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標題: 带隙基准电路 [打印本頁]

作者: airy123 時間: 2008-10-8 04:54 PM
標題: 带隙基准电路
现在有一个现成的0.6工艺设计的带隙基准电路，性能挺好的，现在要转换成0.35工艺，请问该电路哪些部分需做改变？
若是电路结构不变，需要调节哪些器件参数达到类似的性能？
请高手帮帮忙！
电路图如下：电流镜型二次曲率补偿的电路原理图

作者: finster 時間: 2008-10-10 06:36 PM
如果是0.6製程換成0.35製程,若架構不變,以Bandgap reference電路而言
要留意的應是電阻的溫度係數和BJT與MOSFET兩者的溫度係數變化
因為不同製程,它的機台和製程參數也不盡相同,以Bandgap reference circuit這類以溫度係數為補償的架構
所在意的是各個元件的溫度係數變化
故而,跑一下溫度的變化,然後微調電阻的比例值應該就可以了

作者: hujiaomianhao 時間: 2008-10-12 12:07 PM
电压应该也要变吧，那宽长比不用变吗？用.35工艺的话，工作电流不用变化吗？

作者: finster 時間: 2008-10-13 11:40 PM
我以前曾把0.18um的Bandgap reference電路直接用到0.13um的經驗
因為我們在設計時不會用到minimum length,所以,一模一樣的size,只是改SPICE model和工作電壓由1.8V變成1.3V
結果模擬出來的溫度特性和電壓蠻接近的,只需微調電阻的比例值
所以,我在前面才會說若是原本的電路已設計的很好,那由0.6um變成0.35um,其實,出來的結果應該不會太差才對,所以,若出來的電壓和溫度特性沒有很大的變化,那大概只需作微調應該就OK了
如果還有考量到size,那應可再等比例往下調

作者: airy123 時間: 2008-10-16 07:01 PM
標題: 非常感谢
很感动，感谢各位帮忙分析，学到了不少，我会努力试试的。
谢谢！

作者: semico_ljj 時間: 2008-10-28 01:10 PM
呵呵，0。6到0。35还是有差异的，如果L设计2um以上，差别不会太大！

作者: semico_ljj 時間: 2008-10-28 01:13 PM
还带曲率调整，精度较高，将来调整起来要小心啊！。。。

作者: fmgay 時間: 2008-10-29 07:16 PM
不需要怎么改动，最多改一下电阻的大小就好了
想问一下楼主：原来bandgap的最低输入电压和输出电压分别是多少？

作者: semico_ljj 時間: 2008-10-29 07:41 PM
前面为什么说L要>2um呢，因为2um大约是0。35um的6∼8倍，这样L的调制效应会比较小！

作者: semico_ljj 時間: 2008-10-29 07:42 PM
还有电源电压要保持一致，如果电源改为3。3V，那么就很麻烦了！

作者: 我也不知道 時間: 2009-10-12 09:36 PM
版主们真是热情呀，赞一下，有这样的版主，此论坛必定人气旺盛

作者: minijasmine 時間: 2009-10-13 08:52 AM
偶尔路过，一直看下来，受益匪浅。非常感谢楼上各位，呵呵

作者: mixsignal 時間: 2009-10-15 07:17 PM
怎么看不懂这个的原理呢，是由什么来产生带隙电压啊，有明白的给讲一下好么？

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