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標題: bandgap referece中的ＢＪＴ [打印本頁]
作者: tiantsmart    時間: 2008-12-3 04:35 PM
標題: bandgap referece中的ＢＪＴ
bandgap referece中的ＢＪＴ的电流即ＩＰＴＡＴ的电流一般取多少啊？与什么因素有关？或者受什么约束？6 _5 v$ r4 e: U( d
5 R3 q4 t) k5 i, O% c/ \8 ?: }/ {
" t7 t, F) |6 r* l" q
以下是 bandgap voltage reference 的相關討論:
& ?' \( z; z* qbandgap voltage reference? 9 B/ U. q9 U5 l+ O& A% J" X- G* ]
bandgap voltage reference? . t* n2 E. w# v  s. j7 H/ y% S
關於CMOS的正負Tc
( o- z( T0 B) ~0 I& I如何在CMOS process 中做好溫度感應器? & C/ k) T: s( V6 j
請問有關 bandgap 內 op的 spec ....$ O% s# q$ U! T' N$ l7 x# a2 `
bandgap的模擬問題 (單N,PMOS組成)
) ]4 |7 y" O6 U3 F+ _3 Y9 [BandgapDC扫描温度特性时,不能正常工作 ) P1 l* g6 u* G
7 l  P& [; x4 F8 q% T- p8 u7 a

, I" a/ P% O5 Z# Z% Q! ?/ O5 `! \1 O
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 05:49 PM 編輯 ]
作者: tiantsmart    時間: 2008-12-3 09:42 PM
谢谢给了高亮，有请大大们给个解答，我还是个新手，最近在做bandgap reference,请指教！
作者: iamif520    時間: 2008-12-4 09:30 AM
標題: WOW~
這很重要耶~以後要做完整的電路也要有Vref這塊~
$ t* D. u* g1 t. {4 J懇請高手賜教
作者: tiantsmart    時間: 2008-12-4 05:55 PM
怎么没人解答呢？是不是我的问题太简单了，都不屑回答呢？
作者: semico_ljj    時間: 2008-12-4 08:51 PM
以前倒是没有考虑过这种问题
作者: finster    時間: 2008-12-4 11:34 PM
這個很難有肯定的答案4 Q' K& c$ r! l4 m$ R+ }! \7 ~9 e
因為不同的應用與產品,所訂的規格與要求就不同
3 U2 t" p# z) G; ^/ K若以SOC或者給PLL,ADC等類比電路,基本上我都是訂10uA,會訂這個值最主要是因為剛好整數,而且容易藉由這個current來產生出其他所需的voltage or current
) b6 y' `* ~) k另外,我以前有設計給LDO電路所需的bias voltage and current,它的current就非常小,在正常操作下就要小於1uA
, j& F0 Y- a1 g所以,不同的產品屬性所需的current就會不一樣,很難有肯定的答案
作者: semico_ljj    時間: 2008-12-5 02:33 PM
標題: 回復 6# 的帖子
"小於1uA"设计有个问题，电阻就会很大，这时会引入更大的噪声！+ F$ h8 d6 B  I% l, l( p* [6 Y
实际电路这么小的电流没有设计过，不知有没有什么要特殊考虑的地方？
: b* K" q9 N- C" g5 s谢谢！
作者: shaq    時間: 2008-12-5 10:26 PM
原帖由 semico_ljj 於 2008-12-5 02:33 PM 發表 1 i3 I& D7 b6 \# ], }
"小於1uA"设计有个问题，电阻就会很大，这时会引入更大的噪声！
, U- v* f+ k7 p$ z) C2 G实际电路这么小的电流没有设&#357 ...

6 u8 M0 K9 x6 i: t3 ], @
: p6 y0 D& Z) d1 G" w電流基本上可以流很遠啊，電壓比較怕 IR drop
9 p3 @8 j% l6 g- s- |( ]+ X& J( ^: J$ g, P0 {* F" y+ G" u1 o
想請問您「�阻就�很大」是指？？
作者: lightgo    時間: 2008-12-10 10:59 AM
噪声应该是一个因素吧
作者: guang3000    時間: 2008-12-14 05:01 PM
见过反向的和公司的，在50uA左右，个人觉得op的mismatch问题更难弄
作者: Sgw    時間: 2008-12-14 11:23 PM
同意樓上說的，OP的mismatch和offset真的很難搞，不知道有沒有大大能有效降低這些效應…
作者: guang3000    時間: 2008-12-15 10:07 AM
见过反向的和公司的，在50uA左右
& u) N3 D9 q' V4 ]1 J5 R+ ?% J0 a* G3 R

' r! ]+ [( d$ _7 P5 w* Q我指的是两路的电路总和，单路25uA左右
作者: 122013137    時間: 2009-1-9 11:22 AM
粗略的说,Vref=f(vbe)=f(F[ic])
作者: 122013137    時間: 2009-1-9 11:23 AM
粗略的说,Vref=f(vbe)=f(F[ic])
作者: nesty.tseng    時間: 2009-1-9 02:53 PM
OP的input offset可以用stack bipolar的架構讓offset減少一半( x7 L* E, ~) P; W
公式推導可以看razavi的書
作者: frankiejiang    時間: 2009-3-5 02:48 AM
原帖由 nesty.tseng 於 2009-1-9 02:53 PM 發表
# A# C6 z# ]/ b( T9 ZOP的input offset可以用stack bipolar的架構讓offset減少一半
0 W7 `* f& n7 V& L$ a, Z7 ^9 W8 G+ p公式推導可以看razavi的書
" Z; J) ~, k' W$ e% n/ e# i  s
请问大大这个在第几章第几节？( S  \* v6 \- Y! Q
谢谢！
作者: allentel    時間: 2009-3-9 05:33 PM
Chapter 11 Bandgap reference
8 e9 `1 {0 w0 r7 e
; g! n, Q" j7 \: u1 ~' J11.3
作者: 馬蓋    時間: 2009-3-13 05:04 PM
請問在bandgap 下的 bipolar PNP 的 beta 要大於多少阿 ? 如果只有20  會影響到準確度嗎 ?
作者: sjhor    時間: 2009-3-17 05:43 PM
若是寄生的 bipolar 建議去問製程廠所提供的，
. u7 B" D7 m3 u5 A# c) o8 ~因為它們會知道使用在哪一個範圍會是一個較佳的值。
+ P& ^0 h- Q0 M& J, H他的變異和限制都會比較了解。
作者: mycmf    時間: 2009-3-25 02:19 PM
製程廠給的BJT通常不準, 必須找方法作Calibration
作者: fbi    時間: 2009-3-28 01:17 AM
抱歉!我不懂mycmf大大的意思+ f& O- G( J- J9 ?' y
"BJT的beta不準需要calibration"# E2 r8 Y6 p/ |

9 M& C" s: M2 [* D3 f( M在bandgap voltage reference電路中2 |2 g. b/ d2 o9 r4 S6 \2 B
應該是取BJT上的PN junction diode% f) A  ^9 w0 c
提供我們Vbe(negative TC)
- ?9 e, t, n# x! b: n! z& Ybeta不準與Vbe有什麼關係嗎?/ A, Y1 B! `1 K$ X+ P1 k
謝謝回答~~



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