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標題:
bandgap無法將壓差降低
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作者:
layoutarthur824
時間:
2009-1-12 03:12 AM
標題:
bandgap無法將壓差降低
近日在調bandgap
* J# {1 H; H9 ~& W- S
可是卻卡在壓差不能降低導致ppm過高
2 E# d; g; g0 C- @, B
.35製程
8 k' D* z$ |8 ^2 H5 q8 [+ X
op db65
* k; m; x1 l/ B( H
不知道毛病是出在哪 按公式try了很久壓差始終在0.4v
0 F4 M7 [, K, s/ w" d7 Y
不知是OP還是帶差出了問題??
7 v" v4 x8 M1 x% ]5 o
請各位大大幫忙
9 w7 `% o! `$ u$ L6 B+ P [
' k& Z; `+ m6 W; t( d/ g( c: ^
! _2 X t, W5 N; ]9 T) c
以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
# r' x8 Y: Q7 s8 N" h" r' {: t
bandgap voltage reference?
! \9 d8 N' A# r+ J$ [2 c4 U
bandgap voltage reference?
: W0 T7 Q9 p- B1 M0 G
關於CMOS的正負Tc
7 ~, W) P5 ^: b$ ?9 R, N- K7 z% f
如何在CMOS process 中做好溫度感應器?
z$ i2 v3 F8 ^% ]
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....
8 r1 b5 c( u* V* s
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
6 X+ l; E1 ]: B% I) ?% u* L- X9 g
BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作
: U' K- U4 g# }6 i
2 l' G! m3 P3 z" }/ P
/ B8 `5 H( x* R
: y2 l5 V1 }# o7 r. ? L
[
本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:52 PM 編輯
]
作者:
gimayon
時間:
2009-1-12 11:33 AM
如果你用的 bg 是一般型的 (vref=1.25)
2 K4 _: v# _1 w% D
似乎提共正溫度參數電阻不夠
3 N2 ~7 e4 M: G' l) R' [
至於高溫上拉 只是 op 離開工作區造成的
7 Q6 m/ Q( |+ k& ~6 y
( j( v" v% c5 s! _& h
如果是零溫度電流型 把 決定電流的電阻加大試試...(delta VBE 那顆)
作者:
layoutarthur824
時間:
2009-1-13 03:59 PM
標題:
回復 2# 的帖子
回復gimayon大大
8 P+ E: R) J3 f" y& ]: m( V
我用的一般型的BANDGAP(VREF=0.8V)
/ B j4 w @$ Z1 Q2 y( h" J# i
OP離開工作點是指沒在飽和區嗎?
; m( V( s; Q' B
這樣的話我OP要怎樣讓他進入工作點讓模擬高溫時拉平
l7 c& N. k9 f$ U5 F
我才疏學淺 麻煩指導 謝謝你
作者:
gimayon
時間:
2009-1-13 06:13 PM
我所謂的一般是指 vref = 1.25
; m) P# W! S+ Z8 B! b
" R2 ?8 G7 Q f& w) ^
你還是秀圖吧~~
9 d, b O3 P* G" K$ S/ T
. H9 G9 \/ t& J- ^
mos 的 L 不要用太小 否則高溫時漏電流很大 會影響高溫時的 vref
作者:
layoutarthur824
時間:
2009-1-14 03:15 PM
TWO STAGE OP:
* b1 O% \. ]' t( r0 ^" E
[attach]6265[/attach]
x; ]8 i: c7 O0 ]: i G' @$ q
帶差:
$ _4 ^0 s2 a% u! n: n3 I- I
[attach]6263[/attach]
+ y {. a% y3 {5 Z) s7 M5 M# O8 Q
大大如您說L加大,所以我就將OP的M7的L從1u變至3u
6 J# V4 { M2 P1 v- G! T5 k
確實高溫時會下拉了(三VREF:SS FF TT)
( j( ~& Q' Y8 v. T+ K0 h
[attach]6264[/attach]
* {5 n" _% Q+ e' D
但是我的OP增益卻下降到很低
* A" B" T! q; J- X& F; q
壓差都維持0.6V,之後FF SS TT卻都會差很遠
* }2 O, r3 p& a! ~
請問大大:
" p7 L7 S9 d8 w8 J2 b
1.有什麼辦法可以讓SS TT FF這三種模擬值可以相近?
. z/ E9 {6 k6 k/ V
2.我想將壓差壓到0.01V~0.02V?
5 J2 G: h9 W: D' ~5 V$ `4 R- n0 |, h
3.M7(TWO SRAGE)的L提高但OP的增益卻下降了,是我動錯顆MOS了嗎?
) V8 D6 O4 f0 i
現在正苦於以上幾點,始終try不好,麻煩大大不吝指教
( S& _2 k, `/ b% \
, t# f( p, O6 y8 A7 d0 S3 G7 d
[
本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-14 03:47 PM 編輯
]
作者:
gimayon
時間:
2009-1-15 12:34 AM
你這是什麼鬼電路?
4 e% F5 G9 A1 u/ f% _
0 V# b" T7 Y# e7 _; E/ z
下圖左半部是幹啥用的? start-up?
$ C+ X; X {1 d2 \
* r J) { ~6 K: E, n2 ?
