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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是* H  N/ X9 ?2 @" b" t9 ?8 L; x/ S
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
* o0 [/ t$ Q+ w3 Z4 e6 v; m, h了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
) G, W  I5 r! t; u* F5 E須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
  s3 j: a& W7 _/ o才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
& [. D7 y& ?  l2 t錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓% Z6 l* Z) h' v
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
& C: D( G) q, b4 J下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。- b( C' J7 v* z% ~7 t3 B
7 @0 n8 R% _! ^7 G! }
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 0 k. D: R( k2 X$ b
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)$ A- a$ m8 i2 k- N* s5 n" z
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 p9 A+ N* a, J8 @
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
$ I) X- T) e" |% C但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況- M7 V1 M7 J# c  n7 {" m% p) C
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
: Q  U8 @/ \9 F- t- G; r% ^都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
, ^( x' ~3 d! @因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重' t  t/ `0 Y3 E3 ^' E3 O; a
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 }: a3 x% g+ q4 |$ I: O
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
* y# _% ^$ C% C9 D& }& @3 c! l2 c- j3 Y! P$ N1 `4 D4 f
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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