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標題: SEMI國際技術標準制訂與全球3D IC技術標準研討會 [打印本頁]

作者: amatom    時間: 2012-5-29 02:43 PM
標題: SEMI國際技術標準制訂與全球3D IC技術標準研討會
為協助台灣產業與國際接軌,並讓國內企業進一步了解參國際技術標準組織的運作策略,及國際技術標準制定的程序,由工研院和SEMI共同主辦、經濟部技術處指導、先進堆疊系統與應用研發聯盟(Ad-STAC)協辦的「SEMI國際技術標準制訂與全球3D IC 技術標準研討會」,日前於新竹舉辦,由半導體製造聯盟(SEMATECH) 3D Enablement Center的Richard A. Allen,以及SEMI資深協理James Amano分享SEMI國際技術標準最新發展、成功案例,以及國際上3D IC技術標準之佈局。當天吸引AIXTRON、日月光、台積公司、台灣愛美科、矽品、致茂、晶元光電、漢民、聯發科、聯華電等半導體大廠逾60位產業菁英參與。
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, S2 f& {- S* S6 m工研院量測中心副主任林增耀致詞中表示:「世界經濟局勢變動劇烈,唯有擁有專利、掌握國際標準脈動,才是創造競爭優勢以應萬變的最佳策略,參與國際產業技術標準的制訂,更成為台灣企業佈局國際市場的重要攻防戰。感謝技術處一直支持工研院推動標準活動,協助產業與國際標準接軌,工研院也將持續透過SEMI的國際產業技術標準平台,促成國內業者的連動,攜手提升產業在國際上的競爭力。」 3 w/ E2 a' i) b3 {* o

