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標題: Sansen讀書會... [打印本頁]
作者: 賴永諭    時間: 2008-11-10 03:11 PM
標題: Sansen讀書會...
剛剛看了一下Ch1...,好像有些許錯誤的地方哩...: m; N3 T5 a, G' K4 Z7 h2 J$ V
Slide 0129: gmb 電流方向(Bluck 接地時S->D,if Vbs>0, 電流由D->S) , A8 M. d3 S0 ^- X
Slide 0134&0136: 應該是VGST(VGS-Vt)~0.2 V( n/ Y' j0 j- Z. j- J
歡迎大家踴躍討論一下...剛剛開始閱讀
作者: lynker    時間: 2008-11-11 01:37 PM
我看的是中文版的，摟主看的是英文的還是中文的？
8 S6 `* b4 d* m" o- h- D9 c6 O# a% s/ V% A�面是有些錯誤，我也剛看完第一章，還好基本上都是字母的錯誤還是可以容忍的。
作者: 賴永諭    時間: 2008-11-11 04:41 PM
我是看英文的...
$ H. {, N6 y9 ~因為有些式子或許字母打錯..# J0 ~! E" \- `8 I- @( Q
所以讀起來就卡卡的哩....
9 R/ j. I2 J5 w6 W" hSlide 0148: 我覺得transition voltage式子好像應該是
3 y& {# x8 b( ?5 I; [) b(VGS-VT)vs=1/2theta3 A, p8 R/ D) N0 @
不知道你的看法是???7 O$ d) c" m( P
Thanks!!
作者: hyseresis    時間: 2008-11-12 10:28 AM
標題: Sansen讀書會
Sansen這一本新書有中文的嗎????(藍皮封面)- L, U: ~+ c6 I
Slide 0129->我覺得是沒錯- d( z+ o/ J, s( w* i- w
Bluck 接地時應該是D->S
* C" V1 g$ ~5 ?9 a) T1 Z如果Vbs>0, 電流應該是由S->D
) x# F. G7 N$ s: rSlide 0134&0136->我要在看一下
作者: lynker    時間: 2008-11-12 11:57 AM
標題: 回復 3# 的帖子
確實是1/2theta，估計是計算VGS-VT的時候少算了一個1/2，你看書好認真啊。( Y* Z# u& Z# S% J

6 Z- `5 y# x: |7 I[ 本帖最後由 lynker 於 2008-11-12 12:01 PM 編輯 ]
作者: hyseresis    時間: 2008-11-12 12:44 PM
標題: 回復 5# 的帖子
>_<...沒想到真的有中文版,我真是孤陋寡聞啦...9 H1 f  r) l* i
sorry阿...大大...
作者: 賴永諭    時間: 2008-11-12 01:56 PM
標題: 回復 4# 的帖子
Dear ~~
! j8 Z: g2 h7 g7 k/ Q! C1 `9 V6 c: m0 D我的看法是:. m9 i5 Z4 T& Y' u
Vbs增加=>Vth減少=>Id增加...所以gmb=Ids對Vbs偏微分...所以方向應該D->S(Vbs>0)1 y/ E9 k1 d5 o* @9 Y
根據Razavi看法...p35
3 t+ X9 h! O1 c0 h% O% SNote the gmVgs and gmVbs have the same polarity.i.e., raising the gate voltage has the effect as raising the bulk potential.
' S2 X4 V7 o) I% R你的想法是??
9 _5 P" r; w+ O8 `$ ]0 f/ P% r歡迎一起討論>>  d! w+ j: l- s2 o
Thanks!!!
作者: 賴永諭    時間: 2009-3-19 02:14 PM
Charp22章; \" M2 ^4 N  F2 y* f. E
2219( g3 L/ c1 k+ ~5 ~, [/ b4 [9 s
有錯誤的地方...
4 i, H$ g( g& A! t$ _: M! h4 M看投影片的地方.... 圖裡面...- d% q& e5 A( E0 U& D* y: |
Zs應該成為Zc......
0 @! P5 J1 n! R大家注意一下..." Z8 A% {. F& _- v4 h
歡迎大家一起討論哩......
作者: 賴永諭    時間: 2009-3-23 04:38 PM
Dear~~' G4 U+ Q  `* E! c
Slide 2219: Start-up time 應該是2*Ls/Re(Zc)+Rs.....
* B5 |0 @' A$ ?) p應該要2倍哩..
/ x. y6 }0 j0 U) e# G2 {Slide 2222: gma=4RsCLCLWsWs...少*4哩....3 O5 [5 `0 C) ~( e& ~2 Y4 _
還有Rb>>1/(RsC1*C1*Ws*Ws)吧.....
; w3 l$ Z* i5 B歡迎討論!!!!
) ]/ U; C+ P0 |; U" E7 F
, e  N: w/ j, j; VThanks!!!8 Q6 J& s; K$ X$ c9 ~4 l

