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標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK [打印本頁]

作者: crystal_blue    時間: 2008-3-30 06:28 PM
標題: 為什麼MOS上的SOURCE要接到BULK
BULK與SOURCE端相接的原因除了避免LATCH-UP,另一個就是% f- e) j6 N' [
避免BODY EFFECT 也就是基底效應,如果你有讀過VLSI的書不難
5 `0 M2 x# s2 m6 W% b: ~% u了解SOURCE跟DRAIN的導通必須透過"空乏區",空乏區的產生必8 n. A/ R  x2 {& v4 N9 l1 [7 q* o: ]
須透過從GATE端輸入的電壓,當輸入的電壓大於臨界電壓時空乏區
2 g) W2 y5 v/ ]( ]4 {' d才會產生,臨界電壓與SOURCE端的電壓有密切的關係,如果沒記
+ _+ R! r6 k2 i  [錯GATE電壓+SOURCE電壓等於臨界電壓,如果SOURCE端電壓
& ?0 @7 A9 ~/ A1 D( t不等於0,將會造成打開空乏區的電壓必定需要增大,相對這種情況
5 X8 O( z# b0 |2 ^/ |下的MOS就不易被導通,而且增加了電壓上的損耗。
5 w  f% V& R9 v- S7 i+ _
0 O8 ~2 n! m$ V, a8 u) e8 O: a如果有寫錯還請各位指正,謝謝。
作者: shaq    時間: 2008-3-30 07:15 PM
以 PMOS 而言, Body 可接到 S 或 VDD.
) W* |( b8 y) z1 z1 f* z! a: B' d5 |都是為了保持 Body 對 Channel 的逆偏。
作者: m851055    時間: 2008-3-30 07:31 PM
標題: 回復 1# 的帖子
應該是Vgs>Vt也就是說Vg-Vs>Vt........................................
作者: ritafung    時間: 2008-4-1 12:18 AM
Seems it depends on application, Vt vary with Vsb. Mostly if we want to have min. Vt, source is connected to bulk.
作者: yhchang    時間: 2008-4-1 07:29 AM
讀了一遍  覺得文中所稱的  空乏區  應該是 反轉區吧  (Inversion Layer)
; b$ m; c9 h. L- y! h0 h我的認知是覺得  Body effect  就是 VBS=0   NMOS就是 source與bulk 要接到 GND* ^9 Z  Y+ K2 J4 L. S, v2 H1 z# ]
PMOS 就是 source與bulk要接到 VDD( o( _( P. y- E; Y3 ~8 |
但是電路上還是會有 VBS不等於0的情況
+ j- i' A! }! }7 y: y這通常發生在  MOS串接的情況   不管是 Cascode還是 CMOS邏輯 串聯的那一塊+ r2 Y0 n1 Q: q+ p! K. R
都無可避免的有 基底效應出現,  所以一般來說 我們做 CMOS互補邏輯  最多就是用到 4-Input " k( [* [" `! H/ L* V; w6 N
因為太多輸入時   串聯的MOS間會有  Chrge sharing的問題, 其次就是疊越高的MOS Body effect會越嚴重' @  |/ G$ x- s: S* \* w/ N+ V
最後一個Issue是   該邏輯拉到 1或0 其中一邊的速度會變成非常慢.7 e) Y4 I8 ?2 O
Cascode最多就是疊兩個   疊太多會傷到  OP ICMR 或 Output swing.
8 i, M- i% z. I4 n; U/ P1 f2 b0 g, z
[ 本帖最後由 yhchang 於 2008-4-1 07:30 AM 編輯 ]




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