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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
& t/ m9 O% Z4 T4 `. z' m
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
! d" S& q4 K9 ^0 T
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
$ Y) d3 Z; h2 ^ J0 u! ?
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
& I* J! D& [1 b, _8 r
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
7 x6 J. V6 i( m# o
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
( d. r' q+ e/ Z; {
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
5 ?4 j. W v: L7 G& T" _3 O
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
3 e' y+ R4 o4 c- J5 K; f" g
5 c; Y7 o. e7 x
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
+ @- b0 S" C& Q# P. v( i2 e0 q
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
! m# D+ S8 i* x
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
' y: v% W7 |$ J
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
) W% ^. e+ N, B
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
8 S A [ ?1 {" ?' {
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
% u9 e! I7 }/ y# `+ D" f# w
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
3 J; \& s+ N/ t/ h$ P
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
& \2 l7 Q! g& v+ [2 m* _5 l
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
& X5 ]+ V1 L3 k8 Q
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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