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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
4 p' H* Z8 ?# _6 z& p9 [6 f  l" o避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
0 n6 X) e* Y( H  Y% d了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必6 d$ a+ ^- O9 Q9 R! w1 f
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區$ X# k! z8 Q* m0 X
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
: F! Q4 U8 n- U) Q$ }錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
" U2 h' K5 w7 u) a. |不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況6 o: j$ @: d, o2 R4 h, p- B
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。) G( e) j+ m$ u' l

" i- E  y" A+ T; I如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
% G( S% P3 w2 K/ I$ v7 U都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)6 O# n# ^$ k; j6 Q; J% r* @: @
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
5 @+ G. y+ X. ]8 CPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
  E, s# M. \' _但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
2 G. \! F9 k& T* t) X/ b% {% d這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
$ K: H6 J* f) ]: R# K7 }0 F都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
$ G( J1 [+ {% Q: q7 A$ B1 @因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重6 s: t9 p+ z* E, K! j
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢., t: r( d0 e5 i/ H" V
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
( k. L3 Z9 y4 e: Z
! \0 \5 ]7 q9 Q% r0 A[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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