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標題: 求助关于GCPMOS管的版图 [打印本頁]
作者: scy8080    時間: 2008-12-18 02:24 PM
標題: 求助关于GCPMOS管的版图
如果GCNMOS管做电源的CLAMP电路，drain连接到电源上，source连接到地，很好理解，drain到POLY距离拉大，能减少电源电流对poly的冲击9 X' r' V8 U! x2 G! K
而对于GCPMOS管做电源的CLAMP电路，drain(到POLY的距离更大的有源区）是否也应该连到电源哪？
5 r) O+ W' g" L! d- |谢谢
作者: ritafung    時間: 2008-12-18 06:05 PM
你是否想用GCNMOS? 我們很少用PMOS 通電,因為它的BJT gain是很低; _7 ~! O) b. _# N& x0 b
如果是用NMOS的話,drain 是連接到power, source 是連接到ground.
作者: semico_ljj    時間: 2008-12-18 06:08 PM
GCPMOS比较费面积！画小了不起作用
作者: scy8080    時間: 2008-12-19 09:28 AM
我现在用得这个工艺，foundry推荐用GCPMOS的，但是不知道版图上drain和source怎么处理？
! Y, h2 M+ g* {1 I6 g! q# W! K3 {% j" {5 t4 m  Q
[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-12-19 09:52 AM 編輯 ]
作者: semico_ljj    時間: 2008-12-19 04:25 PM
就像GCNMOS一样处理吧！
作者: scy8080    時間: 2008-12-19 05:07 PM
drain(到POLY的距离更大的有源区）是连到电源还是连接到地好？能否给个解释？谢谢
作者: ritafung    時間: 2008-12-29 05:23 PM
drain是要連到正電源 (assume product 沒有負電壓), body / source 就連接到 VSS
- T* L4 I0 m3 f  H( d. g- Y當正ESD pulse打到正電源,它會透過NMOS內的parasitic BJT把電流流到 grounded pin
作者: scy8080    時間: 2009-1-4 03:10 PM
我想知道的是PMOS管的情况！！！
9 T/ p; s7 S2 r( g; F0 u+ H5 \2 g$ F9 a
对于反相器，通常情况，我们认为pMOS管连到电源的有源区为source,连接到输出的为漏；: c/ v% P" s. m7 v0 k

% \8 `- s3 Q2 t! n9 p8 b& U( gGCNMOS的clamp电路，drain连接到正电源，body/source接到VSS,正ESD pulse打到电源，NMOS的寄生BJT导通使ESD电流到地 pin，
7 F+ i# {4 V$ A) v; k4 q而对于GCPMOS管的clamp电路，应该如何考虑？
作者: ritafung    時間: 2009-1-10 12:37 AM
我想是這樣子吧~
4 M4 Z+ c/ d! I; c" ?7 S0 d5 ZNWell Process + Psub, NWell 便要連接到正電源,PMOS drain連接地pin



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