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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是8 l2 d6 e- d8 N" L& ^3 {
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難; G9 x  o3 i4 K1 c. D
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
6 Q' s9 G, U: a須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區3 c/ O, e. z3 W
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
* u+ d+ U0 H1 ]& u( E; r錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
8 @( Z7 K, i( k: d不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況! e* M# Y+ {8 B  k
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。) A2 i8 n- l. E  F

( k: ~( g  D; G8 S! G如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. / o3 ]/ j  I" A) R5 C& n5 S
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer). o/ b5 o2 _5 d/ }* ?+ r, A
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 i) ^7 H: r% T: IPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD: R, X# e& h  _  G3 r7 S' P
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況, m) m' _: U  T: a
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊: o- N* o9 @7 y5 m
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
- F8 P  l! R# j: U因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ e( ]/ t" j1 ^; N" K
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; A4 ^: A9 C0 e6 F6 }: p7 ?9 a3 tCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.3 B" H6 `( h" n

$ X8 I6 p' b4 e, b4 Q0 V9 w[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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