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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是
. r4 ^0 }1 ~4 J- _: {避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難: N6 o9 n: w. j
了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必1 V( o' y9 G; e4 S1 l
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區+ q" S, T+ [; y" W* j# S& p
才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
8 p- H( Z6 m7 H! ^7 g% A' {錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
7 Z( o0 m$ r0 T3 ?- E不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況+ T8 s: {+ I( J8 `  b. D/ O
下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
9 J% q6 l2 w& U& J7 g. j' o2 L* S
如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
# T' Y& G$ N9 G- h1 {. W都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)3 O$ d5 x/ t  B7 c% J$ O" X
我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND6 C0 ?( A' ~+ |+ D! o
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD
. ]0 ?' k! }5 \* l4 E! d但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
: k8 l2 t. n9 q1 B' z& P7 F/ k這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊8 M- J4 ]8 H! b; g6 m
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input 7 l6 H3 ]" [7 G( L
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重+ W/ d% s) d+ w5 H8 G
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.
9 J5 q0 x/ B& B5 S& I1 ^Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.8 c% }% _* m: ?& w0 V4 x. {9 s  Q

* s2 G7 E. E7 I$ [' ?[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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