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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是2 ~# h; z5 w! Q
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
1 j- [' L" f$ f* a3 Y* Q了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必- a2 M/ F3 k- h$ ?% a! j9 r
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區3 X7 N) A, A1 e/ r2 i/ l
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記+ L% c. r+ \$ X$ {* ^* [3 \, k  ]
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓7 e- H3 R) p, M
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況" t; t8 h9 j+ R8 Q: b& x3 B
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。& y) y  x" }9 l; z

! j5 p! \5 O' N0 X, {9 s, I如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. " s" u- }; p' G+ z
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
2 g1 F7 Z/ g3 l+ ^, i: I( G) T我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
4 w5 p) O2 t3 C$ x  k/ FPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD7 M2 _! r* d8 n: u' ?4 Q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況& \! P; u  r! q% ]" L# |
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
: J6 [8 m4 j& B8 s1 A: ]都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
$ S; d, @' m3 ?2 ^+ R# n' {8 ^因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重* ~  u! J7 Y4 Q, a
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.) o6 X  G; k* u& k7 ^
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.' z4 u! H* u7 d8 l

! W% Q4 ~$ d$ y* k/ H2 V[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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