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標題: Sansen讀書會... [打印本頁]

作者: 賴永諭    時間: 2008-11-10 03:11 PM
標題: Sansen讀書會...
剛剛看了一下Ch1...,好像有些許錯誤的地方哩...& e, U: P9 G  B) w( u0 U  H$ ]
Slide 0129: gmb 電流方向(Bluck 接地時S->D,if Vbs>0, 電流由D->S) ) p/ Y, J$ Z' N' d& `  p  p. C# v
Slide 0134&0136: 應該是VGST(VGS-Vt)~0.2 V
3 P* k! T) o+ a* p& m 歡迎大家踴躍討論一下...剛剛開始閱讀
作者: lynker    時間: 2008-11-11 01:37 PM
我看的是中文版的,摟主看的是英文的還是中文的?$ B; R. M$ K1 t+ g& R8 D- C
�面是有些錯誤,我也剛看完第一章,還好基本上都是字母的錯誤還是可以容忍的。
作者: 賴永諭    時間: 2008-11-11 04:41 PM
我是看英文的...( B2 a* i" {' M* [% d' _6 B* S' ~
因為有些式子或許字母打錯..9 M5 i& ?0 C. B
所以讀起來就卡卡的哩..../ h# v' q: u: U8 P$ u! v. d" ?
Slide 0148: 我覺得transition voltage式子好像應該是2 W; M4 V7 f: N- f* ?. k
(VGS-VT)vs=1/2theta
# M6 J* h- L& A1 d( M不知道你的看法是???- B4 l: }) I% n+ l6 g( X( F
Thanks!!
作者: hyseresis    時間: 2008-11-12 10:28 AM
標題: Sansen讀書會
Sansen這一本新書有中文的嗎????(藍皮封面)
9 J. H3 F- v0 {$ Q& S) DSlide 0129->我覺得是沒錯
! @/ o. Y( J, p3 f7 pBluck 接地時應該是D->S
/ g- w& u; ^; C8 P/ V2 `4 j如果Vbs>0, 電流應該是由S->D( ]: ~, z8 d4 W3 z
Slide 0134&0136->我要在看一下
作者: lynker    時間: 2008-11-12 11:57 AM
標題: 回復 3# 的帖子
確實是1/2theta,估計是計算VGS-VT的時候少算了一個1/2,你看書好認真啊。
; h$ T1 D6 ]' ^3 u6 T" u( i1 |# x6 \  M  f6 a( K
[ 本帖最後由 lynker 於 2008-11-12 12:01 PM 編輯 ]
作者: hyseresis    時間: 2008-11-12 12:44 PM
標題: 回復 5# 的帖子
>_<...沒想到真的有中文版,我真是孤陋寡聞啦...8 Y& N; h- p2 f- p3 M. h
sorry阿...大大...
作者: 賴永諭    時間: 2008-11-12 01:56 PM
標題: 回復 4# 的帖子
Dear ~~* Q& b0 [  n' E9 H
我的看法是:' t6 U8 c( O% j/ y' d) y
Vbs增加=>Vth減少=>Id增加...所以gmb=Ids對Vbs偏微分...所以方向應該D->S(Vbs>0)
" X3 Y* V5 N( ?9 y7 p2 }根據Razavi看法...p35: q5 |; h) k0 p" V0 k
Note the gmVgs and gmVbs have the same polarity.i.e., raising the gate voltage has the effect as raising the bulk potential.
$ m4 r) |% x, S你的想法是??
0 Z2 R" p; Y! i* N8 f, \2 s! C歡迎一起討論>>& L5 p* l# G) H. f9 o: `
Thanks!!!
作者: 賴永諭    時間: 2009-3-19 02:14 PM
Charp22章
% D/ p! V' d$ v* P2219! J0 f3 L5 w3 s; c4 C# e
有錯誤的地方...
+ f# R, |, O* s& B, L看投影片的地方.... 圖裡面...4 X& k* t- V$ q
Zs應該成為Zc......
, O" e' j0 y5 [) K7 C4 ^大家注意一下...
4 k; V5 ?6 [2 ]. r! e; B歡迎大家一起討論哩......
作者: 賴永諭    時間: 2009-3-23 04:38 PM
Dear~~# d/ b3 s- {! D1 r4 ?
Slide 2219: Start-up time 應該是2*Ls/Re(Zc)+Rs.....
+ H3 }# K* k+ l2 @. x% r, U應該要2倍哩..4 g! Y- P7 |: M; q% h
Slide 2222: gma=4RsCLCLWsWs...少*4哩....0 F. `$ Y  D' a4 p  k/ w
還有Rb>>1/(RsC1*C1*Ws*Ws)吧.....
' T4 N. M5 ^, A歡迎討論!!!!
6 Q5 ]3 I. C! x6 F% |& X6 |/ U- y3 z" i: n7 K$ `
Thanks!!!5 d# f% h+ H: @. A$ g- L

