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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
1 a6 A% H( w+ O" u- G: g避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
9 J# A, y8 i' E, t- _8 p了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
2 L8 b, P' i6 S: c! L4 M須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區6 J2 ~3 T  D- ?/ C0 q
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
( o" B5 G4 l  ?, Z- x( m錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
! \' Z4 B& T' R5 @$ \9 B不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
. m9 w1 `) Q, S1 K* p0 `3 n5 W下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
$ Z% C( g) T9 D$ A; \! N8 d: U9 F; ], `1 o5 |
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
1 t1 w' _$ e$ J/ j3 J都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)6 x; h8 m4 ^3 |7 E1 l
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
/ Z/ t$ G- K7 z9 e7 ZPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
3 ~% t1 |! l& x$ ]: i% j但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: K: D# x! `% J; w( o+ v; i這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊8 E  R( G+ b/ z9 }. X7 J
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
+ [" A+ f9 H* x7 x/ d9 E) U因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
# C* l! C& o" b5 w2 C最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# R: {* G7 {9 Y5 ~Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
; X" o# W$ O. ~* ]( @8 d$ g* z: C) j4 O2 p# a1 C
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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