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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
% Q8 e$ z8 z: o3 I8 K' f3 e# c避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難. f5 p1 W( n% c; ]) L- Z* l
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必/ C: f0 g7 N5 l& X
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
1 j) i9 u8 i/ q! e才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記; v1 J3 }; }1 J0 e
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
$ Q  a" M9 q4 P不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
+ b6 T; @, u* X+ d$ W下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
3 J2 k5 e+ `, h4 N  \  C) v& R) s& L# x3 c( N( _
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
/ ~/ O; u" k' s7 p3 b0 S- f都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
- ~! q$ M3 L, p/ L- D7 u/ K6 C7 z我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND( q  d9 }7 i$ i3 l7 ?
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 l( ~6 G4 {( M' g( D* i' O" P但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' x0 B/ |9 q  B9 w& J& P& C* T! y這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊* Y- R: W& k& e2 u3 ]' g7 r
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
' I. S* `" h% n因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重% @" ?5 U0 d  \! ]
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.& M$ t$ N% _0 J& \" a2 e2 S% N
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.4 a6 G) o5 o7 H( }8 t3 y% u
6 Y" @# z5 q; G. ~2 v
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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