  C. E' M7 I& b. C4 k) R[ 本帖最後由 賴永諭 於 2009-3-23 04:41 PM 編輯 ]
作者: 賴永諭    時間: 2009-4-7 03:07 PM
Dear~~- v% Z4 o) D6 L6 l' l
Slide 1915: It should be double the value of all ground and series capacitors.
7 @. C/ Q0 l8 q) |  A2 iThanks!!!!
作者: fcchang    時間: 2009-4-20 01:28 PM
有誰知道這本書中文版哪裡買啊6 F: }+ F* Q, k7 n
看他的講義就覺得很棒了,現在又看到有書可以買
$ g# x8 v8 w4 q5 Q& a有誰可以告知?
作者: chungming    時間: 2009-4-22 12:19 AM
slide0129  的確是有錯, 如大大所說的才是對的2 K: Y" g+ W8 f" j' r3 c! V: ]; O
slide0134 我不太懂大大的意思?您指的是解說的部分嗎?那邊我也覺得是作者寫錯
4 L8 \0 k, x5 _! k3 r                   slide內容也有錯,Idst是for pMOS才對,作者寫 for nMOS那Idst應該是5uA左右
8 \% P, B/ i1 f1 k+ y5 m# ASlide0148 我倒是覺得沒錯
2 k. p  ?8 G; A                    我是用  Ids,sat = KP/2n*(W/L)*(Vgs-VT)^2  和Ids,vs = KP/(2n*theta)*(W/L)(Vgs-VT)0 p9 O1 i- y9 r. I9 ?3 Q7 x' k4 m( F
                     Let 這兩式相等 , (Vgs-VT)vs就可寫出=1/theta3 M2 V2 g/ S2 j
其他19,22章我沒看不知道1 Y$ b8 D9 J( ~5 F4 O. f( n
. G' R8 g/ j% K0 x- q
感覺這本書錯誤不算少,第一章其實還有一各怪怪的地方 ,像是slide0117,0119算出的電壓都不對...+ t4 M; ^% {: E  |, D2 p& u# q& |
書中很多都是跳耀式的思考和解說,剛開始我是滿喜歡這書的內容,但讀了一陣子之後總覺得有一種不連貫的感覺.
. O+ {  `% G$ J9 s( U他的小信號真的滿不錯的,很直覺) s: O9 ?. @2 `8 n  U/ @( Q
不過後來倒是找到這個作者有出過另外一本不錯書
3 ^# c' w6 M8 V2 c5 rDesign of analog integrated circuits and systems - Laker, Sansen
0 A' R0 {. ]0 L裡面公式推倒的滿詳細的,對回受和頻率響應部分部分"好像"有詳加解說(說好像是因為我還沒看到那邊,只是先翻一翻)
. E& \0 d/ ~! s& Y- g- z( a大大們也可以去看看囉
作者: 賴永諭    時間: 2009-4-22 10:43 AM
Dear~~
, X* X9 m3 ^1 V8 |' rIds,vs = KP/(2n*theta)*(W/L)(Vgs-VT)~
; c0 m) c8 ]; ]1 c/ P8 j+ Nsee Slide 0146
- u/ ^, v9 `4 c* s( d7 P- V2 lIds,vs = (Kn'/theta)*(W/L)(Vgs-VT)' N+ ]( H1 h0 B* I
so ....check it again....
; m  o% A- o2 \: L1 Ythanks!!!
作者: chungming    時間: 2009-4-22 08:14 PM
kgbriver 大大你好, I- E% s( W3 e0 a+ j3 ]$ i! }- t
我在另一本書上的推導的確如大大所說..........
2 ?" c$ r, d& o7 k. i, g是1/2theta: [) I+ k  P( ?8 W# B- O, A  `
要找一下為什麼這邊哪裡錯了@@
+ x( Q, G9 N: Z1 h7 [感謝指正 ^^
作者: 賴永諭    時間: 2009-4-23 01:48 PM
我個人覺得他的書要配合他上的課會有比較大的效果,
/ a" @! s6 V( Q5 d" y9 w像自己看的話,我會發比較多時間想一下他說的東西與概念...
4 T1 i& G( n( @所以事實上他的書並不好自己看哩...我覺的有老師帶著敎會比較好哩
9 L7 i% D/ p/ Q5 W6 |台灣好像還沒老師是敎這一本哩....
作者: donothing    時間: 2009-5-15 09:54 AM
想請問一下" r2 ]. e; t) u; @6 D& B0 \8 U- |
在bandgap那章 16113 r$ @" h' |& P" E- ^
有提到 Ic2=A/R2  A=KT/q * ln nr =0.12V8 v: }& r: m8 K2 h# V

