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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
2 O$ J8 K" U: y7 k( G, j, |避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
8 {( V# b) \) u# j了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
9 W# }: n$ }; {+ [# q" C須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區0 P: ?& k  i2 `5 y+ D
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記8 _8 W# L: K& a" p' Z0 S
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
+ X: \) d0 J5 c/ T0 ]1 n' r) M* O不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況: ^5 n* R) V6 E( f, @: p1 {" l
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
! U4 f! C& H. O) t9 P
5 t5 @. a: N: V4 t  ~$ `如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
( O  Z) O# W# f$ U% u+ e& T$ I$ f都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
0 R' e* k% M. x4 \我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND; f8 z" x; ^6 l; g3 L) z: k- q% n
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD8 g1 S! H' C( w0 e5 T
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況3 K* L  R& p6 m% T+ ?2 b6 j
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊1 @7 w+ d* l8 |" P! {7 d- `
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ! e! Y4 l, [* `3 s+ n/ [$ V
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
7 B( p! o" s/ U: W: ]最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢." k6 p1 c- _: \3 p  q
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
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3 z! n% h; Z; X( P[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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