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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
& y9 w- B, T( J# S+ Q
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
0 H) V8 n8 D0 H2 m# R2 p6 s
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
0 |) D" i& P, {6 A/ T
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
! u8 I' w( f, H$ [& w
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
" ^, M; P! X8 w$ d
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
9 @' l- [2 I1 q' ?2 V5 [
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
9 }* }" w t& L* X7 j
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
8 G" Q1 ?5 |' C
6 g& l. k5 Q- ]- D
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
- m/ U" `+ `/ H5 Q# ]
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
' F6 ^4 w( [% s0 R3 }
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
' w- g7 \3 }$ c2 N
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
! d( x/ Q$ W6 B: T# g/ o
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
* x L* t* h* Q5 G. a+ s1 b3 [
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
7 ]6 c0 Y! A, _8 h4 c
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
6 Z; m9 B( l9 u" `. `9 P. @6 E
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
4 C; O9 h: ~( D
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
% Z, ~( r* ?$ B' `& v
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
3 g6 @+ K, y* ^; u
& Z$ {" e, Q$ ^; ~& D9 P
[
本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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