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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是2 {  A8 s7 l) S& {3 ?$ b% v6 h
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難  A1 Z  [6 j0 T  e0 G
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必. D$ P, U- d8 u: q# S. i! F
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區. A% B# q0 `$ s$ `/ o$ g/ E+ W+ h
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記9 n5 f$ D$ W/ t& R# t. P7 x
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓* c( B3 I( _. x  k
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況& ~: ]* ~5 M8 c$ d9 ?2 x8 E
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。! x: b# x; T& X( @. Z+ |6 w
( I; u7 r  a' S, z" {+ n5 B! W
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
1 K8 |1 W* a; w0 I1 T都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)% ]: M0 {- ^" O: M
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND; o( L+ G1 j5 i2 ~! f* k
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
( R. D% ~. x9 }9 ~. A) k* Z但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況3 }* R! H; @/ ?4 ?/ l: B* f
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊- p( b$ |" J1 R  ~- r7 S8 D
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input ; t: j. o3 |: a% x, s& _
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重% V- g5 i+ y1 J
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.& y& e" E- W+ H6 O: ]
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.5 d+ V# k, t. P# b& S, V
; V4 {, d4 H. H
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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