Chip123 科技應用創新平台

標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
& s/ x. D. p6 p避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
! }. W, Q5 o8 H' ^0 S- T了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
5 p$ C8 O  ?5 A! P8 K8 z須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
' `# H5 [5 c& I( S: b+ Y$ [, R才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記" K, g0 O! Q2 B( R+ l
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓, m! q7 D& u0 i3 W  Z
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
- [* ~; M" n2 G$ B& x- p下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。, n2 w8 A; k) ?( R- p2 q
/ \4 S  g0 A5 G# \
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. ! H, w$ s! _/ |0 _4 u
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
+ E* [7 b' p. j( O8 A& Z+ }4 y4 ]我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND1 |1 e5 u$ F; i) l/ e* w
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD3 R1 C+ \  f) @( p7 K  ]
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況) k1 Z% Q1 s  [; O& ]
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊& A" e. H) V2 F; m" e; n- j
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input   l" B% l) }4 u& j% c% l) z
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
+ m5 z1 X- y2 D最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) j% G  w6 ]% h+ S. vCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.) R7 _, s8 k* Z1 v4 W9 @1 q
5 v6 B! l& H! {, y
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://chip123.com/) Powered by Discuz! X3.2