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標題: mos的導通電阻要如何求得? [打印本頁]
作者: averyer    時間: 2008-4-21 02:07 PM
標題: mos的導通電阻要如何求得?
各位前輩~. G4 X& Z9 a( W/ e1 V' y$ f

6 a2 O# Y# @- l4 h我想請問一下∼mos的導通電組要如何計算?
+ U; Z9 Z* m8 T* d5 q7 O9 P5 Z' p' h, D! k" \
我有看到之前其他人的發問~但我不清楚vin-vout/i是什意思?$ L3 U- Y5 s+ W4 b- y; k: d% V5 J

% {0 X7 d1 Y. f& c3 R3 `, J( K* b, }因為一個mos的vin,vout分別是指gate,drain嗎?
( |  n; Z" [) j, a! x. g! y/ S& b! b; h8 U  C* n3 @
print指令是要如何下呢?8 R% q! P% M1 t7 l7 `
: n" g# y3 R! m
麻煩各位前輩幫幫忙?
作者: skiptoo    時間: 2008-4-21 05:45 PM
一般，当mos工作在线性区时，我们可以利用它做成模拟开关 此时的vin,vout 应该为Vs OR Vd
) ]$ y$ E# }: G/ M* v0 }在Hspice中也可以利用 Expresion来做
+ v7 `( Q& a+ c% j$ C2 l" L; m我也还在探索中，如果有正确的 请大家指出来
作者: finster    時間: 2008-4-21 11:27 PM
舉個例來說吧5 D. h7 A) {1 o, ^# }  J2 {! o$ o6 R
假若是用P-type的power mosfet; I- S, i6 f" I0 _- H. T4 ?
那麼,Vin是接到Source,而Vout就是接到Drain,反之對NMOS則相反' d/ r; {; y2 w( {- s
如果這顆PMOS取作MP1
' E$ C1 ?5 x# @" i+ S0 V則,要計算它的Ron電阻
( `9 I7 G: F9 k7 }/ B  @3 p.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))')2 D% {* Q5 \8 K5 v7 E
這些指令,在SPICE使用手冊都有,查一下就會知道了
作者: averyer    時間: 2008-4-22 11:34 AM
謝謝finster的解答~我已經順利解決了這個問題~非常感謝~
作者: jerboa123456    時間: 2008-4-22 10:58 PM
請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話，電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變，這時應該怎么辦呢？ 我的方法是先求出電流的平均值，再用 vin-vout/i 這個公式，不知是否正確
作者: finster    時間: 2008-4-24 01:41 AM
原帖由 jerboa123456 於 2008-4-22 10:58 PM 發表
  w& u' [% M6 D4 Q) S請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話，電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變，這時應該怎么辦呢？ 我的方法是先 ...

! Z1 z& [/ \4 \! p) q5 h1 M. D7 {' R0 j

" e5 r7 ?0 N$ ~/ s, _! }" C/ E使用.print PAR的這種方式,比較適合用在.dc的方式來看Ron的值1 ]' U6 O7 J' F! `( Z
如果你想避掉電流毛刺出現的問題,建議你改用.measure的方式會比較適合,同時,改用.tran的方式來作模擬, K$ U# r! k2 D
理論方式一樣,利用V=IR來計算出Ron電阻值,不過,此時所計算出來的電阻值會是只有Gate電壓時的電阻值,而不像.print PAR那種方式,可以看到掃Gate電壓所看到的各種Ron電阻值的分佈



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