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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
% Q8 e$ z8 z: o3 I8 K' f3 e# c
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
. f5 p1 W( n% c; ]) L- Z* l
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
/ C: f0 g7 N5 l& X
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
1 j) i9 u8 i/ q! e
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
; v1 J3 }; }1 J0 e
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
$ Q a" M9 q4 P
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
+ b6 T; @, u* X+ d$ W
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
3 J2 k5 e+ `, h4 N \ C
) v& R) s& L# x3 c( N( _
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
/ ~/ O; u" k' s7 p3 b0 S- f
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
- ~! q$ M3 L, p/ L- D7 u/ K6 C7 z
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
( q d9 }7 i$ i3 l7 ?
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 l( ~6 G4 {( M' g( D* i' O" P
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' x0 B/ |9 q B9 w& J& P& C* T! y
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
* Y- R: W& k& e2 u3 ]' g7 r
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
' I. S* `" h% n
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
% @" ?5 U0 d \! ]
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
& M$ t$ N% _0 J& \" a2 e2 S% N
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[
本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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