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標題:
不好意思，想請問一下 bandgap 的問題
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作者:
a5317
時間:
2013-1-31 12:53 PM
標題:
不好意思，想請問一下 bandgap 的問題
本帖最後由 a5317 於 2013-1-31 01:27 PM 編輯
# ~# T0 I) D" k- n8 I
. H% b3 u$ N( f" B/ N6 j
想請問各位大大
# Y) O3 X9 R; E, x( j
1 K+ @! u8 V0 a2 k' H: `
我是用TSMC 0.18um製程 設計bandgap再跑製程變異時，若電路有mos和BJT是要跑( EX:MOS有5種變異 BJT有3種變異 所以要跑15總組合!?)
% W; {5 y, V; c4 h, T- ~$ J
3 E) k0 R. K" V$ o% v
還是直接跑一起跑 TT SS FF之類的。
& j. j/ [3 m: r2 E- s# V( l$ L
4 D5 H. Z, f. m4 s" U1 [
小弟我有跑一下製程變異但有一個問題就是 請問在各個製程變異下 每一個VREF曲線 本來就會上下偏移 是正常嗎? 因為我以為會很接近
2 x5 R: t& Q w
, w3 i3 Z1 J" V% J
但是有約有50mV的偏移。
% n% I. { f, H; h: U$ _5 R/ u. I
% |, i- Y6 T9 y2 j$ M. a
[attach]18016[/attach]
6 z+ Y* P: b6 q- Y" s" E$ _
這是mos及bjt一起跑ff tt ss 的圖
4 L- Z5 |7 o4 F6 q7 G, m3 F- q
想問這樣是正確的嗎
作者:
billlin
時間:
2013-1-31 01:33 PM
這偏移是BJT 的VBE 在不同Corner(SS/TT/FF)造成的,
- B0 Q; X- T- J
實際做出來的bandgap電壓也隨BJT VBE電壓呈絕對電壓關析
( i4 O( j7 l: N2 O: \5 |3 U
Vref=VBE+VT*(1+R2/R1)*ln(N)
作者:
a5317
時間:
2013-1-31 01:37 PM
本帖最後由 a5317 於 2013-1-31 01:40 PM 編輯
' x! x7 @0 H3 Z$ g$ ?# Y1 ^% e
, @: p$ w! f" i& L+ b0 p ~/ i
恩恩 所以 我波形這樣是算正常的嗎?? 我是有計算每一個corner的溫度變異
* z3 o: S: V7 ~3 p( `+ o: ]+ K
都還是在差不多20多 ppm/C
作者:
billlin
時間:
2013-1-31 01:49 PM
算OK,理想的1階補償bandgap電壓根溫度是一個碗狀,
+ s+ ]+ \- [* [% }, G
頂點設計在25度C.
作者:
sd5517805
時間:
2013-2-27 03:27 PM
希望各位讨论，多谢大家，等待。。。。。。
作者:
sma1033
時間:
2013-6-18 01:52 AM
如果要作到跟溫度接近0相關的話，只能夠做曲率補償
( y% c& y7 d! F" H- o1 ~
你可以去google找curvature compensation bandgape
- }6 e9 F7 F; @1 B# p6 R6 a3 x
可以找到很多2接補償的資料
作者:
pocket112
時間:
2013-10-1 09:09 PM
我跑出來會有20mV偏差，應該是工藝不一樣
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