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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
* H N/ X9 ?2 @" b" t9 ?8 L; x/ S
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
* o0 [/ t$ Q+ w3 Z4 e6 v; m, h
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
) G, W I5 r! t; u* F5 E
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
s3 j: a& W7 _/ o
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
& [. D7 y& ? l2 t
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
% Z6 l* Z) h' v
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
& C: D( G) q, b4 J
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
- b( C' J7 v* z% ~7 t3 B
7 @0 n8 R% _! ^7 G! }
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
0 k. D: R( k2 X$ b
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
$ A- a$ m8 i2 k- N* s5 n" z
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
6 p9 A+ N* a, J8 @
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
$ I) X- T) e" |% C
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
- M7 V1 M7 J# c n7 {" m% p) C
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
: Q U8 @/ \9 F- t- G; r% ^
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
, ^( x' ~3 d! @
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' t t/ `0 Y3 E3 ^' E3 O; a
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
5 }: a3 x% g+ q4 |$ I: O
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
* y# _% ^$ C% C9 D& }& @3 c! l
2 c- j3 Y! P$ N1 `4 D4 f
[
本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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