Chip123 科技應用創新平台

標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
6 y. P! {0 y# x# R9 v% X6 y, T" t3 V避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
5 k0 b# i7 x. A8 ~* h了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必% I- T1 @  k' n& {
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
+ l$ ^( ^( M( t" V+ u2 z才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
! \" M8 a6 q; a& y/ N& X& |# c8 ?錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓$ i$ `" V( ~* O! r1 M4 x) }. R
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
8 @, O  s$ }8 `下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
9 r  C& q: h* U$ c, K& G1 `" F
/ J: Y' ^  s8 b# ?+ J! E如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
2 n4 l$ q1 f! _3 V! I% B: F( d都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
( |" [0 Q; c! u' S1 e! y5 k; I我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND; X' Z  G# f% U' c5 e
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
$ o# F3 ~  h! M$ e# y2 \8 D但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
  \$ t( I2 d3 @1 [+ J, o- X. m這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
1 B1 g: o- U9 I7 r都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 5 ^, b: K3 O  w' {# s. r
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重1 x# C$ R% ^7 q
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.) v8 s; z* }6 ~1 C
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.$ p  n2 H8 n0 v. x& [  T

/ Q# j$ v3 a( q# x2 i3 ][ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://chip123.com/) Powered by Discuz! X3.2