Chip123 科技應用創新平台

標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
' G# T# s- w! r避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
, v. O3 }8 h0 J  t7 H! X' @1 t  R  X了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必& g1 Z4 L( L$ O1 u
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區9 |) ]3 S. Z6 M0 N& q/ ^0 c* b! J( Y
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記+ v  s+ V/ ~9 c" ?% O( ]
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓& Z! [$ @  b& L2 @
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
$ ?$ ]/ U! y3 `下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
4 b( U' A( f' t0 ~) |4 q3 L. e& J" r& S5 q# T+ G
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 0 D1 D/ M4 `. _
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)( y, x$ ]' O  m- l. S8 f! u( K
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
* w9 j% L& e7 C+ h! i, t9 H- PPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
4 |' Q5 {4 Q- T/ o) q但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
; [7 i1 c: n* Q8 }9 V2 b這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. w3 C! Q& x1 g, Q' [# F都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
0 D$ p' [/ p# T8 Z  M因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
  y5 n$ O/ \  n# O# E& Q2 u* H最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 J: @% R$ O& x0 y3 L
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.* o. T$ [  i; l" m. m
0 y( S' G" w! d6 R# B" P
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://chip123.com/) Powered by Discuz! X3.2