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標題: 請求會tsmc .25製程的高手 [打印本頁]
作者: eva123    時間: 2008-12-10 05:45 PM
標題: 請求會tsmc .25製程的高手
' `$ o- E9 i3 L' f. ]
拜託各位高手 ， 請幫我看看下面的問題  ^^
8 e9 e& B# E1 p( L6 [6 u1.請問TSMC.25的OD2 layer 包在nmos_g5/pmos_g5 上面0.45um 之外，是否可以cover在P+OD /N+OD bias上面嗎??! u. ?1 i$ Y+ d* l6 E
2. TSMC.25製程中的poly如果只是當一般LV走線，是否一定需要蓋上N+ or P+的imp
作者: sw5722    時間: 2008-12-11 04:59 PM
TSMC0.25是沒用過,不過我以tsmc0.18來說吧4 Y* L2 K3 R+ z+ H- f7 v7 Q
1 OD2我們是包到guard ring外了,應該是可以
& J6 ~/ Y2 n3 r: z; N2 poly當導線,應該是不用弄什麼imp的
作者: ryan1    時間: 2008-12-11 06:10 PM
告訴你好了.
/ ^0 D  P7 [8 F* t) R1.OD2 layer 是可以cover在P+OD /N+OD bias上面.
+ ^- c: e8 L/ [2 ?# {" o- s! i. d2.POLY 外面要蓋上N+ or P+的imp.要不然drc會出現錯誤喔.
作者: caesarxl    時間: 2008-12-13 09:20 AM
楼主，这种case有个万能的解决办法：跑DRC就知道了~~~
作者: ywliaob    時間: 2008-12-16 07:03 PM
標題: 回復 2# 的帖子
poly 不用implant 如何當走線1 Z9 m# U! U- a) m2 w: Y
電阻很大
作者: andyfan66    時間: 2008-12-17 11:39 PM
嗯，手頭沒有T的。25的rule，所以沒法查看，一般來講0.25的工藝應該已經有salicide的啦
- k2 I6 ?3 _0 F( ~2 _5 y9 j7 }4 o, @7 S; C( ?1 j% @7 @  {% U
poly即便沒有implant的注入，由于表面金屬化，也不會有電阻很大的情況出現，但是前提是你的線要寬一點( p5 X5 H( d! \# I

3 T8 N- p; i9 @1 N如果是很細的，由于沒有implant的時候，好像，我不是很確認，narrow line effect的效應會相對嚴重，有可能出現硅表面金屬化形成的不夠好，造成電阻變大。9 O, p+ l( W' h: k
) Z0 j4 O& K: O
最簡單的辦法，就是跑DRC，不畫implant看看，過了就說明工廠對這個制程有信心沒問題的，沒過就說明有問題嘍。但是我確認有對這個有不同要求的規則存在。當然，為了安全起見，你加上是完全沒有問題的
作者: semico_ljj    時間: 2008-12-18 12:40 PM
標題: 回復 6# 的帖子
回答细致！好
作者: sw5722    時間: 2008-12-22 05:49 PM
標題: 回復 5# 的帖子
抱歉,應該是我搞錯了,因為用POLY當導線已經是很多年前的事了,記憶有點
; l/ G3 V% {4 z" A- u模糊,後來遇到的rd,都是嚴禁用METAL以外的東西接線.
作者: csleea    時間: 2008-12-22 06:16 PM
Thanks for your sharing!  S7 v& {8 C7 d# R9 y
6 }, `$ Y2 M1 e" H
poly如果只是當一般LV走線，是不需要蓋上N+ or P+的imp



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