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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
6 |' Z; q% O! N) p避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難4 Q4 O* G5 m; j
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必) [3 W) a& b- W2 r9 {( |! ]
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
* K: T8 |5 l% ^( F8 M# j8 J才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記$ @5 D. u8 I% L5 `1 U& l9 X
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
0 `8 c1 e4 u3 N/ k' _* M1 T不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
% N3 v" \0 p7 ?; N2 _下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。4 J4 B& K7 q: @

- n9 U4 U; X3 j5 U# i# Q* x5 b6 k& u如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
  V' X# h# {3 G. V. V3 ?, E% y都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
5 x4 d( T: a. ^$ g& h3 m& O我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
6 u( S- N8 a# t' LPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
3 t  j. X6 b1 U; p但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況- U$ p$ r" b9 \/ \* l6 G, u
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
6 X* F( P% ?; A' @/ i6 _5 z% D都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ( c- D7 }/ n* j4 l) t) s& D" F8 _
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
( Q2 {% O0 V( m0 n9 x最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.8 B* {# z/ r5 b9 `) c
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
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( H$ S6 R' T" Q1 R. }  u/ v$ ?[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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