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標題: IR 為要求緊密佔位的低壓馬達驅動應用推出 200 伏 IC [打印本頁]
作者: jiming    時間: 2007-5-17 05:31 PM
標題: IR 為要求緊密佔位的低壓馬達驅動應用推出 200 伏 IC
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier ，簡稱 IR) 推出一系列 200 伏 IC ，適用於低壓及中壓馬達驅動應用，包括功率工具、低壓伺服驅動系統、電力園藝設備，以及像起重車、哥爾夫球車和滑板車等電動車。   

IRS200x 半橋、高側和低側驅動 IC 系列是為低壓 (24 伏、 36 伏和 48 伏 ) 以及中壓 (60 伏、 80 伏和 100 伏 ) 馬達驅動應用而設計，包括三相位直交流轉換器和半橋。這個系列擁有欠壓閉鎖 (UVLO) 保護作為標準功能，同時 IRS2003 和 IRS2004 也具備停滯時間保護功能。此外， IRS2004 具備停機輸入接腳。這些嶄新 200 伏 IC 提供低靜態電流，讓高側電路可以擁有低成本的啟動電源供應，省去基於離散光耦合器或變壓器的設計所典型要求的大型和昂貴輔助電源供應，使它們能適用於佔位少的低壓應用。   

IR 台灣分公司總經理朱文義表示：「為滿足較低壓應用的需求， IR 在 600 伏和 1200 伏 HVIC 系列之外增添了這些堅固的新 200 伏元件。當配合我們的獨立高側和低側驅動 IC 以及 DirectFET MOSFET ，這種具成本效益的系統方案將可在緊密佔位環境下提供高功率密度和低熱耗散，以面對三相低壓馬達驅動設計的挑戰。」   

IRS200x 元件提供 8 接腳 SOIC 和 DIP 封裝，閘極電壓 (Vout) 可達至 20 伏，典型導通電流 (Io+) 為 290 微安，典型關斷電流 (Io-) 為 600 微安，並接納 3.3 伏、 5 伏和 15 伏的輸入邏輯位準。新的 200 伏元件採用 IR 先進的高壓 IC 製程，融入了新一代高壓電平位移和 IC 終端技術，提供卓越的電力過應保護和更高的場效可靠性。
作者: heavy91    時間: 2009-5-6 10:40 AM
IR新型邏輯電平溝道MOSFET
帶來基準效率和更高電流額定值
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出一系列新型邏輯電平閘極驅動溝道HEXFET功率MOSFET，它們具有基準通態電阻（RDS（on））及高封裝電流額定值，適用於高功率DC馬達和電動工具、工業用電池及電源應用。

最新的基準MOSFET系列採用了IR最新的溝道技術，在4.5V Vgs下擁有相當低的RDS（on），溫度效率顯著得到改善。此外，新元件更高的電流額定值，從多餘的瞬變提供更多防護頻帶，並減少並行類拓樸的元件數目。這類拓樸由幾個MOSFET共用高電流。藉著高達195A的封裝電流額定值，產品的TO-220、D2PAK和TO-262封裝較典型封裝能夠改善超過60%的額定值；與標準D2PAK相比，7引腳D2PAK也進一步減低多達16%的RDS（on），提供更多完善的選擇。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「新推出的邏輯電平閘極驅動溝道MOSFET備有基準RDS（on） ，能夠由微型控制器或弱電池驅動，提升在輕負載狀態下的效率。這些新元件非常適合高電流DC-DC轉換和DC馬達驅動應用。」

新邏輯電平溝道MOSFET系列的電壓範圍由40V至100V。它們已得到工業級和MSL1濕氣敏感度認可，更具備所有標準功率封裝，包括TO-220、D2PAK、TO-262，以及7引腳D2PAK。新元件不含鉛並符合電子產品有害物質管制規定（RoHS）。
作者: heavy91    時間: 2009-5-15 09:58 AM
原帖由 heavy91 於 2009-5-6 10:40 AM 發表
IR新型邏輯電平溝道MOSFET帶來基準效率和更高電流額定值  全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出一系列新型邏輯電平閘極驅動溝道HEXFET功率MOSFET，它們具有基 ...
IR推出增強型25V及30V MOSFET
適用於負載點同步降壓轉換器應用

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型的25V及30V N-通道溝道HEXFET功率MOSFET。它們針對同步降壓轉換器及電池保護增強了轉換效能，適用於消費者和網路方面的電腦運算應用。

這個新型的MOSFET系列通過IR得到肯定的矽技術，提供基準通態電阻
(RDS(on)) ，並且改進了切換效能。新元件的低傳導損耗提高了全負載效率及溫度效能。同時，它們即使在輕負載下，低切換損耗也有助達到高效率。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「這些新型MOSFET設有Power QFN封裝，比SO-8封裝提供更高的功率密度，同時又能夠保持同樣的引腳分布配置。新型的雙SO-8
MOSFET還容許『二對一』交換來減少元件數目，滿足不同應用的要求。」

