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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP，另一個就是
0 p" c( T& F/ U5 r
避免BODY EFFECT 也就是基底效應，如果你有讀過VLSI的書不難
* m( g. c8 ~% l1 H7 V
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區"，空乏區的產生必
3 V- Z+ P6 u9 u c s
須透過從GATE端輸入的電壓，當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
2 r( F6 ^9 Z1 d6 P: j
才會產生，臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係，如果沒記
3 I( h9 n/ v$ O1 D- A4 ?1 ]% c* v* w
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓，如果SOURCE端電壓
1 o( p/ A3 `4 D9 B
不等於0，將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大，相對這種情況
% l' j7 I- ?6 d4 |3 r
下的MOS就不易被導通，而且增加了電壓上的損耗。
) e8 B1 i5 y3 [# u) ?& f
: }) {( t' U# K) R3 H
如果有寫錯還請各位指正，謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言， Body 可接到 S 或 VDD.
) H; I$ g `' c: Y3 ]
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
! O0 b* @0 @! Y! r
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
, f8 R- S# ]7 ?/ o8 m) ^
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
, }+ O' M0 [6 x" X( n4 ?
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
( z# K* r9 G* T6 J# [
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
, {3 K/ V9 o: X1 B6 }, K* G
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
( U5 U& w, J. }- }6 B
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
/ K+ e% N) c6 W' }$ e0 G
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
$ d0 \: q3 z, I/ Y1 Q1 n9 A+ M5 {
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
( z9 n5 y* z1 |) ^
k3 S1 g) j6 W7 B
[
本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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