Chip123 科技應用創新平台
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作者:
caikunming
時間:
2008-12-14 02:52 PM
標題:
餈����遛��ost simulaton撌桀�憟賢之嚗�蛹隞��嚗��
大家好,我现在正在做一个folded_cascode的运放,前仿的时候性能可以达到我的要求(100db,590Mhz,60pase margin),画好版图后通过了DRC,LVS,不过后仿的时候增益相差太大了,只有25db,请问你们遇到过类似的问题吗,讨论下哦,学习ing
作者:
zorro
時間:
2008-12-15 01:03 PM
要確認你PRE-SIMULATION的正確性,在仿真方法一致的情况下,POST-SIM應該不會差這麽多。一般POST的結果只有PHASE MARGIN變小,GAIN的變化都不應該太大。
作者:
finster
時間:
2008-12-16 01:10 PM
建議你看一下抽出來的寄生電容有沒有很異常的地方
" U8 d3 h+ |( W6 J- Z
如果沒有,那建議你把post-sim的netlist file中把所有的寄生電容或者寄生電阻全部mark掉,然後再一個一個把寄生的電容加上去,看看是那一個寄生電容造成的影響
/ K* F) C$ k8 n# Q3 a. `3 |8 D
然後再看看你的layout或者電路在那個地方是否沒有設計好
作者:
caikunming
時間:
2008-12-16 03:23 PM
我的仿真方法应该是没有问题,我把电路的寄生参数都去掉后,仿真出来的结果还是一样的25DB,还是不能满足要求。不知道为什么,郁闷!
, T+ P5 E& o5 R
还有,我在画版图的时候,差分输入对管是700u/300n,我把它们交叉耦合来画的,每个MOS管是20u/300n,不知道这样处理输入对管会不会有问题?
作者:
zorro
時間:
2008-12-17 01:46 PM
建議重新考慮一下輸入對管的尺寸,L用到300N,OFFSET問題會比較突出。
作者:
finster
時間:
2008-12-19 10:40 AM
我覺得如果把寄生電容的部份都拿掉了還是和pre-sim差很多
4 U! P$ Q- M- \2 H' M ?
那建議你重新再看看兩者還有那裡不一樣
* S* I2 O5 B+ _1 c
因為這是很不合理的
- ~% e' o; l7 q. d8 O( e! |# `& ]8 S& J
另外,你的bias電路有沒有不一樣的地方
! f$ L( R$ u# @; `" a/ a
又或者,你可以把pre-sim和post-sim兩者的netlist file再互相交叉比對一下,應該有什麼地方不對才會造成這種問題
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