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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是9 }9 f( j( Z' l! b
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
4 L' z! I5 C( E. U: C/ o了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必# b0 [$ C! E8 W3 n
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
# z0 O$ C, C; L0 y# V# R才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記, i  ]2 a, z9 |. j
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
0 D& I- {$ }) I" B不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況  o  F  f' \  ^1 K
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
- B5 F' `" H: p+ r6 t* g
  A# c( s0 b9 x% B' j4 j) T如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 3 b" Q; y- H5 v, ^+ k/ T
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)- i, ]1 C! q5 ^5 @
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND! {8 x" b- E6 i/ s, u( Y' ^
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
( h- q: _9 C2 w2 S5 J7 W3 \但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
, U7 T- o. v% }7 s$ y這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊; ?( ?+ E1 f9 ~5 R- q1 V0 E
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input & p4 |6 B+ }6 y1 t1 f8 u& E
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
* I, |7 x9 X; K( z  e4 Z0 U, @最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.4 S" O8 f. C. [/ z8 y
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.3 L" t" ?+ {4 s

0 Z  L% h3 Z  i& S) _[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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