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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是8 l' X6 y3 h6 k& z8 J! B" F
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難; s6 V+ z9 O9 l$ k' U$ J
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
  T. c) ]. M# ~" V須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
1 ]. u( ?! L+ M才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
* A5 v' I3 i7 V) k- l錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
- b5 e0 {7 S2 `4 `不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
: H! u5 g/ h/ W: o3 S" Y; S( `下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。% L3 t- i/ q3 ~2 f9 a  g  m3 j

+ o2 y- D: d! j2 O. G% y如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 7 Y$ H4 Z, C: C
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)9 R2 S+ Z5 Q4 Q
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
/ R/ \- m1 c: \- X4 RPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
  Q7 \+ P+ x. S8 g8 w但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況4 u/ e/ w0 M6 R5 L
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
  O9 X) V. z9 q% f; r  Z$ p都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
1 f( G) ^/ E  O& J因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
1 y. ]* Z' U  p/ }, D. d3 g最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
! m' B, |2 L' w9 C5 y! aCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
7 \7 d& e# y1 T
( p4 h3 O/ i7 X' G[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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