0 V+ t: v7 @( `3 A6 |6 y+ N! p% X4 {在第四行式子中 R2>>1/gm2 R2Ic2=0.06V gm2R2 =2.32 g  @% g( h9 X5 U6 o
$ L* U; P# z+ P
這是誤植呢 還是有特別的涵意 1 b2 Q8 |1 d. G: d+ F$ z, |) g' r
另請教各位大大  gm2R2 應該 4.6 吧
% B7 _: L6 }& z: V$ u但是我只能推出是 跟 gm1R1 =20 比較得知
' x7 W& C) G" R" |- t但不曉得gm1R1 為何是 20 有請各位告知
作者: 賴永諭    時間: 2009-5-19 10:03 AM
最近比較忙哩,今天會研究一下,再上來跟大家分享一下...- s  M+ Z; z5 L! `; O' n' {
thanks!!!
作者: 賴永諭    時間: 2009-5-19 11:46 PM
在第四行式子中 R2>>1/gm2 R2Ic2=0.06V..... 我想應該是寫錯了吧(0.12V)8 F, t+ K4 m5 w1 ~: s8 f
..gm1R1=Ice/(KT/q)*R1=0.5V/26mV=20
& J' L# V4 c0 \1 m0 Q6 A* Q+ V) ]了解嗎!!!
* c8 W0 y" |) F; \# _  J1 y. bThanks!!. p; _, V8 r. R( V# m
Kgbriver
作者: 賴永諭    時間: 2009-6-16 01:11 PM
slide 1813
/ Y' x- Q5 v# _/ k# e) }  i* o由圖可知 baseband應該是3MHz,2 p1 F' f$ c! P- b+ S
HD2 6MHz7 m' o3 \* p2 b+ l
HD3 9MHz
$ r+ e1 U4 X0 J* \thanks!!
作者: garyinhk    時間: 2009-6-16 05:07 PM
好厲害啊~
' @; K% w1 D# a  |已經有中文版了~有時間去深圳買一本了~王志功審校的~很不錯哦~
作者: garyinhk    時間: 2009-6-16 05:07 PM
好厲害啊~已經有中文版了~有時間去深圳買一本了~王志功審校的~很不錯哦~
作者: semico_ljj    時間: 2009-6-17 11:12 AM
是简体中文版!
作者: semico_ljj    時間: 2009-6-17 11:13 AM
可以在、网上直接下载扫描版的1
作者: 賴永諭    時間: 2009-6-20 10:06 AM
建議還是看原版的書會比較有感覺哩
作者: 賴永諭    時間: 2010-2-8 03:28 PM
推薦slide 1979...
( F& r: q8 ]+ i/ t2 HFilter的比較圖喔....+ ]* N% A4 L9 ]  O$ ]) l+ i
最近有點荒廢點(在K別本書),這本Sansen還沒k完哩....過年在K一下...0 W+ \, x5 b/ {2 `
看有沒有新發現哩.......
作者: 賴永諭    時間: 2010-2-8 03:29 PM
推薦slide 1979...
' G; ]) |) t6 C: F( e) \Filter的比較圖喔....
& `) Z: I$ O% z  m/ R1 e( p最近有點荒廢點(在K別本書),這本Sansen還沒k完哩....過年在K一下...
0 c% Q4 {; I, V& B$ g看有沒有新發現哩.......
作者: china.linrong    時間: 2010-3-21 11:09 AM
有中文的,我们学校图书馆刚买我就借到了。感觉是有些小错误,但是还是很有用啊,对设计有很大的帮助
作者: tuza2000    時間: 2010-7-7 09:40 AM
slide:0732 M1 see 1/gm but M2 see 1/gm divided by the gain of M3 gm3ro3, why?
作者: 賴永諭    時間: 2010-7-9 06:42 PM
從M3 drain 看進去的電阻是  1/gm3 ,then 考慮這各電阻值之common gate input resistor 及可估出來(可參考Gray的書3.3節)" T7 J( h6 n* D( h* K4 {
thanks!!
" D; j- {- D  f. @1 Z7 k
5 ~0 ~( t/ P/ V9 W# C$ @3 t補充內容 (2015-4-21 12:41 AM):
9 S2 }6 N* t' E! y5 W( h修正說法~~' V% N5 A: B8 ?$ _5 s! |% {: d
1/gm3/loop gain and loop gain approximation gm3ro3
# _: F) g5 N6 D) s3 k; c# VThanks,
作者: tuza2000    時間: 2010-7-13 11:02 AM
thanks for your help,but for common gate mos,it works as res scalar,the ri equal 1/gm + rout/gmro,not (1/gm)/gmro,is that right?
作者: tuza2000    時間: 2010-7-13 11:43 AM
you means that M3 act as diode,so drain res is1/gm,to the source the res equal (1/gm/gm*ro),is that right?
作者: tuza2000    時間: 2010-7-13 02:02 PM
0837:the left pmos diode‘s gate should connect to m6 gate?
作者: 賴永諭    時間: 2010-7-13 03:37 PM
回復 31# tuza2000
# s6 M& R6 ]# j
! l) m) L, Y, H, f3 z, v% O1 ]* I' W- y# W/ C# [) Y
    Yes~~~~4 |+ ?# T7 U9 b, u/ ]
    You got it~~~
作者: 賴永諭    時間: 2010-7-13 03:49 PM
回復 32# tuza2000 . K/ u1 a0 m9 x( C9 r& k. }

