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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
' G# T# s- w! r
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
, v. O3 }8 h0 J t7 H! X' @1 t R X
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
& g1 Z4 L( L$ O1 u
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
9 |) ]3 S. Z6 M0 N& q/ ^0 c* b! J( Y
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
+ v s+ V/ ~9 c" ?% O( ]
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
& Z! [$ @ b& L2 @
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
$ ?$ ]/ U! y3 `
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
4 b( U' A( f' t0 ~) |4 q3 L. e
& J" r& S5 q# T+ G
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
0 D1 D/ M4 `. _
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
( y, x$ ]' O m- l. S8 f! u( K
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
* w9 j% L& e7 C+ h! i, t9 H- P
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
4 |' Q5 {4 Q- T/ o) q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
; [7 i1 c: n* Q8 }9 V2 b
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. w3 C! Q& x1 g, Q' [# F
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
0 D$ p' [/ p# T8 Z M
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
y5 n$ O/ \ n# O# E& Q2 u* H
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
5 J: @% R$ O& x0 y3 L
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
* o. T$ [ i; l" m. m
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本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
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