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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
4 R# w; Z1 Q, W& H$ w& G避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難9 ?  [' A( z' D
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
0 u  O1 |/ o& Q5 j1 E! Z4 U3 }3 ?須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
, f$ b% Y" e3 Q$ k: t+ Y2 ]' x才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記0 b2 z- C, H: y# l- I
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
, n& W% ~: c8 F1 Z6 s不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
3 H8 I$ a. [& ~3 E( n下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
" M2 U) K. Z# P6 }% C
( y" l/ K; B4 `6 T8 m$ B如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
9 w. e1 O4 }0 D4 b1 L都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
, @! n' {! c! _8 p; A我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND$ J, T  f5 H6 H5 @: i8 R( t$ k
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD. @: u/ X5 \. ^) X6 M3 w5 I
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況6 C6 ?/ v7 t/ _5 j# D# C# f
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
8 Z2 s8 S2 t; F1 `2 Q( ?1 q都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
1 P( i" k$ i# R' v; V' y- d因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重7 e9 U0 p$ S4 g7 |5 B7 o7 l5 b
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.) p8 S: h/ \7 [. Q# Y
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
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# {6 M; A7 `4 K' |( A3 e& K[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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