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標題:
Diffusion ROM & Via ROM ？？
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作者:
swamy
時間:
2008-5-30 09:24 AM
標題:
Diffusion ROM & Via ROM ？？
什麼是diffusion ROM, Via ROM?
/ `) Q6 N& @( v5 v* m! {) u- j! c
它們的差異在哪裡呀？
/ n6 b; @- `* {3 z
請知道的大大share一下！！
作者:
rogeryang
時間:
2008-5-30 04:57 PM
網路上查到的.參考一下:
1 ?) E1 C5 S" C& w$ v
"Diffusion ROM is based on VT change (using VT implant mask) => Hihg VT transistors not conducting, low VT ones conducting
. j5 g0 ?; G; Q: r1 H" d/ X8 G
VIA ROM is using via to "connect" or "not connect", resulting 0 and 1
3 }0 ?& u. e; M. g
VIA ROM may have bigger cell size "
作者:
teaman
時間:
2008-9-29 01:52 PM
以Mask而言，Diffusion layer 的製造順序比PLY前面，wafer
1 k, ]( ?6 k4 [/ H0 {
不能hold在此時，在tape out經常在最後關頭要換 ROM CODE的
- `; y% @, f5 G( N" Q1 c; y
project，選用Diffusion ROM是很不智的。
; h- R& f) d9 }! Z
但他有面積小、速度快的優點。
+ D0 ], w0 R1 P/ ^( v6 S# S
1 t( V6 \1 l8 R, a7 `
另，Diffusion ROM不是只有控制Vt的方式可以達成。控制Vt的
5 t0 o, @( Q" w( E+ d, n' e; s( ]4 o) Z
方式通常有patent保護，自己要design時候要特別注意，也要看
2 ~6 h2 i& d( m3 P- m7 m
你要投的fab有沒有支援此process。
! B: \/ Z$ f, D3 q0 H- _/ H
4 a9 v7 v2 k% y
Via layer 的優缺點跟Diffusion layer的相反。
9 O9 S" `- c; n1 i3 Y- S
' o( t% I) c( o/ v2 h: d2 P8 e g
[
本帖最後由 teaman 於 2008-9-29 01:54 PM 編輯
]
作者:
yslai1222
時間:
2010-7-2 10:20 AM
Diffusion ROM通常用在exteranl ROM; Via ROM 跟metal ROM通常是應用在embedded system; Difussion ROM的應用時間是ROM code真的很成熟的時候,這樣才可以gain到體積小而不用改ROM code的優點; Via ROM更改ROM code的cost則比較小
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