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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是: a% r  i4 ?/ J- r3 @' T2 T: w
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難3 y% a, H2 f5 _# y
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
2 |5 d; f: ?1 G8 M須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區" L" e& M0 r5 |6 y, k% Y4 z$ Y
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記; U/ [  Z& v! w8 _1 v  o/ S1 S
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
- |5 }- F- Y  F4 E2 w$ r. [不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
# Y: G& G) t4 x2 ^) _( R7 q下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。9 a  H% L* K9 U/ m" ]3 V0 ?8 e

. x$ w: @! Y8 V+ }' ~如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
. ~* q3 n5 x+ H$ i. s都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)) M% r  x- ^$ S9 t, K2 l$ {
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 C4 F6 E( |8 U
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD2 `/ G4 o* @6 t7 P( t( ^
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況1 J. C6 W! K; C& B) q
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
  M+ `3 c" i% z; T2 y4 B3 N5 a5 a都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input . b7 z$ n4 `, Z2 _% {; i% |
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重3 |+ `' l9 {  A# H4 j) p; h
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( N; o9 J0 z. y; ECascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
& d/ @7 j: p. N5 R
' U' s5 A  a/ h: F" A8 O[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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