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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
& z/ a* L5 n* M$ `2 p避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難; J- T. K( a8 m, I  w
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
1 U# T- k. S( [1 @+ J: i須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區* V+ S7 A2 i( B$ T! E" y; g
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
: M2 Y2 I$ P' W9 s/ B' m2 y2 Q錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓* X6 f2 w# W  l6 b0 C0 @, R' @/ Q
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
  s( o! K. `' B- d) b/ z" b5 f下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。+ |: v# R9 v8 E9 E4 T

( M( l- _# F$ E2 `$ p) a如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. ! K" H1 p- ]) _: k6 r. p
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)1 a- z( e4 A* I# v: L6 r( ]
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND+ ~- Q& j% o% N$ R
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
. }& h( X6 Z( R但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
0 R/ |" p% J' x0 l這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
; S; A, d. D/ a- J都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input * |8 J$ q4 e3 z$ q
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重' k. ^$ a$ ^! F9 D" z- I$ E
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
% V' Z5 ?0 u) iCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.% ]& A( Q9 k" E* Z, k

: }6 k9 W0 K1 J! q# Q4 Q+ v" w[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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