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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
& U3 j) z+ }1 E; [避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
, Y  l  w2 \; R3 X4 c了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必" N" l3 Z9 {& P% T7 ?
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區8 n5 y6 a8 H3 V* ~+ p7 {* e; c# ^
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
: k, ~. o  [# G* z. L) G錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
4 M& g3 E7 e' V. R, }不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
! c7 l& \" G; z6 Y/ j$ y7 }下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
3 ?2 [6 J. n: y" {# a) ~( S8 u$ Y3 I& `
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
* V' b! w/ P; ^& w* P都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer): d# ?5 H' {. e% _6 }/ x) `
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
% @$ I$ [* l, \7 R" m( yPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
+ U" I' i0 \6 y但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
5 p: k0 [4 Z. Y$ @8 X這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊$ N! X1 K( v2 }- s; ?' C5 Q0 J
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
  E* E/ \) m9 c# l2 ]因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
2 |# x7 ?6 H: U. f+ a7 E最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.& S, }" _1 n0 |* F
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
& a# C( t- A, h  H, |
2 }; _# k# x2 V2 t& s[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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