Chip123 科技應用創新平台
標題:
MOS DUMMY大小
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作者:
s055661
時間:
2020-10-26 10:48 AM
標題:
MOS DUMMY大小
最近遇到問題是當matching完為了防止蝕刻
r) ^1 u: k; n5 B1 ]( H: P
所以要補上DUMMY但是DUMMY的大小要怎麼去設計呢
# W$ P6 h7 j0 V" T9 k0 w- K! ~3 ~) t
有人可以跟我解釋一下嗎? 謝謝各位~~
W7 ~- q$ [2 V) Y& \4 @. x9 k
, e" r5 G" K9 M
作者:
tony9211
時間:
2020-10-28 01:20 AM
可能還要考慮 WPE/LOD 之類的不過如果真的要無腦放 然後也是偏類比的
: {, c$ N0 v) _& e8 c1 r9 g
你就把旁邊 主要的mos 放兩個W/L 一樣的在旁邊吧
. }. X* H& k/ @, z& _$ g
作者:
joe1102
時間:
2020-10-28 10:03 AM
補充，Stress spacing 也是考量之一，
+ e$ l- p7 ~) _: j
9 A$ y( J6 Q* ^" X7 R7 B
至於說要怎麼設計？
- N2 m. G" J; X; U
. N& \+ S" x2 }6 {: r' n" p
通常layout的作法，會直接使用您需要加dummy的device的直接複製相同的siza 作為dummy
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5 h3 f1 d# I; A$ M3 j
S/D 的接點就要看你的合併的訊號源作為依據去設計，G接地即可
0 o. X2 i9 F! m
1 p/ T) E, X p1 \: [; o' m
至於dummy加的量以designer為主，至於加多少量參考經驗值作為依據，每個製程被要求的dummy距離不一，
作者:
huangleelung
時間:
2021-6-23 06:06 PM
詢問有經驗的人，或直接請你的designer跟你說
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不同製程，情況都不同，所以沒有一個能解釋清楚的依據可以通吃
5 K( E8 f% G6 b0 [
但學科觀念到是可以幫助你理解原因
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