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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
6 N& T) B/ n1 R2 p, Z
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
1 V: n& T* d9 Q! N: M. R
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
% N0 f2 C) O7 V- T. @
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
% Y$ k% Z) B& g
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
2 q& S% L2 V0 |% I
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
7 K1 t/ c- C- A: N. c
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
b! _" v7 Z8 h, v* }& Q# x
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
0 K5 C: j4 ?/ {# R, E& W
9 b' i% B3 Z0 l; @
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
1 s9 L8 U7 X' M6 E0 V! ~ \
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
" Z* K. | y% v5 {5 w: r) h
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
( R* r- m8 }0 b6 X
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
8 p9 W+ M1 e7 B D/ ?+ t0 s- e6 A: U
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
0 V3 s4 `. N5 z* w. R+ L
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
3 d2 T* s8 S/ f, C
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
% d d/ l; s0 y
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' |# W/ n8 S- }
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! X+ k# w6 @; K2 g9 V2 w+ D
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
$ K2 y$ u2 Z P/ e+ @, Y
2 F0 j. V" l, x# I: g" V- p
[
本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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