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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
7 h3 {2 j r. A1 S" A, f
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
- Z$ m( E' U" b9 h- z' j
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
1 a& t4 m b) I! P
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
$ K: r6 ` U) _0 m0 K: L
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
9 J V7 M5 c+ I$ ^: c. S) w5 r7 I( c
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
0 g4 N" I! a" ~8 e$ Y2 u( N
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
% Q- i- W5 I# ^& A+ V
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
: }/ `& Q* f$ R8 o
4 K7 N$ l' Q1 K# Z
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
$ y# y' [8 ~- j
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
& J5 i0 {: ], h: X
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
8 \( y+ u2 k6 |, w5 {- L* r b
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
2 |% H3 z' K7 s) |0 l/ V
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
$ z$ U6 W8 }% B: C1 P' n
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
) {- h @. ?4 m! P8 z1 K) s
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
7 h6 l r+ L; C6 ~$ K
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
, d$ s! }- X: B! i
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
1 S, X0 u' Y8 W( [1 N6 m
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
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本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
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