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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
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避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
; G9 x o3 i4 K1 c. D
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
6 Q' s9 G, U: a
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
3 c/ O, e. z3 W
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
* u+ d+ U0 H1 ]& u( E; r
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
8 @( Z7 K, i( k: d
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
! e* M# Y+ {8 B k
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
) A2 i8 n- l. E F
( k: ~( g D; G8 S! G
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
/ o3 ]/ j I" A) R5 C& n5 S
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
. o/ b5 o2 _5 d/ }* ?+ r, A
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
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PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
: R, X# e& h _ G3 r7 S' P
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
, m) m' _: U T: a
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
: o- N* o9 @7 y5 m
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
- F8 P l! R# j: U
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
+ e( ]/ t" j1 ^; N" K
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
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Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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[
本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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