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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
+ W0 K# i9 }) y- |* }避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
/ m  o; A5 {8 u# Q了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必; D. O$ N; m4 s( _+ u4 [; I+ k
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區9 _# y+ n7 D8 {: C
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
* P- p! r9 n* D1 R  @; p1 @錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓0 s8 y1 l5 [$ Z
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況- L8 y& Y. q! C" N
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
& s# q& Z$ ?4 E. I  x9 j7 s4 s/ u+ ?9 v/ h
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 7 k) ^8 r% B" O6 s1 o: W: W6 w: w
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
  O9 C# i, z* i6 j3 N  W我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND: l4 F; q4 F1 z& A9 }  {2 r9 d' w
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD& {( {' U4 ~: P# M; a
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
, F' `7 Y, `: K這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
8 @- l- T. ~3 C0 j都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
( i; v+ J9 s) s' Q. K2 j$ p因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) ~, {2 G; R& _" p5 `最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.$ u, w$ u% \9 [: G, {& y
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
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. r  o0 z. W1 Q+ w0 o4 w  k$ m7 M[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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