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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
; R- v4 y0 T% [/ j
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
/ M# Q+ W, D9 r3 n
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
) L- q1 u4 Y) N" g
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
+ g* J. H( a4 {0 p6 N1 A8 X% N; u9 N
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
% t+ @. A' e! v" K8 u5 C
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
' C; L- Y I6 a7 Z
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
5 N; M* a& h ^$ m' M p
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
+ `5 R5 G# y( R) s
0 B+ a: G/ m3 F7 v
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
, ?+ t! j( B* v: }& @6 b4 J. H
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
/ j& D3 z n- R- j
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
# _' O, \; m$ x; R# N# u
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
5 y& N' q& R& Y, o9 I7 V- h
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
( m2 f; Z: _; n' b0 Y
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
& O5 I% u, q0 ?' Z6 s3 M' o1 I9 n
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
* X. ^# Q, o1 H( d) A- ^0 [
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
6 J; @8 k+ \, Q: t$ u( R
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
6 |$ R7 ]; c) O2 x7 D# ]. f! h: R
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
& Q' n7 y8 Y3 s% n3 n
b0 q# o5 r( n. ]+ Z V
[
本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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