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標題: 富士通FRAM智慧卡晶片被Sony FeliCa感應式智慧卡採用 [打印本頁]
作者: chip123 時間: 2006-11-21 03:40 PM
標題: 富士通FRAM智慧卡晶片被Sony FeliCa感應式智慧卡採用
寫入速度更快、讀寫次數更多、低功耗、高安全性 符合ISO/IEC 15408國際安全標準 具備最高等級安全功能
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3 ]/ x& W* F8 P# B; x% U( z- i" H2006年11月21日，臺北——香港商富士通微電子有限公司台灣分公司今日宣佈Sony將採用其鐵電記憶體(FRAM)1智慧卡晶片，應用於FeliCa感應式智慧卡產品中。6 I a1 [1 ^; p: Y+ ^- [" Q
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相較於傳統的智慧卡，採用FRAM的智慧卡能加快寫入速度、增加讀寫次數、降低功耗、並提高安全性。此款創新晶片包括目前最先進的各種安全功能，並符合ISO/IEC15408國際安全標準2，預計在今年底前通過EAL4+消費性產品最高認證3。
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. w" a0 _! H `3 S% q7 E% ]近幾年來，智慧卡已逐漸取代各種預付卡、身份證及通勤卡等傳統功能卡，並提供更便利及更高品質的服務。為了提供更多功能與更普及的服務，安全且快速的資料處理功能則是必備條件。
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% F/ k7 X! @3 N$ d0 W) b0 xSony將在其最廣為日本市場接受的FeliCa感應式智慧卡中採用富士通的FRAM智慧卡晶片。富士通公司微系統部門副總經理Amane Inoue表示：「FRAM為感應式智慧卡最佳理想選擇。我們非常高興FRAM嵌入式晶片提供FeliCa感應式智慧卡優異的效能與安全性，讓一般消費者的日常生活更便利。」1 v6 R3 r, O* L. P
& c) W% s) h' W+ n9 v/ {採用FRAM智慧卡晶片之FeliCa感應式智慧卡產品特色
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! G9 g& P4 z+ q9 y( E9 l L1. 能同時實現加快寫入速度、增加讀寫次數、並提高安全防護等功能
' h8 \: q. g; g. H# v富士通於1999年即開始FRAM的大規模量產，並應用於如智慧卡、RFID等各種創新應用中，為業界領導廠商。相較於其他EEPROM4智慧卡，FRAM提供高出10萬倍的寫入週期達100億次；而其資料寫入速度也高出了3萬倍以上，並具備更低功耗。此外，此款創新晶片更具備最新的安全功能，讓使用者享有更快讀寫速度、更多讀寫次數、更低功耗、以及更高的安全性。
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9 Q5 ^+ p) a, o# A9 d2. 最高等級的消費性產品安全標準—ISO/IEC15408 EAL4+認證此款晶片具備由富士通和富士通實驗室5所開發的各種最先進的安全功能，足以應付日新月異的竄改(tampering)技術。我們期望此產品能在2006年通過法國DCSSI檢驗機關6的ISO/IEC15408 EAL4+認證，以確保該產品具有最高等級的安全功能。在EAL4+的等級中，即使能得到晶片架構的所有細節資料，及擁有最精密的分析設備，都很難讀取或修改儲存在晶片中的資訊。
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1 FRAM：鐵電隨機存取記憶體（鐵電記憶體），是一種利用鐵電層作為存儲資料的電容器之非揮發性記憶體。其優點是低功耗、存取速度快，寫入週期多，並具有唯讀記憶體及隨機記憶體的優點。4 o$ A0 ?$ U% G, z4 u' S7 I* u% h
" s7 M! A! [# I6 J* d$ b2 ISO/IEC 15408：為一項IT安全評估標準。ISO/IEC 15408資訊安全評估標準，是從IT安全的角度來評估IT相關產品（硬體/軟體）與系統在設計上是否恰當，或該設計是否被適當建置。此標準在1999年6月被國際標準組織（ISO）採用。" _5 G r: p+ m5 F' \ C
