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標題:
MOS DUMMY大小
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作者:
s055661
時間:
2020-10-26 10:48 AM
標題:
MOS DUMMY大小
最近遇到問題是當matching完為了防止蝕刻
4 ^8 Y2 x; L* q& ^' M
所以要補上DUMMY但是DUMMY的大小要怎麼去設計呢
% l& x( q" ^- j
有人可以跟我解釋一下嗎? 謝謝各位~~
# \9 R6 D: A/ p* q
: y. k+ `2 ^) ]( N
作者:
tony9211
時間:
2020-10-28 01:20 AM
可能還要考慮 WPE/LOD 之類的不過如果真的要無腦放 然後也是偏類比的
. B% H; J) @3 p7 B8 [' T# S$ f
你就把旁邊 主要的mos 放兩個W/L 一樣的在旁邊吧
, w1 S& ] C# j O! _* L3 }
作者:
joe1102
時間:
2020-10-28 10:03 AM
補充，Stress spacing 也是考量之一，
: Y+ M$ i+ O4 n2 k
a; x4 N) E+ L% d2 Y
至於說要怎麼設計？
3 i. j F1 r5 D* E# N) c- u* D0 T0 Y
8 ^2 e+ Y3 ]/ m( a9 w
通常layout的作法，會直接使用您需要加dummy的device的直接複製相同的siza 作為dummy
% P, i: p* W) W7 ~: z$ f+ |
/ A4 L8 g3 O* i2 y( G$ \
S/D 的接點就要看你的合併的訊號源作為依據去設計，G接地即可
3 y6 j: T1 } b& K
/ C4 m' a% U! h D
至於dummy加的量以designer為主，至於加多少量參考經驗值作為依據，每個製程被要求的dummy距離不一，
作者:
huangleelung
時間:
2021-6-23 06:06 PM
詢問有經驗的人，或直接請你的designer跟你說
) ]# V/ z; D6 W4 f6 }
不同製程，情況都不同，所以沒有一個能解釋清楚的依據可以通吃
! L3 x+ o' @. m; p* ]- f, C: ]7 ~
但學科觀念到是可以幫助你理解原因
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