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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
3 o2 ^$ H4 g/ F3 s2 K
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
) K8 G7 Z' r" Z" t
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
) M7 m, p7 s& g* {% v
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
, X) i& s) V T7 D0 c
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
8 C2 l' P: e" y, F/ e5 p1 Q7 [
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
' L# K/ ~3 ]. `. }
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
& {8 @+ }7 ?9 q* X
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
7 [4 Y; O! ~# E- l4 W" D* ]
?, u, E! D3 M
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
! \+ Z! X2 v3 G O7 `
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
5 q2 Q2 [: u F y1 F; C; z" }
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
) d! h' H3 Y- A" j/ s% M6 b4 \
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
5 F1 V, g5 K |; {1 A/ M
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
& |0 B# C1 L* `9 J$ F( b# ^2 e
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ k, _' x) w6 c# O
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
$ w- o8 H1 k( N/ y7 o2 F6 w4 p
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
0 G3 ?; g: L1 x" ^9 F
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) ^. G" ~$ Q6 l2 x0 ~# @6 l
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
& \3 w5 ^9 G8 ]5 N, f3 ^
$ i+ ?" p) G% b) }/ C# m
[
本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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