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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是  m3 d3 ^$ |; A- t6 I
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
* ^, c  n: G% ]1 I1 m了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必) e+ G& i  V" q$ t( i: U: A& q$ ~) ]2 t
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區3 ~9 g; w- d6 S$ e
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
5 s& \+ l9 u8 @8 R' F3 s9 K! P錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
$ K. h  X" I; V3 [( {8 l# d7 h( F( K不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
9 k  E* p( k/ u3 W6 C; [下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。6 ~7 d4 E8 N, M# ?/ z
: `6 J* E7 M4 C+ _- `& S
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
! l/ Z2 z8 n$ R都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)2 S2 @! r& }; Y2 e0 ?& y3 G9 ]
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND& z/ P4 X- E9 O  e4 p
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
3 D3 D4 U- c" z0 X# Q& `9 ?但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: v9 u2 v* ~6 N5 j$ W這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊+ ]* }9 o7 H5 W: l% E8 w
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 0 q9 l. v3 k  M
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
/ L( q' q/ ?! c# Q3 `5 a; P最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.5 n/ e  F3 m4 u: G
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
3 {* n4 [7 f$ @7 g- y
( n  a' w; W$ N" `[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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