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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
% B$ {5 C. v: a- X避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
6 W; W  |, s: l3 ?0 m! w1 _, a4 D了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必- i" A2 Z1 I; a
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
4 Z) d5 j$ y; B0 l才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記5 W& V" ~* f! i. Y$ e+ \
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
  _0 y9 h, Z, k7 S7 E不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況1 F/ b5 M; P" w! _) b! n' t: `
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
9 c& n8 o. f: O! c; V" O& _  ?$ j2 ^
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
* F: H2 U' r' P, w, t# y+ j! p  {都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
7 x0 N; \8 `# X3 p我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
: X8 N9 E4 x6 x* R* oPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
, T! u2 i9 `9 z但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
5 f' S/ S% [6 p1 D0 T1 o8 h* u這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊) f" B% l. i0 @1 w( U, c. P4 Z
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
# n. T% p9 X, m3 f! d因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
) h$ k% k  Z; K3 p最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.* b  {5 t0 i& Z6 o& G8 F( q, W' [* p. Y
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
& \3 X  y. J. [, [6 v# d# n& A6 E
; O7 u  J. f0 _[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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