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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是$ i' z9 \$ z- I
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
7 D$ W9 g) {! A" B7 S了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必7 \, C9 Z2 p# d: R0 r
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區* A. q1 w1 x" |
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記9 Q' `8 J% J1 y5 x4 @  T
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓  c: _: z  j% X: K7 s
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況5 D% D9 h) W4 o" x0 W: j) |4 J/ b8 i
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。+ f: {# k2 }: [" t. A5 a

  M) d/ _- L! f+ g; K如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
! q/ O& k. E; E3 h$ z8 e1 y都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
# l' }, E7 f  e1 q; E我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
: m5 M4 m3 L% w* ~PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD% e/ C* Q: L5 z
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況% V0 `' A$ h8 v& T+ B0 e
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 r, Y9 k5 ?" J/ ~  }' k- O都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input " q+ w3 a, O% {6 H! }
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重: ^, O) ^5 \0 ?# D# c
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
) h% Z' c* J+ U' _! K0 n( [: eCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
/ Z4 |& X. C8 J0 a3 d
7 P1 W; o7 [  @[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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