* s; P, |* e+ Q% F& M& b. l$ e半導體製造聯盟(SEMATECH)3D Enablement Center的Richard A. Allen於會中表示,3D IC由於整合度高、體積小、成本和功耗低等優勢,已成為現今產業不可或缺的重要發展技術。隨著3D IC受到重視,建立立體堆疊整合最常用的技術之一--矽穿孔(TSV)也備受矚目。然而,其設計複雜度卻遠高於傳統晶片,技術及成本挑戰接踵而來。SEMI以製造業的需求為導向,所制訂出的3DS-IC產業技術標準,對提升產能、降低製造成本、縮短產品上市期限,以及確保全球各地在設備與製程的相容性將有極大助益。
作者: amatom    時間: 2012-5-29 02:43 PM
SEMI 總部資深協理James Amano則於會中介紹,SEMI致力於半導體、平面顯示器、太陽光電、微系統(MEMS)、EHS等領域的國際標準制定與推動已超過38年。SEMI建立了一個國際共同的標準制定交流平台,集合了全球各地(如:美洲、歐洲、日本、韓國、台灣等)超過4,000位產官學研專家投入,成立45個全球標準技術委員會以及超過200個工作小組,成功推動近800條SEMI標準及安全相關準則,並廣受全球IDM廠、晶圓廠、封裝測試廠等2,000多家公司採用。
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/ [' r5 s+ l8 @. T9 N! l& Y$ MSEMI在台灣也致力推動3D IC標準制訂,SEMI產業標準與技術專案資深經理張嘉倫指出,SEMI台灣已集結多家在矽穿孔(TSV)、接合和薄化製程、測試、檢驗和量測、設備和材料等方面專精的台灣公司,目前正積極討論和研擬制訂不同生產階段中所需的標準。 , y% F4 x0 G' e7 p
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關於SEMI國際產業技術標準在台發展
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' d  _3 ]0 D: J1 v. HSEMI台灣目前所運作的國際產業技術標準委員會有: 3DS-IC Committee、I&C Committee、EHS Committee、FPD Committee,以及PV Committee。SEMI期盼能將過去於半導體產業長期所累積的經驗,應用到FPD及PV產業,希望藉由SEMI的平台,建立更多適用於台灣使用的產業國際標準,並與國際接軌,在「降低成本」、「加速產品上市時間」、「強化綠色競爭力」等面向協助廠商獲取最大的利基,並與國際接軌,以持續地協助台灣產業向前推進!
作者: tk02561    時間: 2012-7-12 04:40 PM
標題: 漢民科技副董事長林淑玲入選SEMI全球董事會
SEMI昨日在SEMICON West中宣佈年度董事會選舉結果,共新增四位董事席次,包括Trina Solar董事長暨執行長Jifan Gao、 JSR總裁Nobu Koshiba、漢民科技副董事長林淑玲、Ebara總裁Natsunosuke Yago。林淑玲是繼日月光集團研發中心總經理唐和明之後,SEMI董事會中的第二位代表台灣地區的董事成員。
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' i  T8 c4 z, ?2 qSEMICON West 和Intersolar NorthAmerica自7月10日起在美國加州舊金山隆重展開,並於同期召開的會員大會中公佈新任董事成員名單。ATMI董事長兼執行長兼總裁Douglas A. Neugold與Soitec集團總裁暨執行長André-Jacques Auberton-Hervé 仍為SEMI全球董事會主席與副主席。同時,SEMI並任命Wonik 集團董事長Yong Han Lee為其協會第二副主席。
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SEMI總裁暨執行長Denny McGuirk表示:「我謹代表SEMI和會員,歡迎業界領袖們加入SEMI全球董事會。他們將會成為董事會極為珍貴的資產與助力。同時我也非常高興在此過渡時期,Douglas A. Neugold與André Auberton-Hervé能續任一年,以全球董事會主席和副主席的身分再度領導董事會。」
作者: tk02561    時間: 2012-7-12 04:40 PM
漢民科技副董事長林淑玲表示 :「很榮幸能成為SEMI全球董事會的一員。今後將會在產業發展議題上努力為會員發聲,並為台灣半導體產業發展盡一份心力。」林淑玲為漢民科技共同創辦人,1976年於交通大學應用數學系畢業,並在2009年取得交通大學高階主管管理碩士(EMBA)學位。
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: r- H. _' \$ _+ _9 n+ D# ?根據該行業協會章程,兩年一任的理事會成員已重選,九名成員如下: Wonik Group董事長Yong Han Lee、Advantest Corp.董事長Toshio Maruyama、Hitachi High-Technologies Singapore PTE總裁暨執行長Osamu Nakamura、ATMI董事長、執行長暨總裁Douglas Neugold、Lam Research董事會副主席Steve Newberry、Axcelis Technologies董事長暨執行長Mary Puma、Tokyo Electron董事會副主席Tom Tsuneishi、KLA-Tencor執行長Richard Wallace,以及Fraunhofer Institute協理Eike Weber。
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同時Cymer董事長暨執行長Robert P. Akins、Edwards Limited大韓有限公司部門協理J.C. Kim和 Ultratech 日本株式會社董事長Kosei Nomiya續任SEMI全球董事會第一任期當然成員。 + u2 Y* ]6 a  _9 u- W4 o) F1 ?
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SEMI共有20位具有投票權的全球董事會成員,另有11位名譽會員,代表來自歐洲、中國、日本、韓國、北美及臺灣地區的不同公司,因而能夠在協會各項事務中充分體現國際性。SEMI的聯盟章程規定:個人可經協會全體成員選舉成為董事會具有投票權之董事(任期兩年可任四期)。
作者: ranica    時間: 2012-9-10 10:24 AM
第二屆SiP Global Summit 「3D IC 技術趨勢論壇」盛大舉行
$ R; D# S7 K: Y5 [4 }: F6 g2 D7 H6 U日月光、矽品、Xilinx、聯電等大廠齊聚一堂共同探討3D IC供應鏈的完整性與成熟度 8 P; d: ~  R; K
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在業界的積極推動下,運用矽穿孔(TSV)的2.5D/3D IC技術,近年來已有顯著進展,正朝量產階段邁進。今年Semicon Taiwan的3D IC 技術趨勢論壇中,集結了來自日月光、矽品、Xilinx、LSI、Aptina、聯電、EVG、Cadence、Teradyne、MicroTec等橫跨3D IC供應鏈上中下游的領導業者,共同探討整體基礎架構的成熟度以及邁向量產尚須克服的挑戰。
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7 e' \( Y0 ^# h4 \2 }儘管目前3D IC技術在成本、標準、生態系統、業務模式各領域都還有問題尚待解決,但與會者均相信,在業者的合作努力下,未來二至三年內,3D IC市場終將正式進入量產,並逐步起飛。 3 ~% ~7 }  v' e& g# R

