2 O- ]; X% V ?, M* p! z ; L; W3 u' t P4 {4 D, \) z' Z5 F" n0 Z9 G+ _: Q" |% q5 |: `) o
[ 本帖最後由 sjhor 於 2009-3-17 06:06 PM 編輯 ]作者: Oo海闊天空oO 時間: 2008-10-21 11:13 AM
在CMOS製程中的Bipolar Transistor中 & i" z0 y4 ^1 p- x/ t+ H10*10,5*5或2*2指的都是Emitter size!!1 P* n4 E3 f* C8 j( a1 I( u
面積不一樣~~最基本影響的就是Is電流~~ / ?8 ?4 s' g, e- P) Q" m2 ]" J且Vbe=nVt*ln(Ic/Is)% N2 C# h7 Q* w, o
Emitter面積越大~~Is就越大~~, F0 E; U( p! D& K8 h( Q
相對的~~VBE就會下降~~7 G/ d/ I. A# w
但是三種的VBE電壓在corner TT的情況下,5 Z7 S& ]1 Z1 V
都在0.63V~0.72V間~~ * I2 B# u* _/ T3 Y" T8 s因此就看你自己的需求了~~+ E, b" ^2 R0 W
2 o" D! ~2 x# T% I8 v7 O# C% b如果有錯..還請其他大大賜教^^"作者: monkeybad 時間: 2008-10-21 01:12 PM
建議選5*5以上的比較穩 特性也比較好 做出來的IC每一顆之間的差異也比較小作者: zhuxiaoqiong 時間: 2008-10-22 10:32 AM
Oo海闊天空oO，monkeybad，謝謝二位的作答。( E& |. ^5 Q5 R2 G8 m$ A+ j
" m4 s4 \1 T. [5 r
還有點想弄清楚的是monkeybad所說的穩定和特性比較好，是什么原因？三種size之間的匹配度應該是10*10 >5*5> 2*2，但beta又是2*2>5*5>10*10，這種選取是基于這樣的折中考慮嗎？ % m6 \5 y- |% W8 k4 N5 M( C8 w. W8 H6 M- {' f6 Y
如monkeybad所說，我見過的bandgap設計都選取了5*5的size。作者: jerryhao 時間: 2008-10-22 04:02 PM
no matter select 10*10 5*5 or 2*2, there is no problem since it just be used as a diode. v+ i$ ]0 J* e$ O# h- h4 w {0 }but analog ic design is a trade off work. so select the 5*5 sample meet the requriment of area and match.作者: tony9211 時間: 2022-10-8 04:06 PM
比較新的製程有提供mismatching model後 # G+ ~; D5 ^! F1 GBJT mismatching沒有想像中的大 / G! s& ~) E q/ Y也許2x2已足夠
