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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
8 p6 T0 k, x2 {: _( M避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
7 {7 W( G' M# A了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必% S7 G- ~7 |* h
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
1 a5 ?3 W: b; a3 J才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
% \% V0 w+ R1 D錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
% G& H3 i, Y4 V5 ~不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
3 Q7 s* f6 h* _( Q0 u# N! c( J下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。% I* ^& z% E1 K$ p2 ?2 i

* f1 {5 Y6 o7 m) V! w7 g% j如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD. 1 g! h& e3 t( F) f" N# d
都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer), }" A8 p8 l% U- N' A" {. P, T: D
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND" m, Y+ L7 C2 U6 v; K. L
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD/ C* t- y* a% J' e, F' E( q
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況4 F2 M  f" a5 K- E2 Q
這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊6 }/ R, I8 \3 J- W: C0 f1 }
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input
  Z) {* b+ X4 n  ~. @因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重
- w7 j$ L- f/ _- a/ L最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
; b* V3 C. R/ B8 ^' lCascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
  L! S, }9 ]2 [# p1 n
  O$ k& B. J3 Z7 C2 s[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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