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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
2 x0 ^# I8 [/ {( o& R, H
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
6 D+ y4 l w3 W
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
; B+ R" Z( F# h8 M7 ~/ Q
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
& ~* h! K& b7 ~8 R5 H4 l3 g1 e
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
' y5 d+ v1 w! C1 ~
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
: Z! F3 @6 T A: x( c" W7 y
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
; e& ]% s h7 w
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
; a3 j& |9 B9 N2 E
. y K; R, |: g6 x c* ~
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
! ^1 }* X- e5 `, J8 p
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
0 w0 Z' @0 K* B+ N5 d0 k/ M1 a
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
% K/ Q# r0 e. B
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
% t( T8 A" A6 e
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
! }$ K+ _/ e/ }% k, V$ T7 s' k
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
' Q. K# l" s$ ? q" C
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
: L, Q2 W) x! H8 J: u0 q
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
, z! P' a1 z- C6 k
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
6 K6 V2 }' U; ~2 P6 Y* X
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
; ?# g9 \& j5 _8 N' }/ _; c
% l' | g) g0 |" k) t. H P
[
本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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