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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
* e3 q: S& M3 o+ [; Z3 `" n避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難9 q) r1 M# C' h  x6 y3 A
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
" d* U% [. W- K: o) ~! ?. H須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區: x7 B, n2 u) U9 f0 s  u( R
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記& b5 {6 |2 I+ f: o* S
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓* h1 n& `, B& p
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況  J/ {* T6 f" j- L
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
' Z3 H1 U* k, w, Q! J# w
( x3 `; V4 u1 ]7 A如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
" {; `; V6 D0 A" l6 O6 Z都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)1 x1 N' o' C: E2 h4 s" v
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
# n7 m; D6 _& t) `# C7 m4 iPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
% X+ I  l" \: x, l& A7 |但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況# P' h% f& A" J
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
" j- [, v8 B3 U都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input * Y; _, C3 |8 R7 t( ?2 J/ \( s
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重0 l! G$ c  s' O4 N( Z& x
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
( U* _6 d) i2 XCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.2 h; S# c+ ?& \7 {

+ b8 ?( F& ^( _[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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