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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是8 B7 r' d( N/ w$ v5 K
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
2 Q- |9 a2 v5 N2 J了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必5 Q6 D* v6 L. ^' N& D, r
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
& y9 C0 O' Z8 ^+ c: A$ t# }4 @5 ]才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記5 }' q2 H, r$ f  e
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓7 i& X+ t# A# O- U4 C9 s2 d
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況0 s" c1 D! B- _% ~' R' A
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
- a7 S  ^4 h% \$ H: J9 [* F; d7 a6 m. ^
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 8 [+ k+ \; M/ O; [- n5 |& ~1 N
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
) M0 s3 a  L2 J# v  i我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
3 s9 G+ |0 Z" |PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD" h4 m) Q' D& u; x: O
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
" ~0 G; m5 {6 M這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
* W7 P# m4 q, g7 \都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ' f5 _+ d: V. X; z. |
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
0 d0 A) R' {( D. S8 ?最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
. k& ~- b0 I5 ~' _( ?% a, z2 {1 SCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.- a  h0 H! P" x" I* z$ n$ _! L

, y; i7 P4 @: ?' {0 l9 z[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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