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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是& G* t/ E! D1 C2 w' b* Y" s% U
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
  @# B/ i, R$ o0 P9 z/ Z  y8 S6 _了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
. z% \) d/ R" P( W6 d2 e3 e須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區' Y& m! |9 u8 R' ^3 k
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記) ?4 E2 P& ]" n; Q; E2 l4 P! W) o: D
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
( g/ z9 ]/ |& \不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況! G) C. E, {. `7 c- W
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。% V% u4 f+ n5 k2 D% B/ F
& R+ f! ?3 x' u
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 3 |& s9 i/ y+ Q5 d+ T- c
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
2 |4 a  l+ L% ^3 ]* v我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
1 K/ `" \: [1 b0 z9 ]. GPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD2 m  k* v& l1 a" G' J% q  B1 f
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
! s! k. ^/ m( i% l- @這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
; N" w$ E+ P* P1 _0 C$ I都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
5 A* Z% w4 z" j7 }! w2 {6 W+ G因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
7 r- G: U( ?, r' V, X最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
" N1 z; `8 x- E: Z! q! kCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
/ |( r' e) |% N- c* |! [3 \  R; P' _' R8 Z- t5 N, |
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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