實際數值端視各家的製程技術,不過,它的rule也比一般的metal rule來的大很多
$ ~' _$ `3 X: ^2 M# J
thick metal通常放在最上層,作為Power Bus以及driver連線到外部使用,就我使用的經驗,thick metal的值是3-4mA/1um(依各家製程會有不同的範圍)
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