Chip123 科技應用創新平台
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
[打印本頁]
作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
6 e' x" D5 c4 G8 P6 w4 p3 G
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
0 F. G. q" K8 ?* z3 T
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
6 V6 X8 j$ W% r# F9 U) J
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
7 }- ?0 y$ @$ E) H0 a
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
8 C) [5 C1 n3 P# d
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
: v0 Z7 ?: O1 a8 W
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
" _4 p' |; e3 U- u
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
; Z$ x) t* O3 O( Y% r
1 G) T I0 }/ R/ [! f
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
9 a- w1 Y% A+ @( m3 D6 I
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
* v6 M. Z# I% z% }* Y! f
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
0 _+ s( e0 w( {- ?! K
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
7 v2 X. `" H" E5 H7 k$ p: D& X9 z
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
T* x: e. z0 P# L; `
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
8 [2 L& @0 T7 P/ n7 `4 Z+ I( h1 K
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
- Y6 j' r0 u: E) y
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
U M! r( ^# h7 c. E
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 N6 q: [% y) F5 Q& X C# b
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
, e+ ?. k7 D0 b, E
4 g p2 b" C% l: U2 |! P( V
[
本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://chip123.com/)
Powered by Discuz! X3.2