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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
# e6 {$ h! u6 X) E) A( X# ~
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
6 q' C& o6 c/ k8 B- A l
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
0 R }9 G% M% g6 Q' L
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
5 ^3 `. t& z" R6 \; t# X
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
! x/ w! Z X: }( U, x" H3 o
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
, V2 W! P# J3 I r) _/ p
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
) _, Q$ L2 P: C! Y
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
( f: y( z7 Z* ?4 y, p) v
3 n. u4 f8 w' r
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
' W0 F# H; D) l
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
- A) f9 p- V4 D: Y8 `# {% T
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, v' |; p: V4 t. ?: v
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
& m: g4 \' G/ t8 A* B" `
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
! L' g! F* L6 q( N9 [
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
# @. Z) |1 D4 k8 ~/ M
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
* q3 {6 q7 m3 L, I; R' _
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
; p% K6 w1 \% g9 H% a; ^7 A
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
\/ w7 E) M, `+ y% G
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
1 Z1 F& S3 ]- |3 E% P4 q
5 p: ~ B8 k2 i4 `
[
本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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