Chip123 科技應用創新平台

標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是# e6 {$ h! u6 X) E) A( X# ~
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難6 q' C& o6 c/ k8 B- A  l
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必0 R  }9 G% M% g6 Q' L
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
5 ^3 `. t& z" R6 \; t# X才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記! x/ w! Z  X: }( U, x" H3 o
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
, V2 W! P# J3 I  r) _/ p不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況) _, Q$ L2 P: C! Y
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
( f: y( z7 Z* ?4 y, p) v3 n. u4 f8 w' r
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. ' W0 F# H; D) l
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
- A) f9 p- V4 D: Y8 `# {% T我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND, v' |; p: V4 t. ?: v
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& m: g4 \' G/ t8 A* B" `
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
! L' g! F* L6 q( N9 [這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊# @. Z) |1 D4 k8 ~/ M
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
* q3 {6 q7 m3 L, I; R' _因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
; p% K6 w1 \% g9 H% a; ^7 A最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
  \/ w7 E) M, `+ y% GCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
1 Z1 F& S3 ]- |3 E% P4 q5 p: ~  B8 k2 i4 `
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://chip123.com/) Powered by Discuz! X3.2