$ J9 K. x1 P' U[ 本帖最後由 賴永諭 於 2009-3-23 04:41 PM 編輯 ]
作者: 賴永諭    時間: 2009-4-7 03:07 PM
Dear~~
2 k3 p) S( L: nSlide 1915: It should be double the value of all ground and series capacitors.
' b* W* W& q( t* b1 ]Thanks!!!!
作者: fcchang    時間: 2009-4-20 01:28 PM
有誰知道這本書中文版哪裡買啊
$ r4 X3 J8 p7 m3 Z, {: F看他的講義就覺得很棒了，現在又看到有書可以買4 ~! W, Z1 H0 q' X3 M! a
有誰可以告知？
作者: chungming    時間: 2009-4-22 12:19 AM
slide0129  的確是有錯, 如大大所說的才是對的1 z( ?5 h9 I  q" X2 z$ k' R& l
slide0134 我不太懂大大的意思?您指的是解說的部分嗎?那邊我也覺得是作者寫錯
- H& R8 H6 r) J                   slide內容也有錯,Idst是for pMOS才對,作者寫 for nMOS那Idst應該是5uA左右4 J3 e0 J1 j/ c/ ~! r. H' ~
Slide0148 我倒是覺得沒錯' a  t8 h- C+ s  F. V
                    我是用  Ids,sat = KP/2n*(W/L)*(Vgs-VT)^2  和Ids,vs = KP/(2n*theta)*(W/L)(Vgs-VT)
) Y+ I8 B$ U0 n, B                     Let 這兩式相等 , (Vgs-VT)vs就可寫出=1/theta
4 F9 u  q- y. ?- {0 s6 w7 x% H其他19,22章我沒看不知道* H$ f0 l/ {: g. [' A- c
( _0 [; `# r6 x, x
感覺這本書錯誤不算少,第一章其實還有一各怪怪的地方 ,像是slide0117,0119算出的電壓都不對...
- w$ r' r4 |7 g' C3 G3 L8 L書中很多都是跳耀式的思考和解說,剛開始我是滿喜歡這書的內容,但讀了一陣子之後總覺得有一種不連貫的感覺.
/ N4 H' N0 P+ w  M他的小信號真的滿不錯的,很直覺
. G: i8 a$ y. D; d, l. X不過後來倒是找到這個作者有出過另外一本不錯書
* W) |1 i: k0 B# xDesign of analog integrated circuits and systems - Laker, Sansen: K4 ?& T6 N# u) m: m
裡面公式推倒的滿詳細的,對回受和頻率響應部分部分"好像"有詳加解說(說好像是因為我還沒看到那邊,只是先翻一翻)! `1 f* b& L  o5 c  _
大大們也可以去看看囉
作者: 賴永諭    時間: 2009-4-22 10:43 AM
Dear~~
3 \$ B. m6 o& P' @( i2 gIds,vs = KP/(2n*theta)*(W/L)(Vgs-VT)~
. W) j, h$ K7 a! g- e, E/ Wsee Slide 0146
2 c) @0 u5 Z2 N. F  OIds,vs = (Kn'/theta)*(W/L)(Vgs-VT)7 n* I4 y" _5 J' Z+ z- X. u: M
so ....check it again....7 p$ y  k1 w+ L5 }  Y- g
thanks!!!
作者: chungming    時間: 2009-4-22 08:14 PM
kgbriver 大大你好) D2 j2 j) \! R) d
我在另一本書上的推導的確如大大所說..........2 x/ v& C) l  j1 t" W" \( s
是1/2theta( c2 g1 h! j& X0 G3 f0 o
要找一下為什麼這邊哪裡錯了@@. I( z0 E& [- n+ k3 J; z
感謝指正 ^^
作者: 賴永諭    時間: 2009-4-23 01:48 PM
我個人覺得他的書要配合他上的課會有比較大的效果,
% B; X$ g5 U; O. R- d  z像自己看的話,我會發比較多時間想一下他說的東西與概念...
1 e0 N5 I; p3 s1 I* I) `6 m所以事實上他的書並不好自己看哩...我覺的有老師帶著敎會比較好哩$ g$ {) L) l0 {9 T- f( G" D
台灣好像還沒老師是敎這一本哩....
作者: donothing    時間: 2009-5-15 09:54 AM
想請問一下
5 Q* r7 k- J1 l  y: o( V在bandgap那章 1611& E1 G* z! D! N5 \: M
有提到 Ic2=A/R2  A=KT/q * ln nr =0.12V* X% O- [+ `+ ^

