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標題: IR新型XPhase晶片組減少25%外部元件數目並節省45%傳動系統的面積 [打印本頁]

作者: jiming 時間: 2007-6-8 12:54 AM
標題: IR新型XPhase晶片組減少25%外部元件數目並節省45%傳動系統的面積
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充其XPhase可定標多相轉換器晶片組系列，加入IR3500控制IC和 IR3505相位IC。

新型XPhase晶片組提供豐富功能和靈活的方式，以實踐完整的Intel或AMD微處理器功率方案。該晶片組設有簡單的6位元電壓編程，讓IR3500易於為多相通用應用進行設定。

這些最新推出的XPhase晶片組在5相位設計中，較前一代技術減少25%的外部元件數目，加上晶片組提供更高的交換頻率，所以能節省45%傳動系統 (Powertrain)的面積。該方案亦採用了IRF6622和IRF6628 DirectFET功率MOSFET，從而在效率方面優於其他競爭方案2%。

IR台灣分公司總經理朱文義表示：「我們新一代的XPhase產品使電源供應系統變得小巧、更容易設計，但同時又能提升效率。」

XPhase晶片組備有可編程動態電壓識別 (VID) 轉換率、可編程VID 偏移及負載線輸出阻抗功能。配合延緩的Hiccup過電流保護有助防止假觸發。這些晶片組也提供簡化正常功率輸出，以顯示正確運作和預防假觸發。

關於Xphase
XPhase是IR的分佈式多相位結構，當中包含以簡單6線式匯流排電路溝通的控制IC和相位IC，毋須改動基本設計也可隨時增減相位。6線式匯流排包含3線數位相位定時匯流排、平均電流、錯誤放大器輸出和VID電壓。透過省去控制和相位IC之間的點對點導線，6線式匯流排能夠縮短互連，減少寄生電感和雜訊，從而簡化PCB設計，實現更穩健的設計。

作者: heavy91 時間: 2009-8-11 06:33 PM

IR 25V IRF6718採用新款大罐型DirectFET封裝

為動態ORing和熱切換應用提供最低導通電阻

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型的25V元件提供業界最低的導通電阻（RDS(on)），並且針對動態ORing、熱切換及電子保險絲等DC開關應用作出了最佳化。

IRF6718新款大型的DirectFET封裝中融入了IR新一代矽技術，提供極低的RDS(on) — 在10V Vgs一般只有0.5mOhm，同時較D2PAK的面積小60%，而且厚度小85%。新元件大幅減少了與傳輸元件相關的傳導損耗，從而大大提高整體系統的效率。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「IRF6718是IR第一款採用大型DirectFET封裝的元件，較競爭對手的元件擁有更低的RDS(on)，為高密度DC-DC應用，如較D2PAK面積更少的伺服器，提供卓越的效率及熱效能。另外，該元件亦有助於節省電路板空間及整體系統的成本，因為在特定功率損耗下，它較現時的方案擁有較少的元件。」

此外，IRF6718為電子保險絲及熱切換電路，提供經已改良的安全操作區域（SOA）能力。該元件採用無鉛設計，並符合RoHS法規要求。

IRF6718是IR針對DC開關應用的25V DirectFET產品系列之延伸。IRF6717中罐及IRF6713小罐型DirecFET亦針對DC開關應用，並且在各自的PCB面積上提供業界最佳的RDS(on)。

產品的基本規格：

元件編號	典型RDS(on) @10V (mOhms)	典型RDS(on) @4.5V (mOhms)	VGS (V)	ID @ TA=25ºC (A)	封裝面積 (mm x mm)	典型RDS(on) @10V x 面積 (mOhm x mm2)
IRF6718	0.5	1.0	+/-20	61	7 x 9.1	31.9
IRF6717	0.95	1.6	+/-20	38	4.9 x 6.3	29.3
IRF6713	2.2	3.5	+/-20	22	3.8 x 4.8	40.1

這些元件的資料及應用說明現已刊登於IR的網站www.irf.com。

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