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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是. L! P( i8 d% I# P; |# @0 B
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
0 w$ ?9 o, S# r了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
# |- j8 u" p" T% Z' u須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區: p7 ~9 F# c( I: ]1 v1 N
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
/ }8 N  L8 f" C" N. Q) n錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓( Z. S  T$ t7 Y6 K  {0 K# r
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況( n) h1 r- E, H0 r; J7 _- o
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
: T0 G7 l4 B8 B. P
8 R4 a3 R! g8 L2 e% Y9 ^/ v0 o如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
1 P: O* f, B+ {1 L+ J都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)# p0 h: m! p0 V+ ?
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 H: w$ D3 d6 z% e1 r
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD9 q, c% c, }" s  [+ l( \
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況7 S$ j6 m! h! z9 e. k
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
% T$ l- J* F' S% _; t7 T* c* a# |都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input : X) Q( h' G. B  R) U' e0 T+ }4 B5 z
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
( [9 {, Q0 J& `3 y最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
, k  _( g* M8 j8 L( y6 D% C! L; kCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.3 V5 l" v2 o( O+ j; ]$ T( `

/ U" Y# I' g0 j: `& b/ w[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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