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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
6 \ t$ i. Y5 v
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
9 K3 G* ^5 y0 K
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
5 n8 i; e) u, q Z: t& c
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
! n, X6 J: X% R1 R2 {. q$ \! l/ b
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
4 ^4 t: A$ y' M F: O( i
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
1 m- C' C, z! D
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
- I+ W% M! x2 _
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
1 ?0 U5 r" Z- T: z
( D) T- m2 t/ I) n) I ? q1 `
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
1 T1 r( g% S$ x
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
: K' H3 |' ]- a. ] _: U
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
3 R/ g$ n: {- K
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
1 u% l& t) V+ f8 d
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
' [7 A8 j& R, ~- O! _4 ?9 i
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
% R8 B1 t) h) F1 w: p" E5 \! W
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
% w! T, S3 U" K# t x P( x# H, p) S1 l
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
; M. R8 }3 d4 R8 {' w
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
- f1 b0 L- ]7 G r0 \9 G9 U& z7 J6 [
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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