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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是/ H$ G$ ]$ j7 q: Q
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難; v6 X. |6 U5 N; R
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必) W3 A1 {& R& Z- I1 w& `/ R
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區* C/ v. m' b  _
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
' v5 h, o0 w. _/ Z錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓+ ]  u. N' }0 S' E! q% g6 o
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
! C# T; Q9 k. E3 }- y8 ~3 D5 p下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
) ~) Z) Y6 c; _0 g, q
0 d6 v. f% r0 r' m如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
# n2 f, H) A' S都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)# n/ ~9 K6 K; n/ r4 F% u
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
# d0 f$ b' w* g" PPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD3 j$ f$ _0 y* U, T
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
5 [2 C' w" C4 K: y這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊+ U1 e. A1 s* a3 K
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
6 N2 T" ^; i" B' F2 A因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
! i' S$ K0 E. I# ?; g4 L最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
6 r% N" q' D. Y+ @) b: dCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.( u3 p; Z1 @  N. j: m
  ]$ M- p- J2 D0 ]- L# {7 [
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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