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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是: n, [8 ~/ h1 A# l% S* o# w
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難/ y) f! h# l. o  i5 v
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
0 ]# K+ J/ I6 F3 J) Q: [. |6 ]須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
' q) W7 @& ^( o* S# _+ I- I才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
: C2 _3 s; \+ a/ T; S錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
4 y, l  a. e6 Q9 [+ k不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況, K5 q# {" h: V
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
% P) f% m" u* L, n9 f4 i* M/ @' D
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 3 b& |' y+ i* W' O: F
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)# z1 \' c% k" G
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
# c9 M$ S$ q. o' D1 }; xPMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
3 D4 x8 _. O  O; P" [但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況2 ^, E7 h7 ~4 }; e" G$ v4 L) e
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
. `% a# I6 @+ O' U- k6 _都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 1 t( N1 J0 I8 @: G+ c
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重! {( H+ c: j# s) W& V* G
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
" M" A) P! X- B3 {% J8 F4 K/ HCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
% r* d, I) ?6 o: J' {: C& l' a3 ~- q3 e- @- y7 g; y; ~  g
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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