1 q% z6 e2 n% W' ^$ h0 K, c/ w; I0 T3 F* }
    書上有提到M5~M6 and M9 gate 電位相同,  bias電位數量少一各...$ i% g9 F' c& u8 o7 c
Please see the sansen's book.
* u' H# ~% i: |: A+ L* {0 R- W7 @thanks!!!
' E* C0 C. v2 h3 r$ e! Z! O6 W3 O. o$ G
補充內容 (2021-9-1 12:37 AM):
6 X  Z& J! J  J是的
作者: 賴永諭    時間: 2010-7-26 01:39 PM
slide 0118
. L5 r# M8 M# Z: y/ D圖上VBS應改為VSB比較合適..
作者: 賴永諭    時間: 2010-8-23 02:17 PM
Slide 0262
- B% y" y5 b- v* I 個人覺得應該是series-series feedback.(current sampling and voltage mixing )1 V) u) Y4 n3 o1 \
thanks!!
5 i# E4 a% [& b4 Q+ q8 a6 z" v' J+ t1 a
補充內容 (2021-9-1 01:26 AM):1 S# n+ A0 g) C: t* V7 I
更正說明~應該沒錯是shunt-series feedback, current sampling and current mixing;可參考1410
作者: bigben    時間: 2010-9-2 01:50 PM
是有中文的
9 ]1 a% }) m8 Q! t2 \. I有些翻译不太准确 还是要看原版的啊
作者: 賴永諭    時間: 2012-9-11 11:28 AM
Slide 0148: 2nLVsat/u should be changed to nLVsat/u
作者: 賴永諭    時間: 2012-9-11 11:46 AM
Slide 0128: Symbol 似乎有劃錯 且PMOS 小訊號source to drain current should be changed to + P8 S  G# |) n& D
gmVsg ,不過Fellow Sansen 可能有自己的一套解釋方法~~
作者: flywb    時間: 2012-10-24 08:40 PM
这本书很不错啊,刚看了一部分,内容主要都是JSSC上的~
作者: 賴永諭    時間: 2015-12-11 03:01 PM
slide 154, p: v! U- I1 N* `) R3 P5 k
A gain of 1000 is expected.% \/ o2 U1 I+ a3 Q+ x) s4 c9 _8 T
=>應該是 A gain of 100 is expected.
作者: 賴永諭    時間: 2015-12-31 05:24 PM
Slide1524:
) ?  M( k# Y8 x# B$ s  A9 L* VSlide 0128 Vout/ic=1/2gm3ro1
  Z; \2 M) d3 m/ h4 p+ S! f5 r/ A+ h  y7 e/ I) A; [1 ^/ v
補充內容 (2019-1-8 11:06 AM):
6 {- t* Y- g% @1 x3 V' pSlide1524: iout/ic=1/2gm3ro1
/ W+ Q/ J/ N, E- t: T4 x* `7 E, S& y: r, |0 T) `$ |% L
補充內容 (2019-1-8 11:08 AM):; M; e, r/ r6 Y) ]# g' H( @' ^
Slide1525: iout/Vinc=1/RB*1/2gm3ro1
作者: 賴永諭    時間: 2019-1-8 08:10 PM
Slide 1312:
( Y0 |) q/ @9 g$ H" G' EInput shunt: Current mixing輸入電阻變小! F6 E2 q8 q& V+ W- l& o
Input series: Voltage mixing輸入電阻變大
0 m" S+ q7 Y! U  S* m0 e, t  X) G( fOutput shunt: Voltage sampling輸出電阻變小- W* k  X( A. C2 q  o
Output series: Current sampling輸出電阻變大
( I0 F( A4 P3 J0 _/ y1 b* m
作者: 賴永諭    時間: 2019-1-30 11:14 AM
slide 0731
: \+ B. `, W  |* f1 {6 Z需要4各bias 點~. `; F. J1 H  S
  |6 t9 ^5 u6 d( J& `
side 0732& }% g+ k" U  F" z2 w$ I1 v
只需要3各bias 點~
+ m# z2 Z) L, n6 G7 s2 R3 N( P- lM2 D 端的極點比slide更遠
作者: 賴永諭    時間: 2019-2-12 04:46 PM
slide 097, ^3 }* v  F: n6 O6 g! m/ R2 x
It is the output gm3 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
' ~2 m: j# f& q8 I/ V$ T5 X6 {depending on the phase margin required.
- \. `! ]2 X- |* n# E1 M=> 更正
/ E3 ]) Z. J' P6 c0 qIt is the output gm2 divided by the load capacitance CL. It is normally set at two to three times the GBW
3 I0 d8 f. E7 i' N/ g$ |depending on the phase margin required.
作者: 賴永諭    時間: 2021-9-1 12:36 AM
賴永諭 發表於 2010-7-13 03:49 PM
7 O! J. B2 j1 h( _回復 32# tuza2000

