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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是! T& \% r" s5 z9 l
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難$ ]5 o! N# X2 @) Y4 Z. W8 h0 s2 G
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
: I. l0 y. |% r. i須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
2 O) [2 w$ E) U$ H8 w% \3 J5 R才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
" q8 a: p/ d% u% _- S8 N* n錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓2 @  U+ Y( C% `! f0 ~
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況% j: @5 L- x# h8 z6 q7 t( Z- F8 H
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
6 ?8 o4 r# b# ^( q
( W9 o4 n- B; [: x如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 8 J0 `% ]; A2 y
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
7 Q, x; n4 j, J0 C! d: o" R我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, K4 o; d6 W: E; D4 h3 [PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD3 p! a9 x3 w, e1 H+ j* K) [! o! o
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況  H( X5 D+ o8 r4 e# r/ p" g
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. O4 P3 R1 b( ]4 A2 b都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
$ L; [& d- `3 }因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
0 x7 p( x+ v% C8 Z) g. h/ Q$ o* \最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.& x  i4 T, M$ u7 i
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
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[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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