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標題: P-MOS 有什麼優點為什麼比N-MOS好 [打印本頁]

作者: tmacxjs 時間: 2008-5-17 10:08 AM
標題: P-MOS 有什麼優點為什麼比N-MOS好
P-MOS 有什麼優點為什麼比N-MOS好?
他到底有什麼迷人之處可以請各位先進幫我結答一下嗎?
是跟MOS移動的載子有關嗎?

作者: abeiptp 時間: 2008-5-17 09:43 PM
因為上橋PMOS的gate接到0就可以打開了,若用NMOS可能要用更高的電壓才能打開

作者: tmacxjs 時間: 2008-5-17 10:39 PM
但是要截止他要正電壓不是嗎?那只不過是跟NMOS相反而以?
要怎麼能凸顯她比N<MOS好呢?

作者: shaq 時間: 2008-5-18 05:51 PM
PMOS 的 Flicker noise 較小
Razavi 書上有提到喔∼　

作者: yhchang 時間: 2008-5-18 05:58 PM
除了PMOS本身的 Noise 比NMOS 小一點之外
有些電路之所以會採用 P-type 而不用 N-type 有可能是因為
用N-TYPE做可能會受到 Ground Bounce的影響如果改用 P-Type卻只會受到 Power IRDrop的影響
相較之下後者較佳. 因為在一般情況下 Ground的行為往往比POWER更加多變

作者: enjoymartin 時間: 2008-5-24 11:31 PM
一般除了电路本身要求需要PMOS外，其它的选择的理由应该考虑noise，当然。楼上的说法很有道理。

作者: engronger 時間: 2008-5-27 12:53 PM
1: it can has a low drop voltage, for NMOS, it always has a Vth drop expect Native NMOS. this is very important
2: PMOS can be high efficient at low loading current

作者: finster 時間: 2008-6-8 10:50 PM
補充一點
如果你是考量到driver的size和driver的電流能力
那NMOS的area會比PMOS來得小,且driver的輸出電流能力是NMOS大於PMOS

作者: gto10620 時間: 2008-7-22 01:19 AM
帶電量的關係...電子學有提到
可以去查查看唷
.....................................

作者: mmbswy 時間: 2008-7-26 05:43 PM
相比NMOS，PMOS并没有什么优势。
NMOS载子迁移率是PMOS载子的2倍左右，故相同电流PMOS尺寸较大；
如果你了解最早的NMOS工艺为什么改进为现在CMOS工艺，你就会理解采用PMOS的原因；

N阱工艺，PMOS作为输出差分对，噪声小于NMOS差分对

作者: ukyo 時間: 2008-9-23 04:27 PM
如果是就H-bridge來說的話，
PMOS可以直接給定GATE電壓，
但上橋若改用NMOS的話，
必須增加bootstrap的機制，
讓電路複雜度上升。

作者: iamif520 時間: 2008-10-6 10:03 PM
問題有錯吧ˇˇ

PMOS根NOMS用途不同。
有些情況PMOS較佳
有些情況NMOS才好

作者: jeffshein 時間: 2009-10-9 10:28 AM
同意樓上的說法
如要用在POWER MOS上的話用NMOS比較好
因為單位面積下其阻抗值比較低
但用在LDO的話 PMOS比較好
因為LOW DROP之故且PSRR亦較佳
如果用在小訊號控制上並無差異

作者: kingliu 時間: 2009-10-9 12:04 PM
同意樓上的說法
在相同條件下 Vgs Rdson..
N-ch會比P-ch cost低,
且容易控制,因P-ch可以直接將Gate接地就可導通
而N-ch若在電路上沒有相對高壓bootstrap)(就比較麻煩.
.

作者: u8912017 時間: 2009-11-17 04:53 PM
同意上面大大的說法…

就我所知，如果你是要在high-size上用N-channel的話，

那麼你的Vgs就必須大於一個Vth (Vgs>Vth)才能夠讓N-channel turn-on！

另外你還得另外多一個bootstrap的電路讓N-channel的source端電位大於gate端，

不然你N-channel即使你gate端pull to VCC，

但gate端和source端同電位的話(VCC)還是沒辦法讓N-channel ture-on！

如果你把high-size改成P-channel的話就沒有這方面的問題了，

因為只要把p-channel的gate端pull to ground就可以讓p-channel ture-on了！

PS:至於你要使用p-channel還是n-channel，就看你應用端的選擇了！！

作者: melpunter 時間: 2011-3-14 11:48 PM
进来学习下，简单的问题但想说清楚还真不容易

作者: mattmei 時間: 2011-5-19 05:38 PM
PMOS控制簡單，但不容易生產，NMOS更容易生產，價格便宜些

作者: patrick02046 時間: 2011-6-20 06:28 PM
本帖最後由 patrick02046 於 2011-6-20 06:30 PM 編輯

建議作者可以用以下標題尋找nmos 與 pmos區別:

1. 結構組成(pnp, npn)

2. 通道載子總類 (電洞、電子)

3. 電壓極性接法 (偏壓方式)

4. 導通電壓 (極性、決對值大小與溫度特性)

5. 遷移率

其他有很多是延伸，比如說:
a. noise
b.前面討論high side mos 採用nmos原因
c.cmos製程中可以使用何種type的寄生bipolar.
d.線性度考量
.....

作者: today 時間: 2011-11-2 06:04 PM
價格差異!
製程差異!
以目前的電池組應用來說,NMOS放在High side是趨勢,
但相對的控製IC的設計就增加困難了!需要有Boost電路.

作者: liweilin 時間: 2012-11-29 09:22 AM
製程上，NMOS較PMOS來的複雜，相對價格提高，但NMOS的電子移動速率比較快，某些時候還是會用到NMOS。

作者: sd5517805 時間: 2013-2-27 10:30 PM
因為上橋PMOS的gate接到0就可以打開了,若用NMOS可能要用更高的電壓才能打開

作者: polar11 時間: 2013-4-14 02:25 PM
high side NMOS 要求 source/body to substrate isolation, device需求高且結構相對較複雜

作者: KJT 時間: 2014-4-22 09:40 PM
感謝大大們的分享，獲益良多。

作者: hank80223 時間: 2014-4-24 04:52 PM
挖~~~ 看完大大們的解釋受益良多啊!!!!

作者: yoyoyang03 時間: 2014-6-26 02:45 PM
tks，同意以目前的電池組應用來說,NMOS放在High side是趨勢的說法

作者: seanyeh 時間: 2015-3-7 08:18 PM
受益良多…

以往電池組，利用NMOS 切低端。利用PMOS切高端。
確實，現在是利用NMOS來切高端。

作者: AIC6632 時間: 2015-11-20 06:27 PM
各有優缺點吧
不會只有一個比較好

作者: iamman307 時間: 2022-10-13 06:53 PM
感謝大大們分享,讓我在類比路上更精進

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