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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
/ L4 q6 a/ A+ p! f, n0 S& m! G
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
/ _# e: t3 S- i$ R/ A8 S* ^2 q' g
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
7 G% W* t* d; l5 g
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
! A0 ~* g. C/ N3 U M
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
2 Z* K4 H# k6 A+ t6 n/ J
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
6 g. k E3 K# k8 I9 W
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
) H f: X( d* v. q$ Z
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
" c/ V% Q6 L. V
: _% N9 V1 V% U' V* S
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
: J& t7 ? a& j
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
2 o7 s' S" I2 z3 g5 L
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
1 G. ?; ]* K. A2 u9 B5 K! t& r% l& D
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
$ m; Y# T' s$ Z6 l e7 r
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
/ ?- B& H3 Y1 a" K$ f9 `
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
- X5 D v0 c$ P. `! A5 y3 t; W8 B6 G
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
: U$ o9 Y" C( ? ^ u0 _3 b
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
/ ]0 \9 Y( e4 D& ]) n5 z1 k2 ]1 C
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
# ~9 p& [7 l# M8 v; z/ f" ? [" Z
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
, k1 Y/ e; W4 |5 k: A, O
0 g6 M- t9 y0 P/ s2 Z
[
本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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