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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是/ Z' i! G0 I7 o. o3 ]
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難, H0 |! ^* v& n4 g
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必+ \% ~7 r" q- U6 L
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區: [. a8 U: s( v9 ^/ w7 G+ `6 l
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
; x. q1 M+ d6 m. d' u錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓% Y2 [0 c- ]9 Q8 `6 ^5 ^
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
5 c2 z; l, O8 J: y6 [0 A+ ^下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
9 Q& q3 i: ~3 T- b. `
9 d# g% o3 U7 f/ h如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
. g. a+ Z$ T& q: m, t都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
; h, _4 W$ L5 R7 [; b! E我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND% x( c  \, o/ L! E' }5 g" M
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD0 O  e4 ]$ y3 {% }/ k, J  N
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
$ y! e  r4 j5 C" M# V) X. G, `這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
* R' l6 g. c" I5 ?3 q! a; F都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
4 X( g/ m0 O9 Q: I! T因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重7 q9 w" R# y. M+ p- b: u
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
8 G5 U1 V+ ?' l4 U  V; ?4 ICascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing./ t' A/ [7 ?; U
/ _0 D) c7 B- y7 Q3 H% P+ l
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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