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標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
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作者:
crystal_blue
時間:
2008-3-30 06:28 PM
標題:
為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
. r4 ^0 }1 ~4 J- _: {
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
: N6 o9 n: w. j
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必
1 V( o' y9 G; e4 S1 l
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
+ q" S, T+ [; y" W* j# S& p
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
8 p- H( Z6 m7 H! ^7 g% A' {
錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
7 Z( o0 m$ r0 T3 ?- E
不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
+ T8 s: {+ I( J8 ` b. D/ O
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
9 J% q6 l2 w& U& J
7 g. j' o2 L* S
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者:
shaq
時間:
2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
# T' Y& G$ N9 G- h1 {. W
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者:
m851055
時間:
2008-3-30 07:31 PM
標題:
回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者:
ritafung
時間:
2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者:
yhchang
時間:
2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍 覺得文中所稱的 空乏區 應該是 反轉區吧 (Inversion Layer)
3 O$ d5 x/ t B7 c% J$ O" X
我的認知是覺得 Body effect 就是 VBS=0 NMOS就是 source與bulk 要接到 GND
6 C0 ?( A' ~+ |+ D! o
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
. ]0 ?' k! }5 \* l4 E! d
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: k8 l2 t. n9 q1 B' z& P7 F/ k
這通常發生在 MOS串接的情況 不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊
8 M- J4 ]8 H! b; g6 m
都無可避免的有 基底效應出現, 所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯 最多就是用到 4-Input
7 l6 H3 ]" [7 G( L
因為太多輸入時 串聯的MOS間會有 Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
+ W/ d% s) d+ w5 H8 G
最後一個Issue是 該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
9 J5 q0 x/ B& B5 S& I1 ^
Cascode最多就是疊兩個 疊太多會傷到 OP ICMR 或 Output swing.
8 c% }% _* m: ?& w0 V4 x. {9 s Q
* s2 G7 E. E7 I$ [' ?
[
本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯
]
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