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標題: how to choose the resistor value of gcnmos [打印本頁]
作者: scy8080    時間: 2008-3-20 03:10 PM
標題: how to choose the resistor value of gcnmos
how to choose the resistor value of gcnmos structure and how to implement the resistor in layout?for example diff r ,nwell r or poly r.2 S- k0 |0 Q! F' t7 Y

3 G3 \. n/ X( P! F9 r/ P
+ n* W/ r1 P9 D+ ^9 s; m4 V# |- P7 win the picture,whether do we use diff r or nwell r instead of poly r or not?
7 \  N; l+ G: H6 C9 {' x+ F
6 A- h- R; J; {7 `( h- o4 {$ mthx
! i2 T* n$ X4 z# c3 e* z+ j' O; K* C$ q3 s! ^
[ 本帖最後由 scy8080 於 2008-3-20 03:22 PM 編輯 ]
作者: 小朱仔    時間: 2008-3-20 05:45 PM
Sorry my engilsh is bad, So i write chinese% M+ V* g. q/ Q- I" E' @: t% S) i
一般來說如果您要使用大電阻就請使用nwell電阻但阻質誤差率較大
8 ]" T2 B- {/ o2 l如果要用精準的話那建議採取poly電阻% Q, q2 j4 q/ [0 C0 k! Z
$ d/ N4 h' C3 ?
以電阻阻質每口W/L=1來看 nwell r > Poly r > Diff r > Metal r" \$ r' ^* k9 o4 Y( D
以電阻誤差來看 nwell r >  Diff r > Poly r > Metal r& v: y1 p- n, x7 X- V( f
以電阻面積來看(以同樣阻質來看) Metal r >  Diff r > Poly r > nwell r  
* [, ?( `7 P/ L( R+ P: \4 m0 E  Q  J6 A; i  _5 a
參考看看囉~~
作者: laurence    時間: 2008-3-21 10:39 PM
What do you want to know???
# O# d! g! b5 Y6 A. i) _5 t+ IGCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
7 T9 j1 ]+ C- P4 f1 IGCNMOS not look like your picture circuit...
9 R2 u7 C& x! p% {( C4 c! j8 X' eGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
& A4 y+ M& Q; `) q# }2 CNormally, We use 50K ~ 200K for GCNOMS Res.: p/ w; s: F7 U2 c8 s7 r
& p, I9 p6 p; o% N( a" z
For ESD serial Resitor, That is only 400Ohm request...' y5 @5 o! J9 c. g: D
$ Q; d$ C1 ^9 _) t
BTW, For ESD protection, Normally select the HR-Poly res.
作者: ritafung    時間: 2008-4-12 01:01 AM
How's the performance between GGNMOS & GCNMOS?
+ g% P* A, t* Y" j* QDoes GCNMOS discharge the ESD pulse by the strong inverson channel induced by  gate coupling effect? How's the effectiveness and ESD robustness per area?4 B* i1 x) b0 q/ s+ b: Q$ W  q4 u
We normally use GGNMOS / GDPMOS + RC-trigger clamp.
/ H& e! b7 p9 F: q6 D* I8 ^5 sAny idea to exchange?
作者: cthsu1    時間: 2008-9-8 11:17 PM
標題: 回復 4# 的帖子
小面積的話 兩者只有 Turn on voltage 的差別- }3 h  A  n8 y$ ~1 t0 B
大面積的話  GCNMOS 比較好
) y) O/ S$ z+ T% Y$ P但是要小心  如果 Power 會動的很厲害的話  會漏電
作者: bryansu111    時間: 2008-9-22 12:58 PM
請問一下,關於GCNMOS ,4 |; I1 _, H; N
Power 會動的很厲害的話會漏電.; m1 y! n, U1 P0 ?6 B( q

: B8 r2 C4 I/ I+ e; }# p4 d是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??/ j* g7 I. ^+ t/ m8 O
那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??# i- \# q. }4 z. N
麻煩請解惑 ,謝謝
作者: semico_ljj    時間: 2008-10-23 10:11 AM
原帖由 bryansu111 於 2008-9-22 12:58 PM 發表 : g. q, o: A/ \. p1 ~
請問一下,關於GCNMOS ," i1 a# {2 ]$ H0 M) n6 d! V( O2 E
Power 會動的很厲害的話會漏電.
0 ^% z  G, [+ l: L* S/ ?
9 s( |  I$ d3 F0 t! F4 V5 \是怕NMOS被turn on 而漏電嗎??
( L7 A7 z' o( @" V那所謂的power會動指的是noise嗎??要考慮的是noise的振幅,寬度,還是頻率呢??1 ?7 w6 {5 d3 {! @
麻煩請解惑 ,謝謝
/ X+ G0 j; ^3 P0 M1 X6 N
& q# J9 D. c8 k( g' x( g1 ]
是的，但是一般不会是噪声，而是power如果经常会大幅度突变，可能会引起瞬间NMOS被turn on
作者: scy8080    時間: 2008-12-4 05:40 PM
原帖由 laurence 於 2008-3-21 10:39 PM 發表 ) g, R; a; g2 D4 E
What do you want to know???
# I7 J- M# G) r) m* d' i& U1 R6 aGCNMOS Res. or Normal ESD serial Resistor..
; E* y# j4 r) f. hGCNMOS not look like your picture circuit...
( z& C% S; Q+ S  D' x4 KGCNMOS used Gate Cap. to speed up trun on time for discharge ESD current...
: W0 m1 K- x% W3 X  aNor ...

2 R5 j; _; p* k, z4 P8 W# h3 X4 Z
2 n6 @" ~1 ]9 ]  n1 t" c不知道你使用的是什么工艺？
. v* |$ V; A: W- }8 i5 A我接触到的GCNOMS Res大约为2K~5K的样子，不知道为什么你可以取50K ~ 200K ，这个电阻不能太大，也不能太小，不知道有什么考虑？
7 \4 P2 ^' U: L2 l2 k8 x9 b0 q/ [. _4 A
是不是无论ESD serial Resitor还是gcnmos 延时电阻都可以选用diff r ,nwell r , gate poly r or high poly r中的一种？有什么考虑？
作者: semico_ljj    時間: 2008-12-4 08:49 PM
標題: 回復 8# 的帖子
GCNOMS Res一般就几K，20K以上就很少见了！
, T1 u7 N. c7 ]6 m5 {9 ]% a0 E  Y* ~; C5 x/ V( T9 B
延时电阻一般就用Nwell，或者High Poly！
作者: wph123    時間: 2009-3-24 01:50 AM
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