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標題: layout三问题分析是否正确 [打印本頁]

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作者: zsf50400    時間: 2008-10-20 01:11 PM
標題: layout三问题分析是否正确
1 P+ply电阻、 N+poly电阻、hres电阻，我了解：hres电阻一般做在NW中来隔离，P+ply电阻也做在NW中来隔离，N+poly电阻直接做在衬底上。为什么N+poly电阻不可以也做在NW中来隔离呢？
2 底中压MOS，中压mos需要用DG层覆盖，低压mos不用DG层覆盖，如果把低压mos的guardring用DG层覆盖，这样是否可以，为什么？
6 v& E4 l, V+ @+ W  据我判断这样是可以的，因为DG层只对mos的gate区域起作用，是这样的吗？
+ c, z4 X4 O$ S$ F( D7 g3 对于mos，res，电容...在做option时哪些必须用metal短接，哪些必须把另一端悬浮起来？
+ u! T: L! Q: C! Q) E  据我了解，mos必须短接起来，特别时栅不可以悬浮，res可以悬浮起来，电容就不清楚了，但看到过由把MM电容的一端悬浮的，但这样大片的metal会收集很多的电荷？
' B* I3 ]% h$ b" X+ d6 y各位大侠如何认为呢？谁能为小弟分析下呢

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作者: arthur03226    時間: 2008-10-20 06:11 PM
1.請問您 Nmos能不能用NWELL改起來?答案應該是不行吧?
5 T0 e+ a* R) D( r+ }: E( K那N+poly res也是一樣，因為會漏電(N+ 與 Nwell會導通)
: N5 Y. y+ A3 Z8 B# ?3 S4 S# T7 D2.LVS PASS不代表做出來IC不會FAIL，這問題請與RD or PD討論。
4 }/ C  X; ^: |5 L) [3.根據我的經驗，不管mos res cap 要做option or dummy最好都把他們short掉。

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作者: 小包    時間: 2008-10-20 11:52 PM
那個~~題目我看不太懂耶，可不可以翻譯成我們這的說法~
很多簡體不打緊，我看得懂~
但是整句兜起來的意思，看嘸~

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作者: zsf50400    時間: 2008-10-21 03:28 PM
1、 N+ poly Res 也就是没有看到过... 但P+ poly Res 和 HRres放在NW中来是常见的；
) u$ x! r2 o4 b) s4 e0 R2 f
  |2 }2 L5 g8 [0 v/ I2、LV MOS not used DG(RPO)，MV MOS used DG(RPO)；
Guardring of LVMOS  used DG(RPO）？What is the matter if guardring of LVMOS used DG(RPO)？

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作者: skeepy    時間: 2008-10-21 05:20 PM
1.N+POLY N+DIFF Res把它想像成NMOS都是用PRING圍起來，
   P+POLY P+DIFF Res一樣把它想像成PMOS用NRING+NWELL
圍起來，至少我是這樣想的，HRes有的只是用DUMMY RING起來。
; l: L, V: S4 L7 Q0 f7 T1 P, @2.RPO?看啥製程。
7 A: i, k, Z( ]( y4 t0 x2 \3. DUMMY MOS浮接就看RD的需求囉，若GATE共接時不希望DUMMY
  MOS的D/S 接到同電位，所以呢DRAIN是浮接的，RES CAP一般不
( p4 w7 T, G' L 用時是希望兩端接到同一點。

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作者: zhdq_413    時間: 2008-10-23 10:35 AM
1．        這個我也有疑問，有點懷疑是不是 因為NW電位的問題
+ o0 b% n7 T9 n5 w2 e2 U- f+ K2．        我覺得好象DG好象不是RPO吧，他應該是一層調節MOS gate oxide 厚度mask

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作者: zsf50400    時間: 2008-10-23 01:45 PM
....他應該是一層調節MOS gate oxide 厚度mask....
  I5 x* W; Y% A2 X+ O
的确如此！他的应用如何呢？

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