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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是1 P% T; v- g1 }% U; d$ i: ~
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難1 y( z6 Y4 g- n# l
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
& ^6 d. E) e8 Q7 d7 {, x; g% ^須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區9 U/ w0 E  m! F1 e/ V7 z  ~
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記* c4 F: ]7 k' H% ~" o0 b+ {. X
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓. K5 [' I- B5 D* ?$ c  S3 p# ~) E
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
* S. h$ {% w7 j5 g" @* o4 l: A# z下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。- W5 {! u, i1 g0 B4 j2 T

- g1 V& ^7 X, B4 L1 |如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. ! s2 |) ?* T/ ]& R
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
  g- z  c. C- y我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND5 |( X) b' |% r& F/ o
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
$ o6 G) p2 N9 |  _1 D, Q但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況2 v) b1 T$ K* Z9 o# w
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
% B! u5 D. `8 E/ ]都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
2 }% V" T, ^' w6 E因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
  T  w* H3 L& U- s" m1 s最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
7 [1 g2 c& K/ c( YCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.  [' b8 X) F- [( b& S
: E( Z+ ~5 }6 w, l) S% q
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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