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標題: 請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？ [打印本頁]
作者: hyseresis    時間: 2008-11-24 03:16 PM
標題: 請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？
請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？! K8 B; _  [4 w
就是比較簡單,比較常用的ESD有那些？？
. k0 J2 o  n: {' ~! `$ M有純MOS的ESD嗎？？* t8 Y) Z6 e2 ]; N4 X8 u
設計上有何重要的技巧？？6 ~0 r# e) |( }1 R
請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ？？
; [/ x6 B0 T! ]1 Q請高手幫忙解答？小弟正在學習esd有很多不懂得,謝謝
作者: semico_ljj    時間: 2008-11-24 10:48 PM
很多都是用“純MOS做的ESD”，只是防护时开启泻放电流的是其寄生的三极管！
作者: semico_ljj    時間: 2008-11-24 11:14 PM
"請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義？？"
# o# R7 }! ]0 Z: L) H' H好像没啥具体意义，符合设计规则就可以了！6 h% A- J" H  q0 ]
ESD设计时要考虑 contect to gate space！！！
作者: hyseresis    時間: 2008-11-25 09:19 AM
標題: 回復 3# 的帖子
感謝副版主,那請問contect to gate space在設計上有要注意的地方嗎?或是有何設計規則?- R/ E5 A3 }" s" B  [  X
感謝
作者: semico_ljj    時間: 2008-11-25 01:58 PM
標題: 回復 4# 的帖子
一般要比普通设计规则要大几倍，代工厂一般会有推荐值，之间也会有不同，具体可以参考设计规则文档！
作者: andyjackcao    時間: 2008-12-2 09:41 PM
原帖由 hyseresis 於 2008-11-24 15:16 發表
2 W8 B2 l! R4 n' ~' G% i7 {請問一般業界都使用哪一種ESD電路比較多？？
5 f" q+ s; ~/ J: I5 G* S) Q+ S( n就是比較簡單,比較常用的ESD有那些？？
4 ^8 n1 ^( y2 P' Z& N% J' X
. }! W7 ]( u+ J- b7 f請問附圖的contact to contact距離在ESD裡代表什麼重要的意義ㄋ？？, |" T& Y$ u5 P: B4 _( a
請高手幫 ...
6 E& l* t( p1 O5 g: }$ z* }
. V" O5 x0 T# i5 z0 v) F' \
我是这样理解的3 q( i( a& e! F  Q. T; P6 h' s
contact to contact距離可以决定本身MOS管的ESD性能；
$ F( W1 ~5 h+ h$ [% v! n5 T会影响MOS泻放电流的均匀性和散热效果3 |6 ?$ l6 R. K1 ^9 P+ {" k& n" Y6 x
晶圆厂给的尺寸，一般是经过验证，比较可靠
作者: jian1712    時間: 2008-12-11 12:01 PM
contact to contact spacing is a minimum spacing，drain contact to gate spacing may layout with >3um
作者: wph123    時間: 2009-3-24 01:50 AM
提示: 作者被禁止或刪除 內容自動屏蔽
作者: ritafung    時間: 2009-3-25 10:41 AM
如果有用SAB (亦稱為RPO),contact to contact spacing 可以是minimum rule- |( B5 [- p; V0 J/ ]
但如果沒有的話,可以增加contact to contact spacing 而達到ballast resistance的效果.
作者: werx    時間: 2009-7-26 09:54 PM
標題: 小弟才淺
通常只要遵守Foundry場的ESD design rule畫layout的話，ESD基本上應該都沒什麼問題. ^3 H# v9 I  D9 V9 h( K' N
因為他們自己開出來的製程都會先自己作實驗4 W4 S0 E% J1 B1 {# U
至於con to con的意義呢？
4 ]7 I: D" I9 D' X! ^* A在IO MOS上當然是能塞幾個就塞幾個
4 _# ~( e- X# ~0 P/ u4 ~因為ESD電流來時又大又快% ?  c* p  [4 A# v3 F4 C
CON越多路徑阻值越小一點: \9 C! ^3 C  q) O3 T3 Q3 {
所以CON TO CON通常取MIN.4 I3 o& ~1 d8 v) R$ B' p6 v" y# B
1 m4 b2 z& y  _5 N
小弟才淺
作者: semico_ljj    時間: 2009-7-27 08:46 AM
“所以CON TO CON通常取MIN”，right！
作者: averyer    時間: 2010-5-27 10:58 AM
謝謝大大的分享~更加了解esd的重要性
作者: finster    時間: 2010-5-29 08:24 PM
一般來說,在output PAD的ESD, contact能夠多打就多打,因為這個樣子可以降低從source to drain的阻值,這是以電路的角度來看
. @4 R/ F: s- j% A' G0 i, k3 S. I而對ESD而言,它所在意的並不是contact to contact的距離,而是poly to drain的距離,這是因為在測ESD時,我們希望ESD的瞬間電流或者電壓從power clamp或者ESD device來排掉,而不是走output PAD的path,因為本身的output PAD並沒有足夠大的面積來排掉這麼大的ESD電流,故而,poly to drain距離會比一般的device來的大一些,主要是增加poly to drain的阻值,如此一來在測ESD時,ESD電流大部份會藉由power clamp以及ESD device來排掉,部份則由output PAD來排掉
作者: tuza2000    時間: 2012-7-12 01:18 PM
说的好
2 p2 m8 O& J2 R8 |! K3 @
3 ~9 H5 t" E% n% ]8 t0 m1 c- i
！！！！！！！
作者: wangdali163    時間: 2013-8-16 03:53 PM
poly to drain的距离，是增加电阻，让寄生三极管均匀打开。



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