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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
) X0 e6 l9 ~: q& ^' _ P% w- f
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
2 V" v# D* p) f, j7 t6 Y, M
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
9 w" h% W$ U# a: C" v
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
g7 V/ W, `. u) s6 R* _* y% t' a9 }% m9 w
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
2 Q- C- E e# T1 S9 s
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
& {' u1 Y! d0 w$ D
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
! j4 x4 S- f! F5 ]% P( K
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
) e4 B% N R: g7 T% f$ R" {8 U9 x
7 ^1 }( t2 \0 q
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
) c0 D6 Q' D7 w8 s, U+ E! M
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
( ] @6 A+ y: P2 p9 r
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
k, m& b+ u3 I: O: M8 [
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: w4 ?6 j: {% K m) Y
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
; q* G. V& x7 O
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. C" [" _& u3 q8 G# ~3 J- w
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
# g, u: ]9 w: X! C' v
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
% y$ U) K" X, j/ w) ^1 z
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
$ { ]' n& e/ B$ a( c( E( u, X
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
1 L4 H9 X% O5 y# `* V$ O7 g) c
) T% G& ]3 C; `' ?% I" e
[
本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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