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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
1 v9 {# v' D* ~) e避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難/ E3 r2 ?6 L) g- x
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必* \4 @& C9 K& g! R* ^+ c
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區: I+ _, Y! {( X, z7 k4 Q* k
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
8 b" l  z9 `- I! a$ r7 W錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓; M- T2 G  x1 H6 W
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況8 `  ]- Y8 B5 |, h# Q9 t$ M& N- }
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
/ j) w; t1 e" x0 U) L9 i% {6 H( `# U+ Z0 h8 i5 v0 L
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
- |7 M/ S4 P  \5 Q都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
2 N4 e* t% p) u! T8 O0 }, C5 |5 p我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND. z  i$ }7 S+ r4 m1 S1 e
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD0 h) ^0 w' D  @7 @( H
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
; d: U) G& S! T1 X這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊( f8 T' i: @6 u& J: \( ]
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 3 b$ B- S* H0 [3 v
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) b6 y. q3 y% L( l* v最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.4 F6 O5 }- @; X& d1 s+ W6 b; O3 [- Q
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.4 z  ?) A6 N/ V& \# A+ A$ u0 M

+ d. j) }& B+ q  N) P  n& f[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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