Chip123 科技應用創新平台

標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是, V- z7 h: \* ^1 x6 ?) R
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
" O3 K8 \6 \% N$ V9 L了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
' O! ~6 c' {3 ^9 A須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
/ u8 n" }( O! ~2 {0 Y9 u才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
7 X( l& E9 X: \0 ]- _9 S錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓6 ^0 S/ X9 n* u7 c/ T; }
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況8 w8 a+ J( @; ~  `
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。$ O- x) Y2 G. D3 L

6 V' }( H4 k5 V& m如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
9 z, r; D) W4 V; B1 f' j5 U都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)) k3 D( D+ G0 [' f) R
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND- O- l5 Z/ a+ R9 x
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" Y' I1 A+ G( B- t: `- o
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
. G, G6 J  S; N. ^, ~1 W這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊8 k$ S% g. c3 y5 e' s
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ! m- G  o( X! w; K% T% a/ a
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
" _' }' ~1 ?* E% n9 ]' V( O最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 k1 w. z* g! i8 T! Q: FCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
/ l. |6 F, d6 O& R9 l5 K* Z  T
& i/ ^0 R5 L8 z[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://chip123.com/) Powered by Discuz! X3.2