, p! K6 ^- ]" h( G8 b* O# c3 EAL：評估保證等級(Evaluation Assurance Level)。ISO/IEC 15408所決定的評估保證級別顯示了產品和系統的保證等級。在此共分為七個等級，從EAL1到EAL7，數字越大代表保證等級越高。EAL4+中的「+」號是指在評估功能表中加入的一些額外項目。4 v8 {# D$ h" q( n0 c
* f. Q8 A0 u7 E Z8 y6 e4 EEPROM：電子抹除式可編程唯讀記憶體(Electronically Erasable Programmable Read Only Memory)，為一種電子抹除式的非揮發性記憶體，也是一種可讀、可寫的唯讀記憶體。; {+ V/ ^, x1 C$ ]$ G
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5富士通實驗室總裁為Kazuo Murano先生，位於日本川崎市。
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6 DCSSI為「Direction Centrale de la Securite des Systemes d'Information」，由法國總理直接管轄的檢驗機關。
作者: mister_liu 時間: 2011-7-19 12:08 PM
標題: 富士通半導體推出全新採用0.18 µm技術之SPI FRAM系列產品
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- Z/ b. C9 N+ j: [# \9 b9 W2011年7月19日，台北—香港商富士通半導體有限公司台灣分公司今日宣佈推出以0.18 µm技術為基礎之全新SPI FRAM產品家族，包括MB85RS256A、 MB85RS128A和MB85RS64A此3款型號，並從即日起開始提供客戶樣品。
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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)技術將SRAM的快速讀寫與非揮發性快閃記憶體等優勢都整合至一顆晶片。此款全新SPI FRAM系列MB85RSxxx包括3款型號：MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A，分別代表256Kbit、128Kbit和64Kbit三個密度等級。此3款晶片的工作電壓範圍介於3.0 ～ 3.6V，可承受讀寫週期達一百億次，並能將資料保存在55°C的環境下長達10年，且其工作頻率已大幅提高至最大25MHz。因為FRAM產品在寫入的處理過程中不需要電壓增壓器，因此很適合低功率應用。另外，該產品亦提供具有標準記憶體針腳配置的8針腳塑膠SOP封裝，並可完全與E2PROM晶片相容。
作者: mister_liu 時間: 2011-7-19 12:10 PM
SPI FRAM系列產品陣容* q/ j9 u5 ]2 U/ d/ v
| 產品型號 | 記憶體容量 | 電源 | 工作電壓 | 寫入/抹除次數 | 資料保存 | 封裝 |
| MB85RS256A | 256K bit | 3.0-3.6v | -40-85 | 100億次 | 10年 | SOP-8 |
| MB85RS128A | 128K bit | 3.0-3.6v | -40-85 | 100億次 | 10年 | SOP-8 |
| MB85RS64A | 64K bit | 3.0-3.6v | -40-85 | 100億次 | 10年 | SOP-8 |
富士通半導體將本身豐富的開發和製造經驗運用於最佳化整合晶片設計和生產工廠之間最緊密的合作關係，這些優勢將能為提供給市場的眾多豐富及高品質產品打造最堅實的基礎，並兼具穩定的供應鏈。
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富士通半導體除了推出SPI FRAM系列，還提供具備I²C和並列介面的FRAM獨立晶片，其密度等級從16Kbit至4Mbit皆備。此外，富士通半導體正計畫進一步擴充其FRAM產品陣容以滿足更多的市場需求。
此款FRAM獨立儲存晶片可廣泛運用於測量、工廠自動化應用，以及眾多需要資料擷取、高速寫入和高耐用性等功能之相關產業。FRAM對於其客戶來說，不但可完美取代所有採用電池支援的解決方案，更是一款兼顧環保之產品。
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