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標題: mos的導通電阻要如何求得? [打印本頁]

作者: averyer    時間: 2008-4-21 02:07 PM
標題: mos的導通電阻要如何求得?
各位前輩~
1 v: u  {# O) E7 x; c4 y) Q. _! }
: d0 t5 b9 R) w: Q: ]我想請問一下∼mos的導通電組要如何計算?, M2 c$ C2 F# a+ g; J. q

( [8 p: ?1 z; C2 H; L7 j我有看到之前其他人的發問~但我不清楚vin-vout/i是什意思?+ g+ f5 E! J. n. M1 P: \2 n
# i' m1 W7 O9 s2 S* N
因為一個mos的vin,vout分別是指gate,drain嗎?& u' p& V( t! `* H7 A- A' o
' B" @  I# |3 o
print指令是要如何下呢?" D9 }5 f4 ~5 r* ?; y) b1 ^  o

  I2 `* J, f$ i麻煩各位前輩幫幫忙?
作者: skiptoo    時間: 2008-4-21 05:45 PM
一般,当mos工作在线性区时,我们可以利用它做成模拟开关 此时的vin,vout 应该为Vs OR Vd  S0 {0 T& Q* U' @" g$ u
在Hspice中也可以利用 Expresion来做 ! t: E3 d! x. K
我也还在探索中,如果有正确的 请大家指出来
作者: finster    時間: 2008-4-21 11:27 PM
舉個例來說吧' r& b0 b; g( n; e( L
假若是用P-type的power mosfet
: v  m  X6 e: l3 \7 i那麼,Vin是接到Source,而Vout就是接到Drain,反之對NMOS則相反) I4 b* R4 t) I( z3 A& @
如果這顆PMOS取作MP1
( m. _% \+ f9 M6 O( p5 R則,要計算它的Ron電阻
$ I0 k# @( V9 D; g' F. m; ^.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))')! R$ z& N! k2 V% v( H* l; ?" [
這些指令,在SPICE使用手冊都有,查一下就會知道了
作者: averyer    時間: 2008-4-22 11:34 AM
謝謝finster的解答~我已經順利解決了這個問題~非常感謝~
作者: jerboa123456    時間: 2008-4-22 10:58 PM
請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話,電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變,這時應該怎么辦呢? 我的方法是先求出電流的平均值,再用 vin-vout/i 這個公式,不知是否正確
作者: finster    時間: 2008-4-24 01:41 AM
原帖由 jerboa123456 於 2008-4-22 10:58 PM 發表 * \6 |) G( [5 R1 p/ o( g1 I
請教averyer是如何解決這個問題的 如果按照版主的.print PAR('(v(source)-v(drain))/abs(i(mp1))') 這個指令去求導通電阻的波形的話,電流毛刺出現的地方可能會使電阻圖形發生突變,這時應該怎么辦呢? 我的方法是先 ...

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: i, Q1 u% Z+ Q0 p5 v9 E
* K3 B4 r9 G/ V" E使用.print PAR的這種方式,比較適合用在.dc的方式來看Ron的值/ G5 k0 Y, |% H0 G; O) d
如果你想避掉電流毛刺出現的問題,建議你改用.measure的方式會比較適合,同時,改用.tran的方式來作模擬: r' @/ H. ?8 M% s) N9 l
理論方式一樣,利用V=IR來計算出Ron電阻值,不過,此時所計算出來的電阻值會是只有Gate電壓時的電阻值,而不像.print PAR那種方式,可以看到掃Gate電壓所看到的各種Ron電阻值的分佈




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