Chip123 科技應用創新平台

標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
3 _, m% Q9 `; ^1 n避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難! j1 V9 ]/ n. B
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
' y8 N* g+ a4 h須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
$ I+ q9 B( `" J+ s* i# b+ J才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
* O3 q. C0 c) w, a7 `錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
2 l# W( p1 e) }9 h0 w  ^& Y不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
# B( i/ a, F* a下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。. G* x# `- D$ Z  c! M
3 }  Q1 ]( E4 T4 A- M' c8 U; U
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
: {  p) x, P6 e( n7 d, v都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)5 k& I& s4 P6 Y4 z6 w
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
1 p8 r- o! @8 `3 t% w% R" i% _PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
& B2 Q7 g% s  s: B+ ^- ~( ]但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
( L! Y+ }+ Y0 S% l這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
% H6 v; c6 F5 o+ t0 P都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
  i1 m* g1 s0 G; `7 ?- |0 E因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重: R9 L/ r' R! u* x0 {
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.% A0 M+ W: b9 j# l; {2 `
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.- K# v  f7 z9 `1 n
  q; F6 \) Y4 B: ^
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://chip123.com/) Powered by Discuz! X3.2