Chip123 科技應用創新平台
標題:
大家都来帮帮忙~
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作者:
minxia.lee
時間:
2008-7-15 05:34 PM
標題:
大家都来帮帮忙~
各位大大好,图中有一个esd和普通管,本人觉得不解的是他们的漏为什么都画比较大。
# b1 I8 n. y% U
我记得这里好像有人问过,但我找不到了,然后想知道有什么理论根据吗?谢谢~谢谢~[attach]4547[/attach]
作者:
super
時間:
2008-7-16 09:17 AM
"本人觉得不解的是他们的漏为什么都画比较大。"
- e& G8 d, H+ z/ V+ o' d
什麼叫做 '漏' ???
作者:
minxia.lee
時間:
2008-7-16 12:22 PM
drain mos晶体管的drain区~~~~~~~~~
作者:
arthur03226
時間:
2008-7-16 04:56 PM
esd rule 本來就會比較大呀~~
: c3 x1 Z O; J, M- P( @5 N8 {
至於原哩,實在是應該去找關於ESD的paper會比較快。
作者:
minxia.lee
時間:
2008-7-16 05:15 PM
那那个普通的管子也要这样子画呢?
3 o4 r1 X# `& k; X; T
~~~~~~
作者:
sw5722
時間:
2008-7-17 12:03 PM
通常普通的mos會照contact to poly的最小rule畫,像
0 y9 C4 }7 P4 f- l5 d
esd的mos通常比較大,甚至會在drain的區域做non-
3 v, c9 A* t% G, w8 P. n) g6 x
silicide(英文不一定正確),來增加電阻.
作者:
nebula0911
時間:
2008-7-21 04:42 PM
通常會使用 ESD rule 的 mos ,一般都是其中有一端直接連到 PAD ,為了保護 mos 能正常的工作,所以使用 ESD rule.
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