Chip123 科技應用創新平台

標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
6 d, w0 W- h, B8 n避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難9 t* w2 I& _/ C- K: I8 ]
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
( @* f" v( b4 I! L5 |8 z/ r9 o# W須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
9 n( ~# R7 X, u9 \# ^5 k& x才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
  t% u: I6 _3 c2 [) m錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓8 j! G* h- E* ^. |( q: ~/ x
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
3 P# r( Q( m) v下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
8 |. S* z% T6 h: b& ?, ~
3 `# {$ S5 u8 E; T/ t) P/ Q如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
$ V. @- _, \1 r8 G% f, Y都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)( |% |( k$ r  N2 l
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND& h( b9 }  \/ ]% `  e
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
, m; w9 k; }; E$ p7 R/ C但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
6 P' {/ M9 g7 Y) t這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
5 z) b; s' G/ M+ ^  s. p# k6 E都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ) N# e7 C0 V# }0 B/ U
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
- \" X9 Y5 ]* _7 D- l' f4 {最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 t3 |+ g* e! p9 _/ ]  gCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.7 D- w' R9 N) P# Q# ]5 G
, s3 w8 x' g8 S7 g
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://chip123.com/) Powered by Discuz! X3.2