如果是? 你肯定 start-up 後 上左2那顆能關閉?
; {' }3 [( v3 O2 ?# G7 ^' m$ b
' I/ V" s! D' }
如果不是...還請指教是幹啥的...
9 f8 q# l2 v" q9 z, x2 H
, ]% e) h% R% \9 h$ M
你的 op bias 電路對溫度影響很大 換掉吧
作者:
finster
時間:
2009-1-15 09:59 AM
1. 建議你先把start-up電路拿掉
# E( w+ H( X. k
2. 請標註一下你OP的output是接到bandgap reference circuit的那一點
* q: {* u& P8 p- y) s) W F
3. 請看一下你上面那兩顆PMOS的Gate電壓在正常運作下其電壓為何?因為有可能你的OP的input的端點接反了
) U1 A3 {! M* c- G
4. 你的bjt顆數比為多少?你的電阻用那一種type電阻,其阻值又為多少?
. z; Q2 c, u" _' G! G* x' d
5. 你上面那兩顆PMOS的size為何?
作者:
layoutarthur824
時間:
2009-1-15 04:36 PM
回gimayon大大
* f4 @6 v) p8 g q( X, }
下圖左半部是 start-up
/ r: z8 ~3 K# m* [2 C4 K
正常工作時可以使我的MS3在截止
5 K9 ~4 o ^5 ^' p7 b% I, A
請問為什麼說我的op bias 溫度影響很大??
5 `# i2 M1 H- x$ e/ H1 y a
(該點變化量我剛去模擬在2.42~2.27V )
2 o, m a0 ` Q b6 ~1 N- w1 `. B3 c* O0 [
主因是什麼呢?我真的不知道,麻煩請解惑?
3 Y$ S: P1 {, f# N
因為不少人也是用這種電路當bias的
0 L$ p: @1 L7 n% K7 q
% z" |% a( p: Y& W7 K" Z4 G" W
回finster大大
/ w6 j/ z2 c( C5 @, N
我的M1M2的GATE 電壓範圍是在2.28~2.08V
) L4 X" v3 _) F& h4 u* F4 K
以下是我反接VINN和VINP的結果 FF是0V失敗的沒點出,(黃色SS褐色TT)
; J+ X) c* _/ s3 ^' J
[attach]6279[/attach]
* C4 t3 z- t- ?! ?# C& q$ r$ A
我的bjt顆數比為8:1
6 ^1 |2 H* a# } q
我的電阻是用ND電阻,其阻值我列上圖了
( Z9 c" T( q$ S$ r
我上面那兩顆PMOS的size為w=2.1u l=0.7u
" t" J, I: S0 X# N$ y
* u1 F: x- _' [; W# c
[
本帖最後由 layoutarthur824 於 2009-1-15 04:46 PM 編輯
]
作者:
gimayon
時間:
2009-1-15 06:42 PM
通常給 PMOS 的 電壓都是 HI LEVEL , 你調轉態點把 INV 輸出為 HI ?
. e& ^0 ~! f8 M% G
8 c9 u5 ]4 ?6 s2 X" A- o
根據我的經驗 這種 BG 比一般型多一種穩定點 就是穩定在有小電流流經兩旁電阻
; T5 ^8 C: W2 M0 n( u
5 l }: N" P! u8 O8 ^& W U
此時 OP 的兩端電壓會相等 電路就穩定
& R4 n4 S0 l, ~7 e4 _+ i
1 ^! l) \8 g! |* i2 _% Z; j; A
所以我都是用 OP 輸出端外掛的電容當 START UP
6 r2 p5 |% Q7 m1 a
+ B9 m9 P+ h5 S
因為上電瞬間 此電容是定電流充電 與 VCC 會有很大的 電壓差
* p7 K6 r: i1 ]. P. a @' z8 M
; I! f9 y ^, S5 l8 X& X# ?
加上 BIAS 也要啟動時間 所以應足夠 START BG
) e8 ~/ G7 i- O" Y
& S& A& X, ]3 i1 D5 H ^: p
也為了穩定 我會用 OTA 架構 OP 因為它的主極點在輸出端
$ s( T/ A0 U9 H" ]) n! ?! T
$ R% g Y/ c4 _' f& X
BIAS 下端 掛 PNP 能幫足改善電流對溫度變化 RAZAVI 有寫
- @: I" l; c2 Y) e$ U: k+ h Y
' J) H0 L) N1 g Z' z4 z5 [
建議你看看 MS3 的流過電流對溫度
( @/ e. u5 p9 ^+ m
2 a! k! R: t9 t* p" |$ v0 g: Z" n
.PROBE I(M*)
作者:
layoutarthur824
時間:
2009-1-16 07:16 PM
謝謝各位大大幫忙~我終於TRY出來了
: I" W1 ?1 s8 [. }- W8 R q
最後是調帶差電阻比例和帶差的電流鏡
8 S, H G3 [* Z p9 Q
我是正溫度電阻和負溫度電阻沒做好比例關西
作者:
JUI
時間:
2023-11-3 01:58 AM
謝謝大大無私的分享，感恩
3 d* e' ]9 I/ @( K8 l! d
歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://chip123.com/)
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