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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
2 Q4 h( o( V" H避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
( u; v6 {' C& ?了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
& g* f: E* e& I3 C( ?( }: L) O9 O須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區) S9 H' M8 P( l6 w+ \& O) L/ z
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記, A/ Y' n) q2 U* `
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓( ?% L5 N2 `6 Y- F+ i& d: u
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
, q/ D+ Z$ B, b下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。2 p* V0 M1 E. X* r5 K6 l

% g! P8 z5 m, P/ ~如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
5 F/ }; z2 K; J1 V: \都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
- y2 M$ N8 F" S0 ~我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
. I3 e$ o( H* B2 V6 iPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
" `' s% A8 ?" |1 u' X9 ~, g但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
% {: _3 d8 o- F& n* u5 z. R這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊$ s. Y+ C/ B: z0 h3 [
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
3 c6 C" |' a# m. r$ l因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重( b2 P6 I# w& l( C
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
+ T) _/ f% d, N* n$ U0 o# a, jCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
# l. D" n3 d4 k: A# P9 _; L$ H
0 n  }" A: Y% ]! V$ G[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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