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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
8 p6 T0 k, x2 {: _( M
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
7 {7 W( G' M# A
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
% S7 G- ~7 |* h
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
1 a5 ?3 W: b; a3 J
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
% \% V0 w+ R1 D
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
% G& H3 i, Y4 V5 ~
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
3 Q7 s* f6 h* _( Q0 u# N! c( J
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
% I* ^& z% E1 K$ p2 ?2 i
* f1 {5 Y6 o7 m) V! w7 g% j
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
1 g! h& e3 t( F) f" N# d
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
, }" A8 p8 l% U- N' A" {. P, T: D
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
" m, Y+ L7 C2 U6 v; K. L
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
/ C* t- y* a% J' e, F' E( q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
4 F2 M f" a5 K- E2 Q
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
6 }/ R, I8 \3 J- W: C0 f1 }
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
Z) {* b+ X4 n ~. @
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
- w7 j$ L- f/ _- a/ L
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; b* V3 C. R/ B8 ^' l
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
L! S, }9 ]2 [# p1 n
O$ k& B. J3 Z7 C2 s
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本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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