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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
1 P8 y: {1 u& U* K& v& @
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
) w% N) E7 G4 m) y, N# y3 D
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
4 P) D# `8 o8 D
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
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才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
$ S( y6 A- h( b4 o
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
' x g7 J, O3 m% Z
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
# _2 K0 i& h) f' A
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
: z5 D' b; w' o4 a0 g
, z) K8 y! @- L* I7 {! n
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
/ ^) _1 }3 b7 w0 L3 ~
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
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我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
4 X: g! D6 p4 a$ k7 ?
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
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但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: P4 }0 x6 M' k$ J; r% b" a
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
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都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
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因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
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最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( v* `9 D a$ m( }! C
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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