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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是& t/ m9 O% Z4 T4 `. z' m
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難! d" S& q4 K9 ^0 T
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
$ Y) d3 Z; h2 ^  J0 u! ?須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區& I* J! D& [1 b, _8 r
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記7 x6 J. V6 i( m# o
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓( d. r' q+ e/ Z; {
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況5 ?4 j. W  v: L7 G& T" _3 O
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
3 e' y+ R4 o4 c- J5 K; f" g5 c; Y7 o. e7 x
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
+ @- b0 S" C& Q# P. v( i2 e0 q都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)! m# D+ S8 i* x
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND' y: v% W7 |$ J
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD) W% ^. e+ N, B
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況8 S  A  [  ?1 {" ?' {
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
% u9 e! I7 }/ y# `+ D" f# w都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
3 J; \& s+ N/ t/ h$ P因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重& \2 l7 Q! g& v+ [2 m* _5 l
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
& X5 ]+ V1 L3 k8 QCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
" }# V% g7 ~+ o5 g) V5 W" n0 |8 r1 ^7 Z% x
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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