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標題:
少子注入源？
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作者:
minxia.lee
時間:
2008-10-23 11:32 AM
標題:
少子注入源？
在看版图书籍关于防止闩锁效应时，出现一个名词--少子注入源，请问各位大大，这个是指哪些，解释得越通俗越好，谢谢！
作者:
jauylmz
時間:
2008-10-29 10:29 AM
如果可以麻煩請您附上原文(英文)的說明，因為兩岸的用詞習慣有所不同，
/ T, |* v. X5 E6 [
H( W3 X3 e+ P# n( M" K+ o
所以 "名词--少子注入源" 不同於台灣的用法，多數人不易理解。
" C5 u$ g4 I, H8 t! G5 f% W1 _
% D) C* K; Z* a6 u9 \2 y1 o* c
用英文會比較好溝通。
作者:
toe
時間:
2008-11-2 07:28 AM
標題:
LDD?
我猜是lightly doped drain LDD
9 I" L" o1 F2 l- z# R8 {
" X, V& a' M. t( C) z" ~/ w
十五字十五字
作者:
semico_ljj
時間:
2008-11-2 05:09 PM
应该是LDD！见The Art of analog Layout！
作者:
lnxmj
時間:
2009-1-6 10:39 AM
標題:
我的看法少子是与当前sub相反的注入
我的看法少子是与当前sub相反的注入，如在psub上时,p+注入是多子，n+注入是少子
作者:
jian1712
時間:
2009-1-20 03:42 PM
標題:
回復 1# 的帖子
少子注入，在较大尺寸的开关管工作时有可能发生，它主要源于PN结的正向导通，因为瞬间的大电流致使MOS的source和bulk之间的pn结正向开启，向sub注入少子，这种少子注入容易引起latch-up,可以通过加guardring进行收集，如nmos可以在pring外面加一圈连接至vdd的nring进行收集，为了安全考虑，可以在nring外面再加一圈pring
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