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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
- n3 @& i4 _+ ^避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
+ I8 j4 T: M0 a+ z" |了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必" N! j/ @! i3 l* [/ |7 u; k
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區/ [3 A$ p) P1 k8 k; q3 c( u
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
( Q! r& z, g3 w% x+ R) ?8 d9 K! }2 _錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓4 D4 C. r. U5 L% S% T
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
# w! {  g# A' e$ }下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。0 |; r/ Q1 S% c
; T  j9 G: P3 b% X0 S+ }5 W: \4 r0 P
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 4 h6 d( T4 r6 E
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
% A3 _  Z% H) n# W. }: V- X我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
! }2 K/ a; a* @6 g5 w  x  v' uPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
7 g  L, ^7 k: e/ u9 O+ T但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況* c3 [; x* u' y
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
  K- f3 q& g8 H  o. N- ^都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input $ X3 c& U1 c# J$ \4 k4 z
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重* J8 ^( o: D6 p8 L, R$ J
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.! v! w  o) n# r0 `% G  E7 q
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing./ i1 }  Y8 F3 Y) c/ s
  B2 _/ G. C' ]4 @: _- z; I
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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