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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
( v/ N0 ]; d$ w# W0 d避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
4 V, T8 n' _% L6 p" g( K7 I了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必% Z5 K: z0 t# D2 s) D
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區  ?1 ~9 @5 n8 |" k+ L
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
% C+ }& m" i0 w% L1 U* o% G# o  T錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓/ J4 B6 O$ Y4 i7 E& b9 b
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
! i3 `# ^, W; p1 [! [; K3 E9 n, m& J下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
0 I1 H- w0 D+ {) v- \$ \9 g6 ^. a9 }4 _- m' P9 n+ g& t: z; ^7 M
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
; X8 e8 a& h" ?' ?都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)6 o( I1 A  Y2 s& `& z
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND, m  k* L: E' j9 ^8 s. ~
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD: R. n& d% ~! V- X9 T3 l, A1 y# w  v) M
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況" M# G+ ^- Y7 r6 _
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊2 Y* }( `. B2 I7 f
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 3 V' k' Q, a. a+ ?9 c
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重9 t5 x* U# ]& w1 a: A
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 c' l2 t9 ]* m1 }Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.9 G) D- Q1 P2 G+ q

$ j6 O/ ~& r7 @5 _; y  R[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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