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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
9 i u! J) b$ I/ r
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
: t# t6 v' H* L- L. }
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
2 M" R9 _8 O& z. |( h
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
l" D( y9 m) i1 o
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
, L" A' D; ~; e9 n2 _* S+ B+ \
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
5 ^, B: f" L" L( J. t3 o
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
$ T1 ~5 O' ]! ^$ G
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
- O/ o5 ^, ~: B Z5 u! [
- S9 ]0 D; `! }; u
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
/ `# C4 v3 ^; K
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
2 l/ i: R# H$ {9 E. @# q7 ?2 v
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
& l' L* R% d" `6 b6 K$ N) U4 i& o* T
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: b" X( u. s8 x7 i' b
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- V* ~ A$ I) h
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
' e, d5 [2 {/ k
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
/ v/ u. W2 H' |. S* T8 z3 g
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' Q4 H- y. w6 p; |, z) v
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( a( n/ L7 d; \- V# Z
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
% _0 W" b" p7 r) ?- q6 i
, u! M) D" r: P0 b3 B e l
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本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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