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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是+ C6 K# n9 u4 x2 e$ [
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
! z7 m+ |& A5 ]: |1 V" P了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必6 A- l; P, x; j) p- [% r7 y+ @& X
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
% o! _5 N" R# \才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
) O& u% x+ ]6 l1 X錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓( [/ f$ U- x" F0 r5 Z& r( y
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
# H6 r( [' D, E; I下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
* e6 b, ~; |) w9 @3 u
: M9 k* U5 i  i# I如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
6 B0 }+ q$ d5 Z: n& l' ^都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
  J  n$ y; k2 A) S8 S5 W我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND% v2 B+ x! l. J/ o
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
7 P7 W* x$ D- f$ P1 n+ H4 b但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況* \: ]; g3 A' Y* u3 C
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊* h5 k6 c2 x1 L) D4 Y8 ]
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input / I+ X0 U( W1 C. H% Y- l9 F, u
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重1 {1 k# u0 w* N7 Q, S  x/ ]
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.  S, r$ \5 {0 @# J
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
$ C) u3 L! y6 Y0 a* Z7 n# s! x; v; y1 r" M% F6 ?; N
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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