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標題: DALSA Semiconductor 獲Alchimer的eG ViaCoat™ 技術授權 [打印本頁]
作者: heavy91 時間: 2008-12-17 04:27 PM
標題: DALSA Semiconductor 獲Alchimer的eG ViaCoat™ 技術授權
2008年12月17日－ DALSA 公司 (TSX: DSA)旗下首屈一指的專業與客製化晶圓製造服務供應商DALSA Semiconductor日前宣布，已完成透過奈米金屬化技術領導者Alchimer S.A. (法國Massy) 之eG ViaCoatTM製程，在穿矽導孔結構(TSV)上建立均勻銅金屬種晶層之測試。完成這些成功測試後，DALSA計畫取得Alchimer的技術授權，以強化其微機電系統製造能力。
5 H" Y* _* B) I" ?9 _3 ~' oDALSA Semiconductor技術研發副總裁Luc Ouellet表示：「多年來，DALSA Semiconductor 已針對其3D整合技術，運用先鑽孔( via-first)製造出低成本的微機電產品，透過Alchimer的銅eG ViaCoat 方式，我們將能以更快速的操作頻率及更高的功率密度，甚至以更低的阻抗及更高的熱散，來支援消費性微機電產品開發。Alchimer的TSV方式是一項策略性技術，其能使我們在此具成本敏感性的市場中大量生產MEMS 元件。」
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Alchimer的eG ViaCoat是一項電化學鍍膜製程，其能各種先進的3D封裝應用中支援TSV的銅金屬種晶金屬化。和乾式真空製程相比，eG ViaCoat能節省超過50%的持有成本。eG ViaCoat並於Semicon West 2008贏得 “Best of the West Award”大獎。
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除與DALSA達成授權協議外，Alchimer亦在深層再回流TSV上展現優異的涵蓋率。再回流TSV的表面直徑小於底部的直徑，是透過速度更快的Bosch深層反應離子蝕刻(DRIE)製程所製造的特殊形狀。由於eG ViaCoat能在再回流結構上達到優異的階梯覆蓋率，它讓業者能採用高蝕刻速率的Bosch製程，讓DRIE步驟的成本減少50%。. h# G) N% E2 w' ?0 o4 c' W
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除了更快的DRIE步驟省下的成本，銅金屬種晶金屬化步驟還能節省許多開支。Alchimer亦成功展示後續在這些深層再回流TSV結構上填入無空洞銅金屬材料。
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Alchimer執行長Steve Lerner表示：「我們非常高興能與DALSA合作，其不僅是微機電晶圓製造的領導者，更是一家承諾提供創新技術及高品質產品的公司。」
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關於 Alchimer3 @; u, p( @. o" {& H& L9 w) n
Alchimer針對奈米薄膜電化學沉積開發並行銷化學配方及製程及IP，以提供半導體晶圓之銅互連及3D封裝之直通矽貫孔。該公司是從Commissariat à l’Energie Atomique分割獨立而出，於2001年創立時，並贏得法國研發及產業局(French Minister of Research and Industry)頒發「高科技公司創新」之國家首獎(First Nation Award)，且獲評為「歐洲前100大具前瞻性公司」(Red Herring Top 100 European Company)。如需更多資訊，請參閱: www.alchimer.com.: h; b/ s: x5 D; ]6 p
( }/ {! d2 f& _0 u% @關於 DALSA Corporation
' d" n5 A( G+ b# J- N' t, fDALSA 為高效能數位影像及半導體國際領導者，目前於全球擁有員工約 1000 位。該公司創立於1980年，主要從事設計、開發、製造及行銷數位影像產品及解決方案，除了提供半導體產品及服務外， DALSA的核心競爭力在於特定的IC及電子技術、軟體、及高度工程性半導體晶圓製程。 該公司的產品及服務包括影像感測元件(CCD 及CMOS)、電子數位相機、視覺處理器、影像處理軟體，以及半導體晶圓代工服務，以用於 MEMS、高壓半導體、影像感測及混合訊號CMOS 晶片。DALSA以“DSA”代號於多倫多證券交易所(Toronto Stock Exchang )上市，並於Waterloo、安大略及加拿大設有企業辦公室。
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[ 本帖最後由 heavy91 於 2008-12-17 04:47 PM 編輯 ]
作者: tk02376 時間: 2010-7-13 08:27 AM
標題: Alchimer從松下公司獲得股權投資
(20100712 11:51:26)法國馬錫--(美國商業資訊)--Alchimer S.A.是用於三維矽穿孔（TSV）、半導體互連和其他電子應用的奈米沉積技術供應商，該公司於今天宣佈，松下公司（Panasonic Corporation，紐約證券交易所代碼：PC）已經成為其股權投資人之一。
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8 N+ `; q) k" \' J5 d全球消費電子領導者Panasonic R&D Company of America旗下位於矽谷的部門Panasonic Venture Group協助提供了資金。Panasonic Venture Group致力於向那些可能為松下帶來技術優勢的公司進行投資。透過其投資，Panasonic Venture Group為未公開上市公司與松下研發部門之間的技術合作提供支援。
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$ B& B7 W8 P) X' H& UPanasonic Venture Group投資合夥人Patrick Suel表示：「在整個電子供應鏈中，製造商對能夠以低成本進行量產的優質奈米金屬薄膜的需求在不斷成長。這種需求成長出現在晶圓級製程、襯底沉積以及3D封裝等領域，3D封裝正開始成為降低未來積體電路和系統成本的一種重要技術。我們認為Alchimer的奈米薄膜具有在價值鏈的多個環節中改變傳統性價比的龐大潛力。」7 W+ H" y; X; `6 K9 F+ Z
\4 @* b. Q8 `4 j, x% PAlchimer突破性的電接枝（eG™）技術是一種電化學製程，能夠在導體和半導體表面產生極高品質的聚合體和金屬薄膜。該公司的沉積技術可以使高深寬比TSV金屬化的總擁有成本與傳統乾式製程相比最多降低三分之二，並且可以縮短產品上市時間。除了電接枝外，Alchimer還開發了化學接枝（cG™），這是一種獨特的無電鍍製程，透過在薄膜之間形成強大的化學鍵，實現在絕緣表面產生成高年度、低電阻率銅擴散阻隔膜。1 [ w" F9 v2 N8 m7 x. l, }; p
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Alchimer執行長Steve Lerner表示：「Panasonic Venture Group因致力於投資能夠為松下帶來潛在策略競爭優勢的公司而聞名，我們很高興在將我們的技術進行商品化的過程中獲得這樣一位投資人。我們相信，作為TSV和3D互連的支援技術，電接枝擁有龐大的發展前景，我們預計未來幾年內TSV和3D互連應用將很快投入大量生產。」
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+ X3 L! t- l& N6 _投資金額和Panasonic Venture Group的持股數量沒有公佈。
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