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標題: 凌力爾特理想二極體橋式控制器可適於−55oC 至125oC 軍事及汽車應用 [打印本頁]

作者: insightpr 時間: 2014-3-6 02:10 PM
標題: 凌力爾特理想二極體橋式控制器可適於−55oC 至125oC 軍事及汽車應用
凌力爾特 (Linear Technology Corporation)日前發表用於9V至72V系統的汽車(H等級)及高可靠性軍事(MP-grade) 等級的理想二極體橋式控制器 LT4320 ，元件可透過低損耗N通道MOSFET電橋取代全波橋式整流器，以降低10倍以上的功耗及電壓損耗。更強化的電源效率使其不需笨重的散熱片，而可減小電源供應器尺寸。低壓應用可因省下二極體電橋中固有的兩個二極體壓降而受益於額外的餘裕。相較於傳統的替代方案，MOSFET電橋可達到高空間及電源效率的整流器設計。H及MP等級版本分別保證可操作於−40oC 至125oC 及 −55oC 至125oC 溫度範圍。更多MP等級元件資訊請參閱凌力爾特網站 http://cds.linear.com/docs/en/quality/mpgrade.pdf.

LT4320的開關控制可平緩地開啟兩組適切的MOSFET，同時保持其他兩組關閉，以防止反向電流。內建的電荷泵針對外部低導通電阻N通道MOSFET提供了閘極驅動器，無需外部電容。 MOSFET的選擇提供了最高的功率位準彈性，其範圍可從一至數千瓦。

LT4320目前供貨兩種選項: LT4320 針對DC 至60Hz 電壓整流而設計，LT4320-1則針對 DC 至 600Hz整流而設計，其加倍了頂端源/ 汲極(source-drain)調節電壓。H等級元件採用8接腳DFN (3mm x 3mm )及PDIP封裝，12接腳 MSOP 封裝則具備強化的高壓針腳間距，MP等級則供貨12接腳MSOP 封裝。H及MP等級千顆量購計之單價分別為$3.45 及 $8.85美元起。元件樣品及評估電路板可透過網站或各地凌力爾特分公司洽詢。如需更多資訊請參閱

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