! j, H6 T: |0 s: G3 P* P0 E上面說明有誤~
! x7 R8 P& `& I! L$ G; w/ y實際上左邊diode connect pmos gate 與右邊M6相接$ p" L$ _8 M6 h

作者: 賴永諭    時間: 2021-9-3 05:27 PM
Slide 0346: Input M2 base, OUT M3 base(Series- Series feedback)
) E. M' m9 u' f0 _- T+ zCurrent sampling, Voltage mixing; 增加輸出電阻, 減少輸入電阻
) e; l9 I1 O3 ?# s/ A所以Rm增加beta
作者: 賴永諭    時間: 2021-9-3 07:45 PM
Slide 2264: gm max=1/2(W*C1*C1/C3), v5 U6 ^! H0 f7 _
Ref: silde2219
: q3 ?4 a- j+ S5 R& t6 V& Q+ IStart-up of oscillation 可知
作者: 賴永諭    時間: 2022-3-30 12:22 PM
Slide 0254 h  i* \( m( J8 p; a
Noise will be explain in detail in Chapter 4.
作者: 賴永諭    時間: 2022-8-5 12:03 PM
slide 0444" s5 M) X9 c+ ^
Noise of a current mirror with series R:
* z0 B) U8 U8 Z% G9 Y7 p/ G前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加而變大?!
+ i, V6 e4 ~6 q7 Y1 m還是只是示意圖來說明, 此時的電晶體noise 是大於電阻的noise~~~
& w- ^. [+ h+ r1 T3 ~% h2 ]謝謝~~幫忙回附一下/ N% I, c, p; V