  z& q7 z. l- c9 j' E在第四行式子中 R2>>1/gm2 R2Ic2=0.06V gm2R2 =2.3
4 P: Q" \' f8 J) N. j/ i# O
- F5 A* J* s$ k. V( a# N! d& `這是誤植呢 還是有特別的涵意
) I* s1 g$ _0 ~* w/ ~$ R& f- _: Y/ S另請教各位大大  gm2R2 應該 4.6 吧/ g7 _  h$ X, I7 _& U
但是我只能推出是 跟 gm1R1 =20 比較得知, h! j; x8 {" h
但不曉得gm1R1 為何是 20 有請各位告知
作者: 賴永諭    時間: 2009-5-19 10:03 AM
最近比較忙哩,今天會研究一下,再上來跟大家分享一下...+ j3 N9 O3 F- W4 V6 s
thanks!!!
作者: 賴永諭    時間: 2009-5-19 11:46 PM
在第四行式子中 R2>>1/gm2 R2Ic2=0.06V..... 我想應該是寫錯了吧(0.12V)
7 f. D$ r1 x4 {..gm1R1=Ice/(KT/q)*R1=0.5V/26mV=205 f, B# ], f& }% s# n0 ^9 _5 \7 L
了解嗎!!!2 K# S# l$ ^% e  C
Thanks!!, j- f( z: w, w2 H
Kgbriver
作者: 賴永諭    時間: 2009-6-16 01:11 PM
slide 1813
2 K8 y4 l. t& w8 Z由圖可知 baseband應該是3MHz,( o* N+ d  x# ^$ U: U4 x; `3 ~. U: s
HD2 6MHz8 y- E$ ^( `+ t. [. F7 _
HD3 9MHz
! V. Z& N* ]" M; w: Othanks!!
作者: garyinhk    時間: 2009-6-16 05:07 PM
好厲害啊~
, M& b5 ^8 u' H; W已經有中文版了~有時間去深圳買一本了~王志功審校的~很不錯哦~
作者: garyinhk    時間: 2009-6-16 05:07 PM
好厲害啊~已經有中文版了~有時間去深圳買一本了~王志功審校的~很不錯哦~
作者: semico_ljj    時間: 2009-6-17 11:12 AM
是简体中文版！
作者: semico_ljj    時間: 2009-6-17 11:13 AM
可以在、网上直接下载扫描版的1
作者: 賴永諭    時間: 2009-6-20 10:06 AM
建議還是看原版的書會比較有感覺哩
作者: 賴永諭    時間: 2010-2-8 03:28 PM
推薦slide 1979...
4 w* |; o9 Z9 Q% \Filter的比較圖喔....
4 I" U5 I" a! p最近有點荒廢點(在K別本書),這本Sansen還沒k完哩....過年在K一下..., B6 M& t' x. M3 ~& t
看有沒有新發現哩.......
作者: 賴永諭    時間: 2010-2-8 03:29 PM
推薦slide 1979...
1 @- M9 g0 |, @9 J' DFilter的比較圖喔....
! _% P# `. Y+ p最近有點荒廢點(在K別本書),這本Sansen還沒k完哩....過年在K一下...
/ T7 S* |8 d8 k/ `' n/ t$ J看有沒有新發現哩.......
作者: china.linrong    時間: 2010-3-21 11:09 AM
有中文的，我们学校图书馆刚买我就借到了。感觉是有些小错误，但是还是很有用啊，对设计有很大的帮助
作者: tuza2000    時間: 2010-7-7 09:40 AM
slide:0732 M1 see 1/gm but M2 see 1/gm divided by the gain of M3 gm3ro3, why?
作者: 賴永諭    時間: 2010-7-9 06:42 PM
從M3 drain 看進去的電阻是  1/gm3 ,then 考慮這各電阻值之common gate input resistor 及可估出來(可參考Gray的書3.3節)
1 l' f( D9 z$ F) t5 c3 B5 vthanks!!
! m- D8 @; o! X& M" ~" `' k
6 B2 R. R1 A6 W8 n' p; o# O補充內容 (2015-4-21 12:41 AM):
; Z' A: V) x1 b4 W; M6 T* K修正說法～～0 B5 B. p, {. @% c2 f/ _0 c4 B
1/gm3/loop gain and loop gain approximation gm3ro3+ y' c3 S! K7 T# X
Thanks,
作者: tuza2000    時間: 2010-7-13 11:02 AM
thanks for your help,but for common gate mos,it works as res scalar,the ri equal 1/gm + rout/gmro,not (1/gm)/gmro,is that right?
作者: tuza2000    時間: 2010-7-13 11:43 AM
you means that M3 act as diode,so drain res is1/gm,to the source the res equal (1/gm/gm*ro),is that right?
作者: tuza2000    時間: 2010-7-13 02:02 PM
0837:the left pmos diode‘s gate should connect to m6 gate?
作者: 賴永諭    時間: 2010-7-13 03:37 PM
回復 31# tuza2000
6 {/ }: W  D, ]3 Q8 I3 c0 L# G$ f5 y9 s0 n* r
/ B0 D1 d' W# f, X: N) P5 ?+ I
    Yes~~~~. U! l3 G2 U  p3 c+ _9 j& ?
    You got it~~~
作者: 賴永諭    時間: 2010-7-13 03:49 PM
回復 32# tuza2000 . [) j( x4 l9 R% b7 H
3 j% Y6 X  x0 _; ^6 w2 A, c, M5 i& s
" [0 C& U: _- g5 W
    書上有提到M5~M6 and M9 gate 電位相同,  bias電位數量少一各...
, O' I# O+ l: L' a' y* C) g; |Please see the sansen's book., d- y7 m& m9 i! S5 h. u
thanks!!!) v) I" t2 {$ }; v: i% Y- S
7 X6 {1 I) e0 z  z" f
補充內容 (2021-9-1 12:37 AM):& l4 C/ @3 k7 W6 T3 I& d( f. |- N3 Q
是的
作者: 賴永諭    時間: 2010-7-26 01:39 PM
slide 0118
1 z& r' s: b# |! H圖上VBS應改為VSB比較合適..
作者: 賴永諭    時間: 2010-8-23 02:17 PM
Slide 0262
$ X" Y& m2 k5 m, X8 f 個人覺得應該是series-series feedback.(current sampling and voltage mixing )
) @( r3 q% ]9 k# {  l! Wthanks!!5 A. ^8 n! A/ m/ |  Q

