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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是7 _7 e5 u1 }8 Q( W$ w' b
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難, @4 l; j2 J1 _$ O
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
8 e" a$ d) A4 h% c1 u須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區( M; s% B) G$ r; t% ~- v
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
" ^5 t' \4 O( c% q錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓! a9 b0 o. N  y9 n" W* I
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
5 q" H7 x; _* n9 o: s, I( w下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
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5 u1 X% G- m9 h4 y6 }7 z3 t% O如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 7 w2 m+ w3 b" {& w! ~' |
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)4 L, e5 f2 V' B+ a) H6 R- h
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 v! L$ Y8 L$ u, H4 t: a0 \
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD% ~+ o" [3 y& e) b6 W9 ^
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況9 b- j* ]' g/ G1 r4 W: |
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 p2 x; C% _* X* f! }: w9 P/ @0 L都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input # i- v9 }- H6 `) l# j0 J
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
6 n: ?0 Y) U  ]) B* T5 m  ~最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
& i2 I9 K5 O/ ]& H, H' nCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
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! k+ P8 l6 [* f& H3 J[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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