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標題: 單片BiCMOS超高頻接收機中鎖相環的設計[簡英] [打印本頁]

作者: sjhor    時間: 2007-5-28 10:31 PM
標題: 單片BiCMOS超高頻接收機中鎖相環的設計[簡英]
摘 要:集成電荷泵鎖相環的接收晶片工作在ISM 頻段: 290∼470MHz,採用AMS 0.8μm BiCMOS 工藝,npn 管的特徵頻率為12GHz,橫向pnp 的特徵頻率為650MHz。鎖相環中鑒頻鑒相器和電荷泵的設計方案基本消除了死區。壓控振蕩器採用LC負阻結構,中心振蕩頻率為433 MHz,調諧範圍為290∼520MHz,頻偏為100kHz 時的相位噪聲約為- 98dBC/Hz.分頻器採用堆疊式結構以降低功耗,PLL 在5V 的工作電壓下功耗僅為1.4 mA 。. `% i$ z" D* ?
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[ 本帖最後由 sjhor 於 2007-5-28 10:33 PM 編輯 ]
作者: isscc    時間: 2008-9-14 03:08 AM
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