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標題: 何謂STI effect? [打印本頁]

作者: netspriti 時間: 2008-1-23 02:27 PM
標題: 何謂STI effect?
最近聽到有人談到STI effect
請問板上的先進們~~
那是什麼意思呢??

作者: shaq 時間: 2008-1-23 03:22 PM
這邊有些相關資訊，給您參考

http://www.tsia.org.tw/Files/ShortMsg/20065111845.doc

作者: eddieshih 時間: 2008-1-23 05:34 PM
正需要有關這方面的資料....
謝謝您的分享,下載回來看看!!

作者: kevin 時間: 2008-1-25 02:15 PM
電晶體即使有相同的W/L,也會因為電晶體Layout形狀不同,而受到不同的STI(shallow Trench Isolation)機械應力,
導致不同的電氣特性.NMOS drain current 會降,PMOS drain current 會升.做類比Layout時,要注意此效應.
深次微米元件之間絕緣結構(Shallow trench isolation, STI)所引起的機械應力(Mechanical stress)變得更重要.

作者: j5739792 時間: 2008-1-29 11:55 PM
I think what you are asking about is STI stress effect, which means the device performance being changed by stress from STI. Generally, the STI stress impacts the MOSFET Vt (Ioff accordingly) & Ion by mobility degradation for NMOS (enhancement or degradation for PMOS, it depends) and species diffusion coefficient change. For some process, PMOS Vt would even change more than 100mV for short channel device. In BSIM4 SPICE model, the stress effect is modeled by mainly AA to gate edge dimension (along gate length direction). This topic is also briefed inside BSIM4 user manual. You can refer to it.

作者: lyx1982 時間: 2010-1-11 10:03 AM
谢谢楼主分享！学习了！又涨知识了！！

作者: Helena67 時間: 2010-2-10 05:16 PM
在同一半導體基板上製做複數個元件時，元件之間不應造成相互的影響(=寄生效應)，因此必須在電氣上加以分離，這也就是所謂的元件分離(isolation)。元件的分離技術上雖有許多種，以下就其中的LOCOS與STI做簡單說明:
LOCOS為Local Oxidation of Silicon(矽局部氧化法)的簡稱。首先使矽(Si)與氧(O2)在高溫下反應，形成名為襯墊氧化層的二氧化矽層(SiO2)，這個SiO2層在之後的熱處理中具有緩和熱失真的效果。

STI則為Shallow Trench Isolation(淺溝分離法)的簡稱，與LOCOS相同，先形成氧化層與氮化層，依次除去分離區域部分中的氮化層與襯墊氧化層，並在其正下方的矽中掘一道淺溝(Trench)，將矽基板暴露於高溫的氧氣中，再淺溝的內壁形成一層薄氧化層，其次，使硅烷氣體與氧氣反應，堆積出一層厚的氧化層將淺溝與以填補，使基板表面平坦化，將殘餘的氮化層予以去除，便可獲得埋設於矽基板表面上的分離用氧化層，由於STI較LOCOS之方法能夠獲得更為平坦的表面，能夠實現細微的分離幅度，分離能力高，因而為現今較先進的元件分離方式。以上取錄自"圖解半導體"第十四章-86頁的部分內容~希望可以幫到你~
PS:個人覺得圖解半導體這本書不賴~~推薦大家~有興趣的可以看看~

作者: 小緯仔 時間: 2010-3-5 02:24 PM
感謝二樓和H大的分享

讓我多吸收一些知識

作者: antoniocc 時間: 2010-3-19 05:02 PM
值得好好收藏的好資料
感謝分享

作者: ada1973 時間: 2010-3-26 08:42 PM
由於STI的作法，會在substrate上挖出一個溝槽，再填入二氧化矽當絕緣層。這個在substrate挖出溝槽的動作會產生應力的問題，由於FOX(Field Oxide)到Poly Gate的距離不同，應力對MOS的影響也不同。所以當擁有相同的Gate Length和Gate Width的兩個MOS，因為擴散區長度不同造成其電流不同。

作者: pph_cq 時間: 2010-5-12 03:13 PM

這邊有些相關資訊，給您參考
, F) B: t# [7 a* z, n+ Yshaq 發表於 2008-1-23 03:22 PM

文中提到的L shape Effect不太理解，哪位可以解释一下吗？

作者: semico_ljj 時間: 2010-5-17 12:56 PM
这个我不懂，来学习一下！

作者: sleon1662 時間: 2010-6-2 11:43 AM
感謝大大無私的分享喔~^^

作者: u9513349 時間: 2010-6-8 07:59 PM
希望可以增加自己ｌａｙｏｕｔ的知識阿！！！

不過還是聽不懂！！！

看來要多唸點半導體製程的書拉＝　＝

作者: TedHe@FB 時間: 2016-6-22 11:11 AM
增加知識了
要來多讀半導體的書

作者: charlie0050 時間: 2020-6-23 11:28 PM
其中一種layout effect ,stress會影響mobility

作者: 996885 時間: 2022-11-18 07:51 PM
二樓大大有回覆，此效應也稱lod effect擴散區長度效應。
使用inputpair或currentmirror或dummy

將重要元件保護起來。

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