作者: 賴永諭    時間: 2023-11-10 05:05 PM
slide 0513
1 ?0 C: K: F+ F' q" R分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下( R: G. t6 W1 k! q. ?1 }# k; M
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。- b+ Y. ^' f+ Z& [, b. [& p" C1 _
2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。( c7 ], ~7 l2 }/ s) z/ @
3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
作者: 賴永諭    時間: 2023-11-10 05:07 PM
slide 0513
3 {5 D- W, a# U% J( k& ~分享一下~~這張Gain bandwidth說明如下5 m. L6 k+ E# l9 J+ _  ?
1. 當接成回授時beta=1, 其-3dB 點的頻率就是loop gain =1 的頻率。
0 C8 @' H, _2 f2. DC gain*-3dB bandwidth=GBW。
/ W7 {0 X$ n; R# p' V) `3. 當接成回授時, ex: beta=1/2時, 其DC gain=1/beta; -3dB bandwidth=GBW*beta, 只代表在這個-3dB bandwidth頻率下, gain 最多掉3dB, 並不是在這個bandwidth 下 所有頻率的gain 都是1/beta;只有DC gain=1/beta。
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-4 03:59 PM
slide 2222
- @) W) C* y0 q  pVerify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)- p( [% v; U2 e% r0 p* ]

: N9 ^; ~" i( I" i. j$ d3 I=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
6 }, `8 B: n; L4 P& k+ [9 `+ O用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻5 N* i5 R. c" W8 w& M% y/ `
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)5 T1 i) E1 t& J, c4 H

作者: 賴永諭    時間: 2024-3-4 04:00 PM
slide 2222. W9 x/ m  O8 v% J7 N# n# h
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)& \) O: D2 F  S+ Y

: a+ a8 g% b& k* h4 ^2 a: a7 O=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2+ B: V7 _; \8 T: d) |2 {0 R
用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻% W) z4 m$ J# s* t
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)* K2 c9 D! E6 ~! H% C. h

作者: 賴永諭    時間: 2024-3-4 04:00 PM
slide 2222( X- h. x  y; Z8 e- s
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)" W  M1 T/ |9 y! i; N; D/ M
9 A  L- y1 ]5 B' s
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
! R4 e5 u% ~( K5 {- j1 B用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻* ^. S) V+ l  G( g" `
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
. T: c3 X" X8 u! s0 w
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-4 04:01 PM
slide 22225 O$ m1 x8 e/ O8 H/ Q& m' I# ^1 R
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2); Y4 E+ ~9 C# g+ W7 x( J
5 d0 N/ v( N- L* |  [
=>說明如下, cmos 負電阻~gmA/Ws^1C1C2
' G* G# U& Q9 e( B1 ?用RB 來biasing 應該要大於1/gmA 電阻- H% Y1 {5 I8 L  H1 t. D
所以RB應該大於1/(RsC1^2Ws^2)
9 f6 S: S1 ]* d
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-6 11:07 AM
slide 2264 Calculation of gmA- y9 C; u0 C  U4 F* h2 q
$ K8 Q) F, n3 t3 j
gmmax 應該是C1WC1/2C3
" d* ^( a! n. {( ^0 d1 v4 ~4 i3 J# |9 V5 d+ ?& W: _
=>ther/2=gmax/(Ceff x ws)^2可推算出來
作者: 賴永諭    時間: 2024-3-7 05:51 PM
賴永諭 發表於 2024-3-4 04:01 PM
8 O; `7 |. B# ]  Nslide 2222% `, H% e' ]9 h% T: O( o( O0 i$ P
Verify that RB>1/(RsC3^2Ws^2)
0 `* H  R. S1 r( `
gmA~ 4RsCL^2Ws^2, S; [# s* x: i5 t' @2 `
and 4WsCL^2/QCS; M7 y4 P/ k' f9 D
. E: _# b+ S# j' @
, U6 Z# W1 z6 s

作者: 賴永諭    時間: 2024-4-30 10:52 AM
RIP
( f- v7 U( \: H* G; r; ^% H4 T
0 n6 d/ L5 v% ~* @* hIn Memoriam : Willy Sansen (1943-2024)! R8 W8 |& @2 F/ K1 {" s

