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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
, V; s1 o; R' F* ^( J
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
/ X6 j( c B9 o
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
2 Z) z% z/ U- }4 o/ f
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
1 n% S9 K. `! O. d2 U% `/ T
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
4 Z/ D4 I: {4 I+ z
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
; U7 ]1 U- ?7 _ l5 u6 k
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
& F3 U7 z* a- s/ b3 M/ }
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
# L9 Q6 ^$ }) `3 e1 y. M" H
* S! e9 E- u3 V) }: {
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
X3 I1 [, q- p( G1 e$ G
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
# C" f. b. a* n+ d0 L9 H; u% B& c f
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
8 e5 p0 P9 C: }) z) ]5 X) h! J' O
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
% O2 [1 [1 W" {0 M+ X3 ~% I
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
) |5 ^" `5 N8 v* W+ q
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 v+ H6 ?1 c2 f4 z, V
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
/ e6 |" f: E# Z$ Y9 M+ b' E0 T
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
" s8 U5 V2 z, ^2 d
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( C! s9 |! d) s6 p$ S. u0 k
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
' Q! t; U& ?$ M& n3 l
0 z F& z8 I6 |
[
本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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