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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
  j  Z$ Z( B; @9 M) P0 W避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
( Z6 z' G) c& W了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
. F7 t9 [) S& Y, H: f須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區+ N4 q/ R6 R' F9 J: ^
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
& s, @: U7 Z5 ]0 h2 g- d& k9 f- \錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓, v$ ?5 A0 h8 o/ y  g
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
$ H# u* k- Q' Z8 S* s3 |/ N下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。) ?# E* V- X) d% Q! D) t6 k3 v! a

6 Y' t; a( f% w: }如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
* p) K( m; M1 T  |% ^2 F都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)$ M5 X5 V; u  [, |3 l$ w
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
" n) ~9 J9 o' i) [$ x" h( uPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
; @7 A- P' d1 k1 N但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
& N& S6 F7 D" a! S7 g  j. h這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- A4 _+ }7 J' j  o都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
2 U/ J5 G0 M3 Y  B6 p因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重! k: V( q. M& S+ o9 ?* r7 c" ]! B
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; f  n$ t0 D) o1 ~' }0 aCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.4 r% |5 X3 t; [( V: k, K
5 L$ w6 r; y, H6 ]
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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