單個及雙N-通道MOSFET現在已開始供應。除了D-PAK、I-PAK和SO-8封裝之外，單個N-通道元件也為高量生產作出了最佳化，提供PQFN 5x6mm和3x3mm封裝。雙N-通道元件則採用SO-8封裝。新元件符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS)，更可以不含滷素。

產品的基本規格如下：

單個N-通道
元件編號
Bvdss

(V)
封裝
在10Vgs下的
最大RDS(on) (mΩ)
在4.5Vgs下的
最大RDS(on) (mΩ)
在TC=25°C 下的Id (A)
在TA =25°C 下的Id (A)
典型Qg
(nC)
IRL(R,U)8256(TR)PBF
25
D-Pak/I-PAK
5.7
8.5
81
N/A
10
IRL(R,U)8259(TR)PBF
25
D-Pak/I-PAK
8.7
12.9
57
N/A
6.8
IRF8252(TR)PBF
25
SO-8
2.7
3.7
N/A
25
35
IRL(R,U)8743(TR)PBF
30
D-Pak/I-PAK
3.1
3.9
160
N/A
39
IRL(R,U)8726(TR)PBF
30
D-Pak/I-PAK
5.8
8.0
86
N/A
15
IRL(R,U)8721(TR)PBF
30
D-Pak/I-PAK
8.4
11.8
65
N/A
8.5
IRL(R,U)8729(TR)PBF
30
D-Pak/I-PAK
8.9
11.9
58
N/A
10
IRFH3702(TR,TR2)PBF
30
PQFN 3 x 3
7.1
11.8
N/A
16
9.6
IRFH3707(TR,TR2)PBF
30
PQFN 3 x 3
12.4
17.9
N/A
12
5.4
IRFH7932(TR,TR2)PBF
30
PQFN 5 x 6
3.3
3.9
N/A
24
34
IRFH7934(TR,TR2)PBF
30
PQFN 5 x 6
3.5
5.1
N/A
24
20
IRFH7936(TR,TR2)PBF
30
PQFN 5 x 6
4.8
6.8
N/A
20
17
IRFH7921(TR,TR2)PBF
30
PQFN 5 x 6
8.5
12.5
N/A
15
9.3
IRFH7914(TR,TR2)PBF
30
PQFN 5 x 6
8.7
13
N/A
15
8.3
IRF8788(TR)PBF
30
SO-8
2.8
3.8
N/A
24
44
IRF7862(TR)PBF
30
SO-8
3.7
4.5
N/A
21
30
IRF8734(TR)PBF
30
SO-8
3.5
5.1
N/A
21
20
IRF8736(TR)PBF
30
SO-8
4.8
6.8
N/A
18
17
IRF8721(TR)PBF
30
SO-8
8.5
12.5
N/A
14
8.3
IRF8714(TR)PBF
30
SO-8
8.7
13
N/A
14
8.1
IRF8707(TR)PBF
30
SO-8
11.9
17.5
N/A
11
6.2
N/A = 不適用

雙N-通道
元件編號
封裝
配置
Bvdss

(V)
在10Vgs下 的
最大RDS(on) (mΩ)
最大Vgs (V)
典型Qg
(nC)
IRF8313PBF
SO-8
獨立
同步
30
15.5
± 20
6.0
IRF8513PBF
SO-8
半橋
非同步
30
12.7
± 20
7.6
15.5
5.7

新元件現在已開始供應。產品詳細資料可以瀏覽IR網頁www.irf.com。
作者: heavy91    時間: 2009-8-17 05:16 PM
IR推出150V和200V MOSFET
為工業應用提供非常低閘電荷

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為包括開關模式電源（SMPS）、不斷電系統（UPS）、反相器以及DC馬達驅動器等工業應用，提供非常低的閘電荷（Qg） 。

與其他競爭元件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷低多達59%。至於新款200V MOSFET的閘電荷，則比競爭元件的低多達33%。

IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：「隨著DC-DC功率轉換應用技術日益進步，開關頻率也有所提高，輸入電容和閘電荷在整體效率方面擔當起重要的角色。開關損耗的多少對快速開關電路來說是關鍵的問題。IR新推出的150V和200V MOSFET正好針對這個挑戰作出最佳化，所以非常適合作為電訊應用中隔離式DC-DC轉換器的主要開關，又或者在任何先進的DC-DC應用中推動輕負載效率。」

這些新款MOSFET達到工業級別及第一級濕度感應度（MSL1）。它們採用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封裝，全部皆為無鉛設計，並符合電子產品有害物質管制規定（RoHS）指令。

產品的基本規格：
元件編號
封裝
電壓 (V)
Id
(A)
最大RDS(on) (mOhms)
Qg (nC)
IRFB4615PBF
TO220
150
35
39
26
IRFS4615PBF
D2PAK
150
35
39
26
IRFSL4615PBF
TO262
150
35
39
26
IRFB4620PBF
TO220
200
25
72.5
25
IRFS4620PBF
D2PAK
200
25
72.5
25
IRFSL4620PBF
TO262
200
25
72.5
25

現在這些元件已有供應，詳細資料也已刊登於IR的網站www.irf.com。



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