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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是6 \  t$ i. Y5 v
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難9 K3 G* ^5 y0 K
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必5 n8 i; e) u, q  Z: t& c
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區! n, X6 J: X% R1 R2 {. q$ \! l/ b
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
4 ^4 t: A$ y' M  F: O( i錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓1 m- C' C, z! D
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
- I+ W% M! x2 _下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。1 ?0 U5 r" Z- T: z
( D) T- m2 t/ I) n) I  ?  q1 `
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
1 T1 r( g% S$ x都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
: K' H3 |' ]- a. ]  _: U我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND3 R/ g$ n: {- K
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD1 u% l& t) V+ f8 d
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' [7 A8 j& R, ~- O! _4 ?9 i這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊% R8 B1 t) h) F1 w: p" E5 \! W
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input % w! T, S3 U" K# t  x  P( x# H, p) S1 l
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
; M. R8 }3 d4 R8 {' w最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
- f1 b0 L- ]7 G  r0 \9 G9 U& z7 J6 [Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.  @4 T' X  f4 k6 m; n6 ^
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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