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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
; ^* Z5 E) p2 C. L1 v
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
! ^& l) X: V* @, ^
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
$ y: g) {# O W, C5 y# o
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
$ D. q$ |0 H" a4 w* ]) m' M0 V$ M
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
( x& x2 f6 J. C, D, k
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
3 d. F. F' N U* O% P" i6 W
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
6 ?6 D* T0 @0 S/ R
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
0 t' ?. z( Z. L- U" N4 j
/ i: q! a+ @/ Y8 U
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
9 u3 \ J- M$ e c6 T
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
8 a% G* Y% W' u2 A" G
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
& k7 U) |9 y' Q- k! a& }
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
* W4 a. ]: k# T+ N' {% K
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
8 \: q7 u9 w5 H- k `
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
4 I# N1 e/ M# D; G! B. P
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
6 \4 J5 Q6 y+ }0 M' m+ N5 j- F
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
Q! R7 W' M* j5 U( S9 n
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
% |7 {; {7 q1 K$ v+ G8 I0 Y
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
4 w4 {+ K6 N" c, C N; [. y
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本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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