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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
$ V: K; D" [/ P5 j' a- v/ n/ b5 l! _避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
1 c2 k* P' [! |0 o& v- N了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
5 e9 [6 c# f" c須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區0 H! v/ S) i" ~  Q. \/ T
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記2 Z; O6 U1 t/ j# A! V
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
* O  M) @' I- ~' A& i3 H不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況6 q0 P% m7 L8 n& b' `7 j, }
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。' U* {; Q9 z" B% e6 O0 J+ I
) Q* v; o, b3 w: Z
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
7 U5 _* _- c8 E: M都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
+ K. _/ a7 w( x* ^! l" i: J我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND% U# ?( V9 [% h% ^/ e; ^7 \
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD/ {. O5 u5 n6 c8 ^
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& q, h3 W8 R1 M7 R; w$ l+ E
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
0 O6 v( S3 ?! l+ i' f* e, y  k都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
# r5 K% e0 R' {' R, y2 J( [因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
  B3 m' I4 q5 n1 \0 F最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
& {" C& @/ J9 t" b1 TCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.5 G* T- B  u- m6 }  Z
3 K0 x2 n2 r6 `8 A# @* i
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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