! R; k3 V- `: V" ~/ l" ]  Mhttps://bbs.eetop.cn/thread-968254-1-1.html
作者: 賴永諭    時間: 2024-6-4 10:22 AM
Design of Crystal Oscillators
7 [- I0 ]+ Z+ K* ?, O  Xslide 2255補充資料:Two stage ring oscillator analysis- g: t: o. ~  L- @
+ L3 }; @3 S  ]/ o! |% {2 V% i
https://drive.google.com/file/d/ ... Hq/view?usp=sharing
- Y& L" R' y  Y, H
作者: 賴永諭    時間: 2024-6-6 11:12 AM
Update 文件~0 Z, w; U- q. y# e1 i! u
Two stage ring oscillator analysis
' d9 ?7 B+ \* i( P% Y
作者: 賴永諭    時間: 2024-6-6 11:16 AM
Two stage ring oscillator analysis文件上傳~~
( Z% b7 b# |9 @- v) k
作者: 賴永諭    時間: 2024-6-7 10:04 AM
本帖最後由 賴永諭 於 2024-6-7 10:05 AM 編輯   i8 ?: U" `- s
賴永諭 發表於 2024-6-6 11:16 AM
9 N3 O# J& k) j$ P* H  C$ @Two stage ring oscillator analysis文件上傳~~
5 v2 g: p. Q: _  W0 j
Two stage ring oscillator analysis文件上傳~~
$ }, ^$ Y- R. @& U! d
作者: 賴永諭    時間: 2024-8-30 05:19 PM
slide 1010
% w# M/ i3 w6 d* x8 W' D
+ E% f  h' F. W" C9 q2 y8 U+ |7 AFor a CFB amplifier the open-loop gain is ZT and its feedback factor is 1/RF, making the loop-gain TCFB = ZT/RF.
" x: A% @* w" M4 ^% ?2 }- RThe signal bandwidth is determined by RF and not by the circuit gain.
! w. p1 w# i% y! ~) g$ hThe circuit gain is independently set with RS.5 Z. R( a2 I2 {8 A- K$ m+ S# \+ M" M
The signal bandwidth remains stable for all gain settings .
1 @. ?/ D9 Q8 r3 @6 `5 \Even for unity-gain operation, an RF resistor is required.+ l% \# }, V" f
The best practice when designing with CFB op-amps is to use the RF values given in the datasheet and to adjust the desired gain level through RS.
* J5 h7 z& q8 u5 R
作者: 賴永諭    時間: 2024-9-9 10:21 AM
slide 10203 e1 r  q! Y" l6 s- E8 `, W' r