; K8 g) S, L2 f1 _& M: ?5 j- g補充內容 (2021-9-1 01:26 AM):
2 f/ P/ l, e- |0 x3 X3 J更正說明～應該沒錯是shunt-series feedback, current sampling and current mixing;可參考1410
作者: bigben    時間: 2010-9-2 01:50 PM
是有中文的
6 ]! B* ^  j# z有些翻译不太准确 还是要看原版的啊
作者: 賴永諭    時間: 2012-9-11 11:28 AM
Slide 0148: 2nLVsat/u should be changed to nLVsat/u
作者: 賴永諭    時間: 2012-9-11 11:46 AM
Slide 0128: Symbol 似乎有劃錯 且PMOS 小訊號source to drain current should be changed to + \# j. {. p8 H) S
gmVsg ,不過Fellow Sansen 可能有自己的一套解釋方法~~
作者: flywb    時間: 2012-10-24 08:40 PM
这本书很不错啊，刚看了一部分，内容主要都是JSSC上的~
作者: 賴永諭    時間: 2015-12-11 03:01 PM
slide 154
* m5 J7 \) O% y9 w3 T, n$ }A gain of 1000 is expected." K' e6 U; \) S/ C/ k/ E3 i
=>應該是 A gain of 100 is expected.
作者: 賴永諭    時間: 2015-12-31 05:24 PM
Slide1524: 3 {+ u2 Z. P/ J# `
Slide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro14 D" M" g3 M( v0 Q8 m- S8 M: w

