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標題: 我想請問高壓Cell的一些問題 [打印本頁]
作者: a223152209    時間: 2007-6-4 05:03 PM
標題: 我想請問高壓Cell的一些問題
我最近在看我們公司的Techology File 時(因為我沒畫過高壓元件) 發覺高壓的rule和正常的元件有所差別  高壓的比正常的還大  我的問題是
* L/ i/ G0 k7 L$ G& T6 R8 ]請問高壓有一邊比較大一邊比較小  請問哪邊是輸出端哪邊是輸入端  還是都沒差呢  
. S* J6 e7 i0 E8 ]6 I# M" u另一個問題是  為什麼Techology File 裡面有寫到{  on  off  on  off  } {LB}}  LB我定義為NPLUS   我知道這表示{  左  上  右  下  }  我試過  如果把左改成off  那在layout 圖中  就不會顯示左邊的NPLUS  請問顯不顯示對我們再畫layout十有什麼差別呢
% [" Z9 I+ B/ w: A5 f: K# G請各位前輩或者知道的人幫我解答  非常感激
作者: jianping    時間: 2007-6-4 05:20 PM
THE  LAYOUT DEVICE OF HV , 有Asymmetric及symmetric兩種,如果symmetric的DEVICE就沒有 S及D端差別.
作者: wiwi111    時間: 2007-7-5 01:56 PM
在layout 圖中  就不會顯示左邊的NPLUS  請問顯不顯示對我們再畫layout十有什麼差別呢??9 z. W! J* j1 Y. \2 Q; s0 J! n

4 g0 Q4 P6 y  @4 t6 N; E差別是如果你是off 狀態,則你要用到這pattern時會無法顯示,當然你要tape out 的gds file8 t; g7 g1 V) q8 b9 g3 B
便不會正確,到時designer debug後是layout 的錯,那你可能就得準備換公司了,這是layout
$ @9 _+ X" \! ?8 T+ L人員最不可犯的錯誤...................
作者: skeepy    時間: 2007-7-10 05:05 PM
補充:要劃HV DEVICE建議把DESIGN RULE熟讀,特別是CROSS SECTION
/ a, G% f! G, O; \要能看懂,這樣在劃CELL時比較不會弄錯,有CELL LIBRARY的話更好.
作者: skyboy    時間: 2007-7-12 12:07 PM
原帖由 skeepy 於 2007-7-10 05:05 PM 發表
% v# N0 x2 ?) c, Y+ s1 _補充:要劃HV DEVICE建議把DESIGN RULE熟讀,特別是CROSS SECTION
; |* {* P7 Z' e! F要能看懂,這樣在劃CELL時比較不會弄錯,有CELL LIBRARY的話更好.
/ P! a) A; d, v9 m$ D7 g
) v2 H. z$ S* p$ c. q* l- k
小弟也補充一點慘痛經驗...
* f6 `9 ~6 l$ _0 `如果公司是第一次做, 有任何不確定的地方一定要問 designer, 如果 designer 也不很確定,+ p8 F' S$ L4 N0 R
那一定要問 foundry....甚至是 layout 好了請 foundry 的人看一下....5 n; o2 R- p5 M2 l# {6 _4 d
4 N) h& L9 J% e# d
等到 T/O 了才要東補西補都是很痛苦的事情....
作者: spyang1119    時間: 2007-7-13 10:47 AM
標題: 回復 #4 skeepy 的帖子
同意~design rule K熟,就算tf & command file & foundry device有誤,layout都絕對不會錯
作者: jauylmz    時間: 2007-7-17 09:16 AM
>>請問高壓有一邊比較大一邊比較小  請問哪邊是輸出端哪邊是輸入端  還是都沒差呢  
% Z( P1 x; s2 s! K4 H% `. r, mAns : 通常Asymmetric 的MOS 大邊是 Drain 小邊是 Source ，那你的輪入端應該是指Drain吧- v# ~/ Z$ o+ a% {# \! t9 ^2 \1 u
. y( |2 b" \/ g# h  u
>>另一個問題是  為什麼Techology File 裡面有寫到{  on  off  on  off  } {LB}}  LB我定義為NPLUS   我知道
# c( I1 @# J1 e8 D& o7 |    這表示{  左  上  右  下  }
( h% v9 T2 V) I0 cAns: 看你這樣寫很像是Laker TF 的 Format ,如果是，那它並不是你所說的 {左上右下} 的關係喔。  _, H2 F6 q9 Q! G6 ^
        這點要注意。Laker Manual 上寫到那是 Repeat Pattern !!  請看附圖5 F5 Z6 b8 _9 m7 P  K
        { on  off   on  off  } 是對應到下面的 區域  後面就重複了，所以叫做 Repeat Pattern 9 }$ p6 U; Z/ \0 b2 u
        { OD Poly OD Poly }   
  n& K8 {% d8 E; n9 e        {  1    2     3    4   }       在有 on 的 區域就會產生出你的 LB =>  Npuls layer 4 T5 J" `6 u" h% @. X

( L- a0 g  ^; I6 J: w  J+ C. A>>我試過  如果把左改成off  那在layout 圖中  就不會顯示左邊的NPLUS  請問顯不顯示對我們再* O+ K2 ]2 d7 I1 ]6 ?' _
    畫layout十有什麼差別呢
8 [/ z8 f7 R2 c! x% AAns: 你如果選擇 off 的話，那在Create 這個Device時，他就不會產生Layer 在相對應的區域了。
作者: m851055    時間: 2007-7-21 08:24 AM
原帖由 jauylmz 於 2007-7-17 09:16 AM 發表
2 ?" T. X4 C2 u5 B$ p$ ?& k>>請問高壓有一邊比較大一邊比較小  請問哪邊是輸出端哪邊是輸入端  還是都沒差呢  1 H- `; c( |- F3 f- {+ n
Ans : 通常Asymmetric 的MOS 大邊是 Drain 小邊是 Source ，那你的輪入端應該是指Drain吧
* U4 b! D1 e8 h0 h+ o6 {5 ^: U
9 S: M: @/ [/ ]# m2 E>>另一個問題是  為什麼Techol ...

2 l  L& ~+ R0 p( i7 [6 F2 ~7 V( n9 V
) K& S. r6 L9 P2 v' [, h% i+ T
2 H' x/ d# m# q$ @! Q

2 A  h* t. y7 ^; U/ Y* C+ i此圖設計是耐壓到16左右的設計，一般都用symmetric設計，很少使用asymmetric設計，除非空間不足。
0 |% U. R" V' |  ]8 t在25V左右之耐壓一般又是另一種設計方法，有deep Nwell layer，相關layer約為16-18層。



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