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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是8 ~' v( k  z. y5 k1 N, N" s9 A
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難3 W, u, |2 i( H) \) M. `9 A
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
3 y5 Z2 P( Q3 B7 x須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區( O/ o$ ~) r" X
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
  l( {/ t5 s/ e, y+ c  p) J錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
; ^. R8 L& m- d不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
5 V* P  s* e' F% n! C3 _下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
! m. V7 I2 F. e+ f
) _: t7 H. U: L0 A) h0 _6 m如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
& L$ r8 I0 o8 h2 Z# g7 L0 P都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
+ u3 ^/ [; E/ r; `4 y8 d我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND; V+ N8 D3 G1 p( G4 D
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) j5 n: u( b8 z  S2 _
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況5 x% }  f' N& W5 v  R
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
9 A# p! c, ~' v+ A& D都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input - _& t& N, f* A1 j( f
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重5 y9 y9 k& [$ M3 Y4 c
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.9 _& O, O% Y/ p/ Y
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.- |0 m/ `3 n9 p* C! g2 S

$ o. T3 i9 e: b2 I4 q# ~/ k- [7 h[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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