1 X: B' f  ]- v& b$ m! _/ G補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):$ K9 K, Z: r( F1 H1 N
Slide1524: iout/ic=1/2gm3ro1; V5 `0 u: S8 `2 ]
, m, U0 `# w& v, Q
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):+ s& P/ X4 T- s, T( f
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
作者: 賴永諭    時間: 2019-1-8 08:10 PM
Slide 1312:
6 l8 u* v! ^& _( ZInput shunt: Current mixing輸入電阻變小
3 \" r# _" k; y1 `Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
5 |+ z1 B2 a0 d/ n4 T. bOutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小, K! r$ }9 d6 R. F
Output series: Current sampling輸出電阻變大
5 s, \' I, V9 _+ _' i, L, f4 z) F
作者: 賴永諭    時間: 2019-1-30 11:14 AM
slide 0731) c/ }2 j' M" R  T9 z
需要4各bias 點~/ T$ m- s/ {6 d' h  R) z! F" d( V

2 P$ W" {1 ]5 g1 y) c9 @# p' kside 0732
* f" c* K5 H7 G4 L# W, |; u只需要3各bias 點~5 g( }$ p2 Y) @! Z2 J; {$ k( ~6 L
M2 D 端的極點比slide更遠
作者: 賴永諭    時間: 2019-2-12 04:46 PM
slide 097
2 N8 K' c3 o; M" LIt is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
( O( }  n. w9 w; Z# @depending on the phase margin required.5 G5 W9 |7 w+ _& j; V9 D6 g, {9 F& o5 h! U
=> 更正3 P" N. @) m- A
It is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
  ~0 O. l: F4 [1 T1 Y% jdepending on the phase margin required.
作者: 賴永諭    時間: 2021-9-1 12:36 AM
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM: `6 q8 X) x1 i
回復 32# tuza2000
2 s1 Q4 p- A! u) l
上面說明有誤～9 H8 i* b  ?  h, O  Q. z# \
實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接
$ Q% z2 B3 k& U7 j, m) g
作者: 賴永諭    時間: 2021-9-3 05:27 PM
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
, ?. M3 x0 t, i# vCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻* Q5 f+ D; ]8 ?. y' U! M
所以Rm增加beta
作者: 賴永諭    時間: 2021-9-3 07:45 PM
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3)- |0 l" i  u& E
Ref: silde2219 1 k# f0 _! f+ H- ?
Start-up of oscillation 可知
作者: 賴永諭    時間: 2022-3-30 12:22 PM
Slide 025
& Q% ]2 `& @' V/ ^# X* nNoise will be explain in detail in Chapter 4.
作者: 賴永諭    時間: 2022-8-5 12:03 PM
slide 04444 E; p; {/ q, A( h3 k+ [8 u. f
Noise of a current mirror with series R:% n* }% a+ {" \) c
前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!8 `+ L. x% M. x* C0 `/ d
還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~& [8 i1 m7 K$ A& D0 ?
謝謝~~幫忙回附一下
: ]/ I8 R/ ^8 @! {% \# s7 u
作者: 賴永諭    時間: 2023-11-10 05:05 PM
slide 0513
6 R, i; V4 J2 X* y7 |分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下/ P1 a) `" Y0 k. b, r9 M. {2 f
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。) v& h: {! J* s
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。9 I, t2 g2 s9 z( l/ g, H0 x
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。
作者: 賴永諭    時間: 2023-11-10 05:07 PM
slide 0513+ T" G8 z, A; t( M- T
分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下
0 o9 l* f7 M  N& {5 t" S( ?1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。) |; Q2 Y2 U, n( J. o
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
/ k; @0 A5 i% X3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta；只有DC gain=1/beta。
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-4 03:59 PM
slide 22228 s/ Y) M! m- m7 [
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
- G, x& s+ O1 _% Q7 p) g
- P4 _/ H  x6 w/ c# C! _% k4 Z=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2* s* V! `. f& t9 h) B) c  o- w5 {
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻! G) X* u1 @, a6 ?: T! y$ U
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)& K; _  V# M/ M  m* c
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-4 04:00 PM
slide 2222' {, t; G! \. |
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
- V) j# f9 B+ G$ O4 j
% C$ K$ t) w# w8 X=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
4 [$ z3 a4 X, t  C3 i+ \; @& N用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
. ^# v2 K2 e# z" a所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
# e3 B9 i( Q2 g. M  ?0 E$ @
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-4 04:00 PM
slide 2222  a) E" n/ O1 [8 o' H* J
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
2 L* C, w: {+ I
. O+ c" R1 P0 l=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2( U; ^/ W9 l2 M$ x1 {% c4 H- U
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻0 X2 B& Y0 K5 ~
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)8 W6 w: S8 g  M3 @4 ]
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-4 04:01 PM
slide 22226 B; ~% m' Y5 D0 U+ T/ M2 m
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)8 |9 b  r" _, K1 Z

