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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是3 v( E8 L6 R6 X( `, f
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難" d+ a" c! f1 K. A) l+ c
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必2 v5 Q, k8 X& ?$ K. W6 P/ O. _
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
+ R. O* C* W  k才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記. K& ^; b* a' B/ r
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
+ t6 s8 N  m5 B' b  d6 l7 k不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況1 ?: R  p/ d+ }, Z/ T4 l
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
! e# R6 v5 {/ l: R0 r* ^  o$ Q1 B) b( _' |% D) ~4 e% s8 \* `
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. ) v( |, U& l7 O4 d+ t8 O* q
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
, s9 {' C9 s) U* c. d) E+ @- S我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 I- M+ U, O/ v
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
) ?0 c9 A6 ?& w但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
1 r$ U/ V) S  O9 i! d這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
+ T7 Q" B+ `0 S* x5 ^% k都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ' Z2 U% O" ]3 X
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
( U7 d) l" o9 ]4 z/ \# f最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.$ O8 l. _7 y. t- d  p' Q* w6 C
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.5 f+ ~1 l' t$ E3 n6 x/ s

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