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標題: corner製程參數TT,SF,FS,FF,SS各別意思?? [打印本頁]

作者: maipeter    時間: 2012-6-9 06:56 PM
標題: corner製程參數TT,SF,FS,FF,SS各別意思??
板上各位先輩大大好,小弟不才,到現在還不知這五個製程變異參數意思是啥???
. z$ c! P! T) v* |( v                                                                                ; C  B, P- Z/ i/ y
有比較詳細的解釋說明嗎???今天被老闆一問,感覺被問倒了 >"<
作者: a619willy    時間: 2012-6-13 02:22 AM
定義NMOS和PMOS的切換速度 有分三種組態 slow ( 慢 ) tryical (典型) fast (快)9 ?+ ?4 j3 e8 R

% |" Q9 }* `7 ^) JSS,SF,FS,FF,TT 為上面三種組合 前N後P3 J) P+ e, f' t
5 h$ i7 r5 X0 z0 H
不知道這樣說明對不對 請前輩指教
作者: chthuang    時間: 2012-6-26 10:25 AM
en dot wikipedia dot org/wiki/Process_corners[/url]
作者: hoochie    時間: 2012-8-9 11:52 PM
tt ss ff sf  fs  , 前n後p   I; y% F, i- r9 c3 a" g
指電晶體可能因為製程偏移 而比較 快(f) 慢(s) 一般(typical)
作者: zhifj86    時間: 2012-9-20 04:58 PM
工艺角,   s t f  之间一般偏差20%        。。。。。。。。。。
作者: robin0338    時間: 2012-9-27 07:41 AM
不是因為製程擺放的位置可能會導致MOS會有不同製程上的變異,所以希望在各種情況都模擬嗎?
作者: alubaqian    時間: 2012-9-27 09:42 AM
工艺上的误差容限范围。
作者: 经邦济世    時間: 2012-10-9 12:47 PM
学习了呵呵~~~~~~~    !!
作者: Rexcchao    時間: 2012-10-24 01:54 AM
學到先n後p6 \6 U' t- d) H7 [. \0 g
不過對製成的corner效應還不清楚是否有推薦的文章或書籍??
作者: sqnnzhu    時間: 2012-10-25 07:09 AM
nmos pmos
% I& ~+ U1 [' I/ }7 F3 n, |: @; l# J1 k* s
slow, typical, fast
作者: shijiasun    時間: 2012-12-5 03:17 AM
先n後p, 在學校拿到的TSMC .lib檔都寫得很清楚.
0 d" u+ h7 e9 W6 ]; ~! l7 y6 o
The art of analog layout,
8 `/ k% e8 @7 X2 b! ESemiconductor Devices: Physics and Technology,
9 J. D$ B& [1 @9 e; a5 N- p至於書籍, 左岸某大論壇或google大神都會有意想不到的收穫...
作者: mildseven0228    時間: 2013-4-8 10:41 PM
受益良多 感謝各位大大
作者: s010191    時間: 2013-7-17 08:21 PM
typical-typical (TT). B$ h4 b! m" F; z
fast-fast (FF)
) c  M0 N9 `$ `7 W$ C) A7 E! vslow-slow (SS)
6 \& E/ @( a- Z8 Tfast-slow (FS)
; O6 T6 W* A7 w1 Uslow-fast (SF)
作者: iamman307    時間: 2022-8-15 12:44 PM
受益良多 感謝各位大大
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