* o6 a' K7 B( P2 V3 z% u5 {% ?; q(1) The closed-loop gain can be modified by changing RS, leaving the closed-loop bandwidth unchanged.
" P4 O3 h0 K6 q' T/ k/ t# Z! m+ s(2) For a given RF, frequency compensation can be optimized.7 ?5 e6 A! F* y3 f" U9 ]
(3)Suitable for high frequency applications.
4 }! F0 Q5 _; R! R6 o- R
作者: 賴永諭    時間: 2024-9-27 04:33 PM
silde 1557:
* z: V& G4 }/ g1. Input offset: Bipolar is better than MOS
9 D, u3 q0 W  fKT/C = 26mV << MOS Vov' B  H! R. u0 M, `. E3 ]. F& Y  ^
2. Mismatch 造成Randon offset 2 R: s$ F% X' k
3. 電路不對稱所造成Systematic offset
作者: 賴永諭    時間: 2024-10-17 03:43 PM
本帖最後由 賴永諭 於 2024-10-17 03:48 PM 編輯
1 x/ x* u1 g0 U* x/ M. s- y/ ]* g- c( z3 }+ F
slide 215-216
" d* Q) U& z' i1. Signal 的輸入雜訊直接到輸出
7 M+ t; X6 l0 V. O2. DAC 的輸出雜訊也直接到輸出: O; d9 [6 ]7 O4 ^
3. Quantizer noise 才有noise shaping 到輸出
作者: 賴永諭    時間: 2024-10-18 02:26 PM
slide 218+ L- @# t" G) r7 o" ~. R/ N
1. First order Sigma-Delta patterns in the output spectrum8 V5 Q" x/ X( a
=> Idle tones(pattern noise, limit cycles)1 k6 t8 ~9 _( O0 i$ j4 p
2. Second order Sigma-delta 輸入太大時還是會不穩定
作者: 賴永諭    時間: 2024-11-12 05:58 PM
slide 1756:
4 O0 n' ~' p9 \7 t  @) m
7 p% f2 u' \# ]+ j5 u1.SC積分器的BW=(Feedback factor) X Gm/Ceff' n# K' c1 P& [
2.Feedback factor=Cf/(Cf+Cs+Cp)=Beta7 ~$ r- p9 [- D5 C# Z7 R5 Z# k
3.Ceff=(Cf串(Cs並Cp)): Cf回授電容,Cs取樣電容,Cp 輸入開關電容求和節點處的寄生電容1 l! n+ K( G; d! t/ {
4.Integration期間的GBW=BetaXGm/Ceff
# k% `% f, H3 s5.Integration期間的SR=Io/Ceff(Io opamp 輸出電流)
3 v5 \( R! j. k8 N% Q( _2 n: `
. k0 B' f; P8 o' k( }
作者: 賴永諭    時間: 2024-12-12 04:49 PM
賴永諭 發表於 2022-8-5 12:03 PM
# i+ Y' P" w  `/ Bslide 0444
* Z$ C5 N3 Z* fNoise of a current mirror with series R:
! s3 t1 ?7 ^8 x前面的R小於1/gm時, 為什麼iout noise 隨的電阻增加 ...
" S" ]7 g6 Y* d. `
更新一下~~# R1 Q- U# N7 T$ y8 Y
(1)因為當R變小, 電阻的雜訊電流就不會流到輸出端了! K! f& ~2 `' B8 i3 [2 k0 F( c! p
(2)電阻的雜訊電流到輸出端分析8KT/(R2+1/gm2), 當R2夠大時, 則整個8KT/R2 雜訊電流全部流到輸出端; j9 \) m; i9 ~" V
所以前面的R小於1/gm時iout noise 隨的電阻增加, 後面隨電阻增加減少
9 N: F/ l7 U. }
作者: 賴永諭    時間: 2024-12-25 05:53 PM
本帖最後由 賴永諭 於 2024-12-25 05:56 PM 編輯
% d6 }) a9 i, v4 g9 S
7 s5 R+ `( M& z% i+ A2 L% Nslide 1524 and 1525
. `& g) m: Q1 d! E) p8 ~, ]" W& [
個人分析iout/ic = 1/(gm3*ro1*2)
作者: 賴永諭    時間: 2025-1-20 04:57 PM
賴永諭 發表於 2024-12-12 04:49 PM; D0 r- \0 U: |* {- R
更新一下~~
  c6 O5 ~. A5 j# \! k9 J(1)因為當R變小, 電阻的雜訊電流就不會流到輸出端了* ~/ l9 }6 v2 q+ @
(2)電阻的雜訊電流到輸出端分析8KT/(R2+1 ...

* j, |- }* v" Y1 v/ n更新一下(2):) ]" Q5 K% W7 n7 d
(2)電阻的雜訊電流power到輸出端分析8KT/R2*(R2+1/gm)^2
. S: F9 `2 Y: b2 n$ V" W/ K9 S' K4 }. P, b. u% ~- l* P

" z3 y, c- D, A5 R2 Q8 y! ?+ K
作者: 賴永諭    時間: 2025-1-20 05:31 PM
slide 1521:Low offset = High CMRR 可從另一觀點來看# y. P$ v- J5 |: V) |! z0 {
5 E# _: I. u% Q2 ~; J( f
The ouput voltage change due to common mode input voltage variation is
5 `5 _6 Q6 g& O. ]7 p0 w- u7 s& m5 t" ^$ J3 N
ΔVo= Acm*ΔVic7 B! [0 j) O5 u; h

* u8 v- }$ m$ }To driver the output voltage back tp zero,we will change the differential input voltage by ( P; a  r$ _, N% n, s5 j2 V, }
* j2 @7 ]3 r4 k5 M" m0 b2 l4 Y; x
Voffset=ΔVid=ΔVo/Adm=AcmΔVic/Adm
# R- g2 q7 a5 b7 b7 Q+ H7 u) M所以Low offset = High CMRR0 n) s  K& D# F9 v4 T1 R7 R, l+ @

作者: 賴永諭    時間: 2025-2-21 04:59 PM
Slide 1518:
. [6 d! Q1 K- L( `! w5 b增加RB來增加CMRR可參考下面這篇論文
8 V2 e# d) V% T4 N7 sA hight-Swing CMOS telescopic operational amplifier
6 B/ H8 [/ Q6 U" e" N$ x8 s(D: Concept of Replica-Tail Feedback Tecnique)




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