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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是: }2 K0 S9 I' U. l
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難9 o  U. Z( o$ h- E
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必6 }8 E0 E2 A% B) \
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
( r! b! ?& K$ A/ D/ f4 W才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記* E1 h8 j/ ]  [/ e! Q; V8 T8 X
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
% t  C* y4 P8 T" c- N不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
8 d8 j8 F; x) b; W- [7 F! E下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
2 k  t4 c( X! R1 W$ t  I- {' A- j  M0 n) C: r! N5 \8 r
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 1 a9 l4 Z" Y9 _+ o6 U- U
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)2 `) `4 P( p1 W: a# d) F! J
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND0 b7 o  V3 Z0 |1 B
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD6 y2 r+ ~* Z  a4 h* R1 Q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
6 a, t4 T: ~& x, h- K, Z9 Y這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
4 Q" g- I. Z' y都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
0 i/ w8 M; X4 l% B' f9 ^因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
+ f, k8 V7 ^3 \# Z; r9 e) S最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.1 I. `# c& P' Z
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.4 A( I* K% a; h

! |* v$ Q6 M* G0 k[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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