, @" _8 ?2 o7 K) f( `6 k; ^日月光研發中心副總經理洪志斌博士表示,3D TSV元件佔整體半導體市場的比例將從2012年的1%,到2017年增加至9%,規模達38.4億美元,包括MEMS、LED、影像感測器、RF元件都是快速成長的領域。
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$ N% x. x2 _! w4 \; _3 u# @他表示,過去一年來,雖然TSV製程、中間插件(interposor)、重新分配層(RDL)等技術都已有快速進展,但是測試問題還待克服。同時在2.5D插件供應方面,亦出現了晶圓代工、封測廠、結合兩者,以及獨立供應商的不同業務模式。 : \9 k1 y1 ^6 |# P4 w/ w7 X

" g$ D" P9 ~9 }( @顯然,在產業鏈朝成熟發展的過程中,還有許多的生態系統、合作關係與競爭模式議題有待釐清,才會有更明朗化的進展。同時,他也認為簡化供應鏈、通用標準都是未來的努力目標。
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Xilinx資深副總裁湯立人介紹了該公司最新2.5D產品的發展。透過採用並列式(side-by-side)佈局,Xilinx已成功推出結合4顆28奈米FPGA的2.5D晶片,總電晶體數高達68億個。與傳統方式相比,新元件可達到100倍的每瓦頻寬,同時,容量、頻寬、功率都比傳統單晶粒FPGA更佳,預計明年上半年就可進入量產。
作者: ranica    時間: 2012-9-10 10:24 AM
同時,Xilinx也已投入3D異質整合晶片開發,湯立人表示,微凸塊/TSV、熱傳、TSV元件應力等問題都有待解決。此外,若要實現邏輯、記憶體、處理器等主動與主動晶粒間的堆疊,業界在3D製程開發套件、製造標準(材料、DFM規則)、測試、代工廠間互通性、晶片間介面等各領域,都還有一段路要走。 9 X% i( \$ o8 j  R' U4 ^( g

$ L/ X$ k, a9 dLSI材料和互連技術院士John Osenbach博士則是討論了矽、有機和玻璃等不同中間插件材料的差異與優缺點。他認為,目前還沒有最適當的答案出現,未來業者有可能會依照不同應用與架構選用不同的材料。
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7 J+ I; Q/ Q5 [8 ^7 {, j( _Aptina先進封裝資深總監Derek Hinkle指出,影像感測器市場的3D封裝技術已經就緒,目前是採用via-last互連製程,已經開始在8吋晶圓生產,可最大化每片晶圓的晶粒數。 6 T) n$ ?& ?3 q- s9 A6 m# K
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針對現有的Via-first、via-middle以及via-last製程,Derek Hinkle表示,這些技術各有其優點,但他認為,via-last能帶來更佳的供應鏈管理靈活性。同時,由於目前3D IC供應鏈仍然分散,有待進一步整合,並須能提供更具吸引力的成本、效能、尺寸優勢,才能進一步擴大3D IC的廣泛採用。
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聯電企業行銷總監黃克勤博士介紹了聯電在3D IC方面的最新進展。它是以Via-middle製程為基礎,從今年初開始進行TSV製程最佳化,預計今年底進行產品級的封裝與測試以及可靠性評估。 : g- t- a' k0 K# F, G+ e2 l

! V; f( H: d6 J% y  A( T0 V他表示,雖然在開發初期曾遭遇銅填充、金屬堆疊等TSV完整性製程問題,但現在都已經克服。他強調,運用現有的CMOS製程技術與代工、封測廠生態系統,將會是較佳的業務模式。 3 M' y+ s/ p5 E

1 J# C7 R, s8 e. L& I2 ]$ [+ b9 Y此外,EVG討論了wide I/O介面的薄化晶粒堆疊、Teredyne介紹在自動化測試設備上進行系統級測試的技術與成本挑戰、益華電腦說明矽插件協同設計與分析的新型工具。 ( E3 f5 i; Y# ~1 O  c  f
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儘管2.5D/3D IC已經從概念逐漸成為事實,但是,與會者均提到必須克服成本挑戰,讓此技術從高階、少量應用擴大到更廣泛的主流應用,才能確保業者的長期投資效益。這個挑戰,將是3D IC技術邁向量產的關鍵,也是整體產業鏈共同努力的目標。




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