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標題: Layout 新手問題!! [打印本頁]
作者: ben372717    時間: 2008-5-14 03:21 PM
標題: Layout 新手問題!!
inverter　製程　0.18
3 M1 w& v7 \( {9 W, ^' ?. P5 a2 N$ N
; b9 z, r9 l, R; Z---RUN DRC----------% N/ ]! m$ x9 m) U. `0 B
出現error
/ E9 t3 I( D, B
( z, R; e, @" e) F! ?1.CHECK OD.R.1WARN -2 errors
! f: }( W8 s2 ?" H2 o2 E  K(OD WITHOUT IMPLANT). K1 w6 e" o/ b
, X/ L4 N6 J# v8 `4 M
2.CHECK M1.E.2- 8 errors
. C9 i% e" e  Q# \8 b  D- m' `+ \M1.E.2(@Min extension of M1 end-of-line region beyond4 P" U; ?9 X7 x- c& N
C0 region is 0.06um X = ENC[C0] M1 < 0.06 ABUT < 90 opposite9 d$ p* m' q  a1 t" D! y
INT x <0.22 ABUT == 90 intersecting only)6 ^4 C) U0 u- X4 K7 @

' r8 i7 C& o% f6 b4 a1 q+ s7 A3.CHECK P0.R.3 -1 errors
: x2 x1 i" s9 kPoly area coverage < 14% (exclude application forindactor); H' }) k6 v* p& Y& Y
CHIP_NOT_IND = CHIP NOT INDDMY
/ |- K  {* Y1 u8 A$ E4 g2 P5 JDensity polyI_NIND CHIP_NOT_IND <0.14 print* T# h* M( W1 r$ c
AREA (POLYI_NIND) / AREA (CHIP_NOT_IND)
/ g  O( ]( _  K6 b% ?* w) Y.
2 Q# K% C3 o. J) m  F1 l  ?/ o" d' q3 K6 j.
' n) o7 D0 o, C2 e8 U# b8 {.
4 n6 I1 `. U4 h類似錯誤
: u& e% L0 D+ o6 n: ?- h8 t3 h. D9 z7 G

( G- l9 Q( v& ?9 G, p/ `1 q) F
/ i% k/ E/ r2 f: P. L3 B( e
１。因為標錯誤的圖示實在找不到，無從下手，都在亂猜，所以上來請益，3 ?7 H  o8 y! C) r8 c# D
希望可以指出我錯誤的地方跟改錯方法？
( b3 i1 g# U$ k/ z* s% cex. diffusion :gate 的寬度不能小於0.32 之類的$ x# V- j1 q. w5 E
２。是否有專業解說DRC　error的網站？可以提供給小弟精進，還是一切. Y1 W" R% x# |3 q4 ~
都是憑經驗, c# Z) D' H0 F9 A: \# B
7 j3 O* U6 I$ h  v/ n0 P. x8 G
初次發問，得罪的地方，請多多指教。
作者: ryan1    時間: 2008-5-14 04:14 PM
標題: 回復 1# 的帖子
1.是OD外圍要圍n implant or p implant+ C7 I! C8 L* j$ o1 z; j
2.是左右MT1 extension co 需0.0um
4 s& ~7 \* A6 f3.是Poly area 要大於14% (就把他話大超過14%就可以了)
& D. V( b, K. ?我覺得應該釋這樣解釋!!
作者: 小緯仔    時間: 2008-5-14 07:05 PM
建議您可以先去看一下IC製程的流程
6 z6 f# u9 b5 j7 G6 \- W2 c. |7 R4 r: j% ]* k
這樣子在Layout 時會比較有感覺
作者: m851055    時間: 2008-5-14 07:26 PM
撱箄降���foundary撱��靘��design rules paper憒�迨�冽�error���瘥�����閬�
作者: Shouwei    時間: 2008-5-15 03:10 AM
感覺您mos是自己建的？9 H: C5 Z0 f; I4 u
第三個coverage 可以忽略9 y5 g% W& q. M3 |0 u: L: |/ n
要下線時再解決即可5 V. D3 Y; f' }3 _7 |' _- R8 Z

$ j! h& l5 B" W3 W4 {4 I2 n0 Hlaker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...! ^- U2 M& ?0 U  z% v" Q" A; A( s
應該是說，這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了
作者: ben372717    時間: 2008-5-15 04:45 AM
原帖由 Shouwei 於 2008-5-15 03:10 AM 發表 : _! f; X' J+ r( e
感覺您mos是自己建的？/ w9 ~4 o1 w0 Y! B# N' z
第三個coverage 可以忽略3 f2 S9 G, M* }( d) m- s
要下線時再解決即可
' s- Q- l6 Q6 g% g
7 a) d$ Z! @1 b4 M+ }laker 有 ctrl+m 直接呼叫出mos的功能...* P$ p3 t" w; S9 Q
應該是說，這個製程檔for laker 的 已經有事先建好了

$ |) `$ _" o. v4 j; P) g" O; \- [/ S( E5 P* ~  W8 a  F
% e- U  s, _7 L3 z
mos 我是用模組，create -> trainsistor -> pMos 1.8V 這樣2 G0 h( ]7 h7 I* J8 O0 ]
0.18 um 我不曉得是不是 poly的寬度　。他有預設0.18 um0 F( W. w7 e( I5 k3 C8 q' m7 X. D
感謝你的回答，我又多了一個try的機會，往正確的道路行走。
作者: Shouwei    時間: 2008-5-15 08:41 AM
是呀，點18製程，當然poly預設就是最短的length，0.18um# J: z5 @0 k; j4 e0 a0 o
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1 J) l. o' @( f3 B) O今天cic 有開放線上e-learning4 j) z4 O3 x- h5 e$ a6 e% @
趕快詢問您們lab的管理員1 Z' n+ U* a; u2 \2 M* ?
看有沒有開權限給您(要先加入cic會員)2 G4 i5 @( N+ @) F; {" z
裡面有教laker、full custom design concept
( h) s- E+ u9 m# O3 P" S+ P6 {亦有hspice，都有一些不錯的技巧
; p8 _& v( v7 r4 a/ l+ G5 b要趕快報名唷，晚了就向隅了，呵呵
作者: m851055    時間: 2008-5-16 06:57 PM
建議看foundary廠的DRC paper，這樣在找error時會比較有感覺。



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