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標題:
APR的問題
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作者:
abayson
時間:
2008-11-24 01:15 AM
標題:
APR的問題
我目前是使用TSMC18的製程 作數位IC的設計
) l# [- g- p$ b5 I: `8 s7 F! I
0 O; i. c# k- ?! m) @9 r
可是在APR時 有些問題想請教各位 APR軟體 SOC encounter
: W/ \ O2 {# H* o, B
$ I8 C i9 S( A! K7 o/ w G& b6 \
1. 我在一開始產生記憶體時 預設她的power ring是M2 M3 那是不是代表 我在APR時 core的
& ~, L( @$ O8 U; k: K% {+ G+ C: p
power ring還有 stripes也必須是M2 M3?
: q% Z( m& o3 x" K! P+ L& H
; K" }4 ^: f* A& Y9 r
2.我在APR中 再執行nanoroute之前有檢查DRC跟LVS都是0個violation 但在執行nanoroute後
: W$ Q* I$ u& v
出現2種violation
- q/ S2 c- t4 G' U7 F/ [
* Q: x! N$ G7 i5 [
第一種是 Mar violation
8 o. B" }) p! w; u( T* X* W; t7 i$ B
Regular Wire of Net U_LDPC/mem2_4/RF2SH82X8_u23/AB_n[1]
, I( z2 P: g$ @+ g4 @+ f
False : No Layer : M3 Bounds ( 1868.290, 4131.040 ) ( 1869.290, 4132.040 )
' X1 q0 E6 }% \
請問一下 她的報告也只能秀出位置 那這個錯誤是什麼意思 要怎麼修正
2 H* a4 R- k) }- {2 _6 n: o
) I& }( w* Y6 M6 e# H* P/ k
第二種是 Spacing violation
; r, J7 ^& v/ l! Y! A* d
Regular Wire of Net U_LDPC/mem2_4/RF2SH82X8_u9/CENB_n
8 t5 ]1 \3 _9 c1 \. T' |6 k
False : No Layer : M5 Bounds ( 2781.730, 3643.700 ) ( 2782.730, 3644.700 )
2 D8 }& M. ^9 Q) M' n$ C- Y. f, }+ N
我看一下 他好像是 自動route後 2各metal 間的空間小於lef檔內規定minspace
) T* a- s8 ~+ n4 e& t2 u$ k
這部份要怎麼修正呢
- k% I5 s% L4 G& z! X5 E
" u. G7 `! `2 `
附檔有比較詳細的圖 謝謝[attach]5819[/attach]
m$ D/ k6 { _8 K0 x, `/ V9 T
希望有經驗的人士 可以給予指教 謝謝
作者:
jianping
時間:
2008-11-24 04:15 PM
標題:
回復 1# 的帖子
1. 我在一開始產生記憶體時 預設她的power ring是M2 M3 那是不是代表 我在APR時 core的
1 [3 E( a+ a8 D! v, T% L' v: a0 v
power ring還有 stripes也必須是M2 M3?
' k! L- e7 _9 Y; U7 Y! ` E0 Q; D# R
-----------------------------------------------------------------
' w0 @3 Q6 U" s$ n+ C! P
不見得~但最好保持M1,M3,M5橫向,M2,M4,M6縱向的法則
% w! Y* E& a- r; J; r
stripes通常用Top Metal跟倒數第二層,如果你用M2如果又壓在CELL上可能會造成繞線困難,且最TOP的METAL阻值較小較好.
/ q5 l+ d; n5 A5 K
/ [, [' D; g, m y7 E0 e5 R$ \8 y
7 A0 v) {/ l3 I" b
2.我在APR中 再執行nanoroute之前有檢查DRC跟LVS都是0個violation 但在執行nanoroute後
- d4 _1 p( F: K! U$ Q/ s% j0 G! k
出現2種violation
9 n' D7 H7 b7 d- }0 ^. I# B n
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0 B7 ~8 F6 H+ w A4 G* z
OUTPUT GDS FILE出來,然後用CALIBRE驗證看看,看是不是真錯.
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