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標題: 製作Qcell 時無法加上opc [打印本頁]
作者: sunwely    時間: 2008-5-8 05:52 PM
標題: 製作Qcell 時無法加上opc
使用cadence IC5141版本製作Qcell: r1 z  ^3 p) U$ y! I9 m
但是製作Qcell時無法在contact四個角加上opc
2 ]5 t  d% d% G* ?  e因為Qcell 製作mos的layer層只有poly, od, cont, mt1, 四層並無opc這層 + p& r, `" U% n
請問各位高手有辦法在製作Qcell時增加layer層嗎?
( Z- A+ N2 ~5 _8 _還是有辦法寫一個類似增加metal dummy的程式
/ b" F7 R, |8 J4 m# q" n' b# d8 d# o+ x可以在所有的contact 四個角增加opc 這層layer
! E) y+ d; U7 P1 c' T2 R1 h( @希望高手能幫幫忙,謝謝
作者: CHIP321    時間: 2008-5-8 05:52 PM
忽然发现上次的留言没写完，惭愧。
0 X. x& F' g7 H- v2 J# u其实Qcell本质上是一个technology文件中Device子类中的一个CDS系统预定义器件的图形化录入工具。MOS是属于CdsMOS子类，如果不在TF文件中使用tcCeateCDSDeviceClass()来生成自定义的mos器件类的话，好像系统并没有提供多个CONTACT,或其它层的输入来完成楼主所说的OPC.而自定义器件，又有可能会在邻接（abutment），P&R的时候出现问题，所以感觉还不如使用PCELL做来的方便。& `, K7 j; W  z, M# r+ V4 s6 ^
继续关注中，有谁知道怎么处理这个吗？
作者: skeepy    時間: 2008-5-9 09:47 AM
我也是用5141，qcell製作cdsmos時有add implant layer與
, ?3 F; J9 |0 G# X9 i( h' hadd well layer可以點選使用，自己要加哪個layer自己挑，不
/ V" v# U# Z' {) G% z- K. w5 E5 A, k" A過是有限定enclosing diff gate或是兩者，另opc是什麼?看不
! b( N) w6 c5 l* G懂。
作者: sunwely    時間: 2008-5-9 12:40 PM
原帖由 skeepy 於 2008-5-9 09:47 AM 發表 * @3 o& y: @9 `
我也是用5141，qcell製作cdsmos時有add implant layer與% `! @7 ]4 q" ^  L+ x
add well layer可以點選使用，自己要加哪個layer自己挑，不
: m2 F) W7 ]# @7 n; B' T過是有限定enclosing diff gate或是兩者，另opc是什麼?看不
6 e+ R. y2 G, G5 v( H+ T7 H懂。
( {( z( Y& D. J5 d& ?
' M% ~' A* s$ g$ u1 P0 d
opc就是conopc層,用來打在contact四個角落的一個layer層 目的是防止製程在轉角處可以修正的比較接近方形,而不會使contact因為製程的偏差而做出來變成不規則的形狀
& u4 b- m- R$ |; |# I% n大大說的兩個add layer我有看到 因為沒有opc所以我無法定義@@
3 D/ [$ r3 N0 h' B+ j% G有高手可以幫忙解決嗎@@?
作者: CHIP321    時間: 2008-5-13 11:54 AM
QCell在制作标准的MOS器件时候时很方便的，但是，诸如楼主所说的这种情况，可能必须重新添加几个OPC层的矩形区域，并将它的位置定义到现在Contact的四角位置上。当然，这样做基本的CELL的时候时没什么问题的，但是如果需要拉伸Contact阵列，或者在自动布局布线的时候可能会有其它的问题出现，最好还是由CAD支持人员来做这个工作。
作者: sunwely    時間: 2008-7-3 10:46 AM
這個問題還沒解決,如果以pcell代替qcell就沒有這個問題了,感謝兩位大大的回答喔



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