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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是) e* U4 @/ N/ X/ A& b8 ?6 G
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難/ _6 n4 h5 g) `1 `1 r0 d0 S1 h
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
! E2 V5 N, [9 m/ w3 e* h& ]- ]須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
% \! E7 S0 _  c! a8 u才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
# l' w; s% _4 S" O錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓% ~# Q( E- J! D" D6 ]
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
* Y* I- t/ d2 h4 h# {3 w* C# t6 Y" v下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
8 F" E" B: d- C* Z) q! m) O  i3 G; C( {  W( ]+ F" F
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
4 l- F" Y8 Q/ U1 t4 q* V* c8 z: i都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)/ z$ O6 |$ w* s0 L! A. ]/ t
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
3 c# }/ f: U+ @, B" _7 y$ C# ]3 ?PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
0 f1 N7 Q5 e4 A% h: Q  }但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況  U* d7 b0 \  m: I' w) w; C* V
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊4 K4 k- l- b4 S$ I4 O
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ) ]+ K7 S, g; y. R) R# {" g
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重9 W6 t% Y0 j0 a3 o/ d
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
+ u) P$ u$ @( R2 @* _* P( OCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.3 L  h" B" a* D$ l0 ~
( D9 \* l! j( U, F
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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