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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
. l6 Z+ w9 r# g
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
9 r( T) {* y. n/ j
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
7 J: @* ^( v; r+ z, S
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
8 n- U ~7 a( @' v& o
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
& |( k+ e# q- J4 O
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
3 U. R- m# o- ?; G1 ~$ ]
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
! u, Z$ ] ]1 a$ }( n, e, Y
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
- G1 t8 x7 u: y {
# d: D' b, Q& C
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
7 m3 _0 {4 x2 {+ [; X1 V* ^' |
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
! U9 @& v5 c1 U1 g- m4 ~1 v
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
2 A: p a r: n3 {" L
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
. @0 H* q+ ], z7 w3 w2 v2 l
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
$ a" r+ s5 H8 ^
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
3 t* U/ C+ \8 S- _8 O. S0 r. L- P- q
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
4 _3 v$ w/ l6 j
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
# N3 R$ y. ^! O8 `5 _2 S' l% I
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
_4 ^/ W5 N) L
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
! @# q4 m2 D1 r! Z
F) K7 l* ?- S5 ~! o# V0 \
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本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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