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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
: n, [8 ~/ h1 A# l% S* o# w
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
/ y) f! h# l. o i5 v
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
0 ]# K+ J/ I6 F3 J) Q: [. |6 ]
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
' q) W7 @& ^( o* S# _+ I- I
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
: C2 _3 s; \+ a/ T; S
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
4 y, l a. e6 Q9 [+ k
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
, K5 q# {" h: V
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
% P) f% m" u* L
, n9 f4 i* M/ @' D
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
3 b& |' y+ i* W' O: F
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
# z1 \' c% k" G
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
# c9 M$ S$ q. o' D1 }; x
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
3 D4 x8 _. O O; P" [
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
2 ^, E7 h7 ~4 }; e" G$ v4 L) e
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. `% a# I6 @+ O' U- k6 _
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
1 t( N1 J0 I8 @: G+ c
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
! {( H+ c: j# s) W& V* G
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
" M" A) P! X- B3 {% J8 F4 K/ H
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
% r* d, I) ?6 o: J' {: C& l' a
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[
本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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