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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
( _* p' S. ?5 J5 ]- @: L避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難' R# c% H6 n, Z: D
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
$ O0 V1 }2 k6 i5 K* ^# D須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
# X! R4 F( m7 f) E# n2 |才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
3 F3 O2 Z- m: t$ F8 C錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
$ |6 Q7 n5 n% u. l3 {. L' i不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
8 t& B/ X0 B, W6 ^; c8 X下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。' {) S% @2 R5 a- d3 |4 r/ Y% B
: Y- x. }$ q: k! @  E
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
/ p. s9 \; n; a/ M% C( n7 k都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
5 F2 f: y* q/ b# k我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
9 s/ n: i5 q& ZPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD7 q& n5 b9 H7 V; ?/ `9 _' ?6 R
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況; w3 t8 }# K7 B) s5 F  h& ~
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) \% T+ L' r# O" A% d
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
5 j; G  O9 ?2 X6 |+ \因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重9 ^) l' Q( @; \0 O! v3 V
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
/ Q% m/ l8 E1 E. q$ u, s* ^: w. t, hCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
: X$ q1 n+ b7 b8 b& R: ~# M" `' s4 e
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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