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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
7 ]  ^. [4 u/ O& o避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
  H  v, f& X' a% N了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必" m" \( b, i5 W3 g( R- `
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區' T' ]- S; I  ]5 x. f
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
9 e5 O) H5 v6 J) z0 Z! h9 j錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓2 P+ J- j! N3 U4 {& g$ h3 k
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
; }8 o  k% e6 z9 |& B! F下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
/ ]: L6 o1 Q- [0 Y6 y+ E9 I) }. e- Q% b' E) Y9 _9 \
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. / V* P9 [2 H1 |; n/ O
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)& g) ?  h* |1 B" Y( p' k
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND2 O1 ~' n4 n/ u" s# S+ c
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
, l9 j3 S6 _& y2 m+ t, H1 y但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- i) w# Z: M- _這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- Z% S2 R! }5 `+ \. V! R* _都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
$ R8 g& w6 |# y! t( ?5 S/ q1 A因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
. P5 G' u8 }: i+ r4 y  F9 ?最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
/ K0 _/ W$ q8 e0 x5 }Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
, w4 J7 \" b3 K" l
: E% B9 `* r3 A/ [. |! q- A[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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