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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是4 ?7 W8 m4 C- K- W/ M
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難  p7 Q. p: z& ?9 o4 \# D2 j
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
9 ]% a$ W  c8 |6 C$ D3 Q須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
0 `% u& C; C3 s% f. ^- v才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記3 _# j4 m! X  i) z6 w  w) o  y
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓* M, ?$ c9 P) k$ Z
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
8 b8 u/ ?! S$ H% S$ z4 k下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。% y8 z" D7 o! n
& N4 m9 F' t# ?8 m" ?- B9 a
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. " V$ u; T# W$ S: t
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)7 l' n, o5 a" J
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND. b; ?4 u2 }- t- h! I& W
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
( P- V7 G. u: S8 ?+ e但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
" T" A* J3 f1 Q% m0 v9 f4 o這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊0 x: J& p. i  A" k
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 0 p$ Y% z  e, M, g2 I" W2 [
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
8 d, b& K( T( Z, R& c* j最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.+ p8 {. B+ T0 `
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.( u( O# S/ L) K4 ^2 X" Q# a

4 _5 `- w& ?! U1 m4 Y8 w[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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