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標題: 各位請指點我一下 我想請問什麼是DMOS 它在LAYOUT 上的畫法是如何呢 [打印本頁]
作者: a223152209    時間: 2007-5-30 01:51 PM
標題: 各位請指點我一下 我想請問什麼是DMOS 它在LAYOUT 上的畫法是如何呢
各位請指點我一下  我想請問什麼是DMOS  它在LAYOUT  上的畫法是如何呢 它要注意哪些問題呢  謝謝
作者: amanda_2008    時間: 2007-5-30 02:20 PM
標題: 回复
我自己最近也在想學習關於DMOS方面的知識，8 _; f5 @. L: `4 V- H
不過据我來看，你要知道DMOS的架構，就看你畵什麽工藝的了，7 I% \7 M# {' y- t& x
因爲工藝厰應該會給你提供design rule，�面會有DMOS的sample，
% N7 L' p2 |5 t- d9 ?不同的工藝厰應該結構也會有一些差別的，
作者: a223152209    時間: 2007-5-30 02:29 PM
很感謝你的回覆  因為我是第一次接觸到的  所以還不知道它是怎麼畫的 而我手上沒有DMOS的RULE 所以可以請你在描述詳細點嗎  謝謝
作者: amanda_2008    時間: 2007-5-30 06:03 PM
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你是要畫橫向的還是縱向的呢？
0 a. Y( Y6 b0 p' G! p+ k/ @& D9 f我的機子沒裝visio，所以現在沒辦法給你上傳圖形，等過幾天再給你回復哦
作者: amanda_2008    時間: 2007-5-30 06:15 PM
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剛剛在網上搜羅了一下，這個資料感覺還不錯，貼上來給你看看，希望對你有所幫助。
, K1 }. C4 E* i1 w% [) }DMOS与CMOS器件结构类似，也有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压高。 DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET（ vertical double-diffused MOSFET）和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET（lateral double-dif fused MOSFET）。 5 i: ~) b: T2 [4 Y' w# z

0 {) s  G* D' @+ }; ^" m3 JDMOS器件是由成百上千的单一结构的DMOS 单元所组成的。这些单元的数目是根据一个芯片所需要的驱动能力所决定的，DMOS的性能直接决定了芯片的驱动能力和芯片面积。对于一个由多个基本单元结构组成的LDMOS器件，其中一个最主要的考察参数是导通电阻，用R ds（on）表示。导通电阻是指在器件工作时，从漏到源的电阻。对于 LDMOS器件应尽可能减小导通电阻，就是BCD工艺流程所追求的目标。当导通电阻很小时，器件就会提供一个很好的开关特性，因为漏源之间小的导通电阻，会有较大的输出电流，从而可以具有更强的驱动能力。DMOS的主要技术指标有：导通电阻、阈值电压、击穿电压等。
* m# ~; b+ I0 y9 `, V, m' \9 N$ ~9 ?. c
在功率应用中，由于DMOS技术采用垂直器件结构(如垂直NPN双极晶体管)，因此具有很多优点，包括高电流驱动能力、低Rds导通电阻和高击穿电压等。 5 z3 r7 m6 X/ p/ V: q$ h  ?

8 I; q* n  x) z- TLDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。LDMOS器件结构如图1所示，LDMOS是一种双扩散结构的功率器件。这项技术是在相同的源/漏区域注入两次，一次注入浓度较大（典型注入剂量 1015cm-2）的砷（As），另一次注入浓度较小（典型剂量1013cm-2）的硼（B）。注入之后再进行一个高温推进过程，由于硼扩散比砷快，所以在栅极边界下会沿着横向扩散更远（图中P阱），形成一个有浓度梯度的沟道，它的沟道长度由这两次横向扩散的距离之差决定。为了增加击穿电压，在有源区和漏区之间有一个漂移区。LDMOS中的漂移区是该类器件设计的关键，漂移区的杂质浓度比较低，因此，当LDMOS 接高压时，漂移区由于是高阻，能够承受更高的电压。图1所示LDMOS的多晶扩展到漂移区的场氧上面，充当场极板，会弱化漂移区的表面电场，有利于提高击穿电压。场极板的作用大小与场极板的长度密切相关。要使场极板能充分发挥作用，一要设计好SiO2层的厚度，二要设计好场极板的长度。
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LDMOS制造工艺结合了BPT和砷化镓工艺。与标准MOS工艺不同的是，在器件封装上，LDMOS没有采用BeO氧化铍隔离层，而是直接硬接在衬底上，导热性能得到改善，提高了器件的耐高温性，大大延长了器件寿命。由于LDMOS管的负温效应，其漏电流在受热时自动均流，而不会象双极型管的正温度效应在收集极电流局部形成热点，从而管子不易损坏。所以LDMOS管大大加强了负载失配和过激励的承受能力。同样由于LDMOS管的自动均流作用，其输入－输出特性曲线在1dB 压缩点（大信号运用的饱和区段）下弯较缓，所以动态范围变宽，有利于模拟和数字电视射频信号放大。LDMOS在小信号放大时近似线性，几乎没有交调失真，很大程度简化了校正电路。MOS器件的直流栅极电流几乎为零，偏置电路简单，无需复杂的带正温度补偿的有源低阻抗偏置电路。 & w9 o) V) b0 E1 M6 c: M; D
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对LDMOS而言，外延层的厚度、掺杂浓度、漂移区的长度是其最重要的特性参数。我们可以通过增加漂移区的长度以提高击穿电压，但是这会增加芯片面积和导通电阻。高压DMOS器件耐压和导通电阻取决于外延层的浓度、厚度及漂移区长度的折中选择。因为耐压和导通阻抗对于外延层的浓度和厚度的要求是矛盾的。高的击穿电压要求厚的轻掺杂外延层和长的漂移区，而低的导通电阻则要求薄的重掺杂外延层和短的漂移区，因此必须选择最佳外延参数和漂移区长度，以便在满足一定的源漏击穿电压的前提下，得到最小的导通电阻。
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LDMOS在以下方面具有出众的性能：
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1.热稳定性；2.频率稳定性；3.更高的增益；4.提高的耐久性；5.更低的噪音；6.更低的反馈电容；7.更简单的偏流电路；8.�定的输入阻抗；9.更好的IMD性能；10.更低的热阻；11.更佳的AGC能力。LDMOS器件特别适用于CDMA、W-CDMA、TETRA、数字地面电视等需要宽频率范围、高线性度和使用寿命要求高的应用。
作者: yutian    時間: 2008-2-26 01:30 PM
好文，學到了一點東西，之前只是做電路，對process了解的甚少，看來要好好補補了
作者: semico_ljj    時間: 2008-10-23 05:29 PM
最新版the art of analog layout里面提到不少DMOS的设计



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