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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
! J) x8 J8 s7 U/ _" \( W
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
/ z8 n8 {( w) v; |, V
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
0 d. z) x$ K# B7 N
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
) S3 V- M$ n l7 ?( w
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
1 b" f; U/ W7 K' ~
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
' y2 b' G0 ]. \2 U& k; [
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
/ N Z, i$ [. r; ~# D1 d0 @
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
0 |: s* ?& s% m1 y, J1 M7 g
! d9 M8 \! J, H) E
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
; I8 m! r( z1 O/ Q; k
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
+ s7 r1 w* W8 Y+ C- |' h
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
4 [7 F+ G' i0 b$ Q
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
. E$ v" v$ B( M; Q* Z% w* s
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
! @: I- a) Q8 `$ Y& A( l$ ?
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
( K0 _4 i, E: ^5 k; K7 K: B; B }
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
# M3 f S- W" R6 v5 z7 \
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
' K+ Y( E: D5 B: v. B
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
: \* n. R2 T) K$ n2 u
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
1 N/ O* _' }; q0 T/ E
7 m" X. s O+ q3 v# r m% w( z" I
[
本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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