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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是8 d, j$ w1 X6 A8 i  \! k4 @
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難6 c6 @7 A# }  G# g" ?
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
4 i1 g& D+ j( O9 ]& s! H須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
( i& Y3 C# a0 j才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
" z( C4 z1 z! ]5 V2 u錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓6 F3 b- s- w1 g  E# e" g- @2 a
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況: Y: {6 _/ l2 F9 m# e( v' X. a& T
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
# h" J( R- Q+ V2 A$ K* m/ v% Q( }2 ^# y7 a" j
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. # K, t# j& x. C) t" a' ~2 b
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)& I5 B* M% I/ C
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND/ R3 B& g6 \- h
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
& i9 o2 v2 o* a) U6 D但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況9 e8 R5 e' }# ^  k9 U3 V5 x
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
& U' w7 p# H  W* n都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
! c3 j9 u* P5 N! r3 D- U" d2 b8 S因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重4 d$ C; G6 |, z, \, P8 m
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.: P. D+ D% ^; E8 @$ L2 O, q& X  R
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.; _6 v" e# U  _3 q" \
$ }! K! E: H; [4 P# m2 U% W
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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