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標題:
APR的問題
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作者:
abayson
時間:
2008-11-24 01:15 AM
標題:
APR的問題
我目前是使用TSMC18的製程 作數位IC的設計
7 j9 |# ]! I/ L3 ?9 I; r9 N
, o' j7 F* z- K6 G, J
可是在APR時 有些問題想請教各位 APR軟體 SOC encounter
5 t6 [- c- L) G# z2 F: l. W) ^" G
* g- P0 l4 J2 v4 s# n! `" |
1. 我在一開始產生記憶體時 預設她的power ring是M2 M3 那是不是代表 我在APR時 core的
A+ X) s. O9 v* B4 h
power ring還有 stripes也必須是M2 M3?
- d) @) s& O7 e
. ]6 K4 d w, l" m7 l0 @! ~
2.我在APR中 再執行nanoroute之前有檢查DRC跟LVS都是0個violation 但在執行nanoroute後
: X/ M+ w1 V9 E7 V3 ]1 ]
出現2種violation
5 _8 C0 f4 y: o8 c/ @% B9 h! a. i
' E- T% W. q& [' h- M; [9 S$ m, P
第一種是 Mar violation
9 a& ~; s2 A2 J$ H- r( ~
Regular Wire of Net U_LDPC/mem2_4/RF2SH82X8_u23/AB_n[1]
: A, W7 U5 Z' |7 r3 ]" u h
False : No Layer : M3 Bounds ( 1868.290, 4131.040 ) ( 1869.290, 4132.040 )
, }% V$ p0 { l$ a3 Z
請問一下 她的報告也只能秀出位置 那這個錯誤是什麼意思 要怎麼修正
. B1 P6 Z' ?5 P( H% X P% m
2 e" b& v0 P( v f8 V
第二種是 Spacing violation
# h3 R: {- d$ E% ?1 t% C$ k' f
Regular Wire of Net U_LDPC/mem2_4/RF2SH82X8_u9/CENB_n
/ _& G+ V1 o* Q s; F5 k S9 P9 P# v
False : No Layer : M5 Bounds ( 2781.730, 3643.700 ) ( 2782.730, 3644.700 )
7 F! R+ v8 u; b, {0 T
我看一下 他好像是 自動route後 2各metal 間的空間小於lef檔內規定minspace
k- d* k O' G
這部份要怎麼修正呢
% x. {3 w" U4 T& z7 q' j
& Z k- A. ~* M( y3 B! d
附檔有比較詳細的圖 謝謝[attach]5819[/attach]
6 w* Q9 \7 p0 o
希望有經驗的人士 可以給予指教 謝謝
作者:
jianping
時間:
2008-11-24 04:15 PM
標題:
回復 1# 的帖子
1. 我在一開始產生記憶體時 預設她的power ring是M2 M3 那是不是代表 我在APR時 core的
4 r1 X# J2 z& V6 Y; r
power ring還有 stripes也必須是M2 M3?
; ~- k" c+ o# \+ c
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8 h! n! o0 u4 s( {* R$ T2 [
不見得~但最好保持M1,M3,M5橫向,M2,M4,M6縱向的法則
: J: q J4 }' U4 X; g- U1 S
stripes通常用Top Metal跟倒數第二層,如果你用M2如果又壓在CELL上可能會造成繞線困難,且最TOP的METAL阻值較小較好.
" G+ J* s8 ~& z8 z0 |3 t# }
8 w0 Y- _/ B0 a4 L
Y, m5 \" b% f
2.我在APR中 再執行nanoroute之前有檢查DRC跟LVS都是0個violation 但在執行nanoroute後
0 L# j. w9 h: J
出現2種violation
h7 m* A. b4 x4 D& @. @% Y! o7 X
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8 \. [3 C8 _# P
OUTPUT GDS FILE出來,然後用CALIBRE驗證看看,看是不是真錯.
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