Chip123 科技應用創新平台

標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是* j- v0 K! @% K$ K
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難8 Y0 J* n: h4 R! M" M+ f$ P* R
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必8 T  D/ W( r% y% R# G, L
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
, f, O  _8 B( K' ?' T7 m' o8 l才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
  s* ]4 P* b6 D. {% ^錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
5 K9 O+ k1 ^* G7 s. g不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況3 V% g( {2 a& k2 A) F; q9 P/ h( ]
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
. t$ X, F; f+ |/ ~; `: Z4 A! ?4 G
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. , X% X& [9 O4 Y. ?. Z
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)2 f! `& `# M% W, J& U" O+ j1 l
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. r$ i. h$ g6 R9 I. A! [" jPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD/ \' s. ?5 h: ^* T1 E/ q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
; E. H% R$ r/ S2 p  I這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊& x4 |" v: Q% m8 _4 G& }1 U- v8 W
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
8 N0 N6 L# p* h, z( b9 l% `因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
0 H3 |4 ^# G3 r  I8 G% `/ R最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. U# N, y6 L$ Y4 N+ u- TCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
0 r) }( ~( z9 k7 Q* @7 |7 a- K6 c4 E, Z# _; E, I% y
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://chip123.com/) Powered by Discuz! X3.2