/ X2 H' H. e' M7 A; j) Y1 m8 u=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
# l; y8 m& o" a8 X2 c5 }用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻
0 v( C1 o% F+ r7 u: m, R所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)& O# D/ h* m. i' t( k% ]/ t% n
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-6 11:07 AM
slide 2264 Calculation of gmA( _/ n  G4 e9 {# y/ l" [( J3 R
+ \0 o3 q6 y! O4 \3 _/ Z
gmmax 應該是C1WC1/2C3+ T' G4 M2 p8 \7 ~

* B% }& X& @$ u0 D=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-7 05:51 PM
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM3 P0 Q9 ~: v5 I8 A4 d1 |2 E4 B6 g
slide 22227 {7 b; l$ r) ?* ]5 U2 B! n) I; ]
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)

* n1 h- m  v6 \9 _2 g* @gmA~ 4RsCL^2Ws^2
# r: y, t& Z: l% Q( Fand 4WsCL^2/QCS6 K  u" |8 w6 N* \4 q0 L
& G+ f; J$ H3 s* ~; x* `

  q, `1 H' O  K8 _; O7 T& Y
作者: 賴永諭    時間: 2024-4-30 10:52 AM
RIP ' x1 p  m7 ^+ b. [8 g) n/ A

- ~' @, ^5 @( E; P$ SIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)
; \$ Z2 U7 e  [# T$ a; ~0 }5 K3 c  {, s
https://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
作者: 賴永諭    時間: 2024-6-4 10:22 AM
Design of Crystal Oscillators
6 m- C3 a0 [( m3 n5 I/ Vslide 2255補充資料：Two stage ring oscillator analysis
) Y6 c7 u; k' U* h, s% e
( r+ k# x- K( `* d& {) h4 Thttps://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing
# b2 Q4 a1 Y- D8 D2 y1 L7 N# P. ]
作者: 賴永諭    時間: 7 天前
Update 文件~$ w( k* y) b3 e% b8 j, T$ `: t
Two stage ring oscillator analysis$ E4 `  {5 h/ G7 L; |/ O6 z" {9 J
作者: 賴永諭    時間: 7 天前
Two stage ring oscillator analysis文件上傳~~. I7 p' \# @: @& n1 E, [/ @
作者: 賴永諭    時間: 6 天前
本帖最後由 賴永諭 於 2024-6-7 10:05 AM 編輯 * m5 H# [: w1 d' a/ A: q
賴永諭 發表於 2024-6-6 11:16 AM% u) s/ q. I3 h% Y$ T5 i
Two stage ring oscillator analysis文件上傳~~
9 }/ M0 F, o' C8 i! e
Two stage ring oscillator analysis文件上傳~~
$ N. Y) L/ W5 W  l2 S



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