Chip123 科技應用創新平台

標題: transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力? [打印本頁]

---

作者: lupiu    時間: 2012-6-21 03:43 PM
標題: transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?
請問各位前輩~
在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
內部線路接transmission gate(pad會接到drain、source)
跟tri-state(pad接在gate)
+ i+ s. r; r: e7 E$ n5 l兩者，哪一個ESD的能力比較強
& }. N, @0 x( X# E, l$ y而transmission gate又可分成有做ESD rule跟沒做的
  z4 b6 W4 M( z那三者，又是哪一個比較強呢?

---

作者: andyjackcao    時間: 2012-6-24 04:43 PM

請問各位前輩~
/ y, _7 f" [$ G在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
& @# v3 e) U0 \, m- b( C! w內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...
9 r  H4 C+ w, |: n$ [/ @lupiu 發表於 2012-6-21 15:43

0 _0 f% a% k: P! [1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
6 R) a/ }: M( z1 K; f* {* t2 u2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。

---

作者: gaojun927    時間: 2012-6-26 02:58 PM
回復 2# andyjackcao

. j* u' H" ^3 K5 s( e原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比较差，所以推论下来输入接drain比接gate要好。

---

作者: cltongkn    時間: 2012-7-9 02:51 PM
接drain 的比接gate的强，同意三楼的观点

---

作者: andyjackcao    時間: 2012-8-21 09:50 PM

回復  andyjackcao
4 F% m" P( r  u5 b9 T
: Z. j' a6 V" ]原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...
4 Q$ s9 W" |* {gaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

. S: F) b1 L" r7 i

/ b5 F$ _! N) T9 U! l3 Q
- ]( @- M8 W6 ^5 a3 m
* Q# K% A3 k8 I$ f    是这样的；
2 N4 n; A+ x$ ?  h* s   通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效

---

作者: alden2262001    時間: 2014-9-22 10:33 PM
goooooooooooooooooooooooooooooooooood

---

作者: gav253886    時間: 2022-9-16 11:46 AM
相當專業的內容，感謝大大分享心得
& E# Z2 m# }7 b

---

歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://chip123.com/)

Powered by Discuz! X3.2