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標題:
ADS設計LNA問題
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作者:
oscarf777xp
時間:
2012-3-10 10:15 AM
標題:
ADS設計LNA問題
本帖最後由 oscarf777xp 於 2012-3-10 10:17 AM 編輯
' @3 ~: S- g* x
) `/ @& ^/ b5 k9 J. v
各位先進大家好
A1 F1 J& g1 M0 N! R$ }
( Y5 r. b) C4 x( z2 ^/ o
小弟在網路上發現了一篇用ADS設計一5.2GHz的LNA實驗教學
/ }# K. ^8 A* i: f0 u9 q6 @# [
, K2 }0 k! K9 u: R+ g. X
其中在畫電路圖時有些疑問想請教各位
- Z$ y& |. j% M
, l# P0 n3 ~/ Z) f2 O
01.[attach]15659[/attach]
. C F& x' w" W; J- T% C# c" A
& Y) |9 I, e7 ?( u# |. O0 a# H
架構圖如上，我有疑問的點在於模擬時為什麼要加上下面這一串東西呢?
$ i d: Z$ D' `
[attach]15660[/attach]
- z7 O/ \: C# @$ L9 d6 @$ h
2 S- n3 p' z: j' V9 F; D6 j' O
02.第二個疑問的地方在於電阻的部分，如下圖所示
, O, F) Z' c8 g
[attach]15661[/attach]
. J$ B4 h7 E; J7 F+ Y6 M& _2 q
8 e' S1 G5 V% S* {. W* m2 x
我照著教學中的圖選用
; q- d5 ]$ Q; m
7 U0 `, Z! E4 y' W
TSMC_CM018RF_RES_RF
' F, Y9 y3 u! y6 q
Type=HRI P-Poly w/o silicide (1um<=W<=5um)(RF)
3 w' Z7 c4 E( A/ L; }: v- K) w
w=2 um
% s$ z+ E" v( T) O
l=10 um
2 e4 R1 p! v2 `
R=5626.13 Ohm
/ l( ~5 V5 y6 C8 P
+ g& X# F1 ?9 j' R
但是ADS在設定l時不管我怎麼調整都沒辦法跟教學中的l一樣設定成10 um，不知道各位先進是否知道問題所在?
' J' r5 S- }6 T$ b. h
5 t/ L z% G( ?3 g- p
03.小弟目前是個研究生，全實驗室我是第一個要做RFIC的，所以想請問CIC所提供的T18 ADS Design kits，裡頭的原件分別代表什麼意思與使用的時機，翻了Design kits裏頭的檔案，發現居然沒有說明。
3 ?2 `( a& W. s9 }: p! B' L
2 ?8 W4 z$ n$ w7 z# h) H$ p" x
以上是我目前的一些問題，希望能有先進可為我解惑，感謝！
. \% I: V' U! W1 b
8 |; T0 k+ m1 D( x3 v g, e8 K
教學的檔案為附件[attach]15662[/attach]
作者:
oscarf777xp
時間:
2012-3-14 04:45 PM
沒人能替小弟我指點迷津嗎?
作者:
a1919kimo
時間:
2012-3-16 06:01 PM
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊，要選大電阻，在電阻上點兩下，右上角有個選項可下拉，越往下電阻可選越大~
作者:
a1919kimo
時間:
2012-3-16 06:01 PM
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊，要選大電阻，在電阻上點兩下，右上角有個選項可下拉，越往下電阻可選越大~
作者:
a1919kimo
時間:
2012-3-16 06:01 PM
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊，要選大電阻，在電阻上點兩下，右上角有個選項可下拉，越往下電阻可選越大~
作者:
a1919kimo
時間:
2012-3-16 06:01 PM
第二張圖是加在店員附近嗎~? 如果是的話有可能是濾電源雜訊，要選大電阻，在電阻上點兩下，右上角有個選項可下拉，越往下電阻可選越大~
作者:
rayjay
時間:
2012-3-20 05:41 PM
你的model是舊版的吧!!!
: f( e' S1 N% }9 S* d
我的V8.1版，有註明
7 E) e" N' L- C! I
Type=HRI P-Polu w/o silicide (1um<=W<=5um)(2um<=L=<=6.8um)RF
) ~/ l9 h4 s+ o3 c9 t, I
最長只能用到6.8um而已。
作者:
rayjay
時間:
2012-3-20 05:43 PM
試了一下，您可以調整一下，
) P4 A; [$ @5 }. }4 x
改為W=1，L=4.77，
" W9 R2 s4 J( V+ p3 M \/ O
會有最接近的值R=5628.28ohm。
0 p' U0 j1 y; d. }% z) }
也可以的。
作者:
oscarf777xp
時間:
2012-3-20 05:49 PM
哦，感謝二位回答！目前又遇到了另外一個問題
q: I( x* C- j
/ k* n- D$ D) a7 l9 t8 Y# I3 g
使用T18的Design Kit電感的部分要如何計算值呢?是否有公式可以計算呢?
0 {9 H' ^; `# Z2 V: s1 f& s! G! B8 l' q3 t
$ k; y* h; j Q2 V) ]/ O$ ?
我現在的方法是跑one port的S參數，然後用Z11看虛部，但是在DDS視窗打公式去計算電感plot出來的資料都會出現invalid說
( d; V" j" p! J, C: p1 v
" k$ q. `* R- F6 D7 a
我的公式是這樣打的:
* M% B" h* f* Q0 ]# F4 n
L=imag(Z11)/(2*PI*freq)
作者:
rayjay
時間:
2012-3-22 02:28 PM
貼給你:
/ X4 X3 K! C4 `( @) {
Lin1=imag(Z(1,1))/(2*PI*freq)*1E+9
: F' o, Z7 [6 M* A/ A# |
你應該還會用到Q值的計算:
9 n J( D' k3 ~7 u0 Q2 f
Q1=imag(Z(1,1))/real(Z(1,1))
! g/ t3 @" ?) h4 k" G; f5 x
/ f, |0 W2 d5 N1 e8 s0 N3 K1 k w
其中，因為會用到Z參數，
0 u! `" j+ z, u- m
記得還要到S parameter的instant中==>到parameters的分頁，
9 R4 Z2 l8 z/ ]
把z-parematers打勾。
; Z! z0 T; C' a+ ~
以上，就可以了。
# E' ~; U3 W! f6 U% {$ a' _
請享用~~
作者:
oscarf777xp
時間:
2012-3-22 04:27 PM
感謝rayjay大!!
; e+ B) S( [0 A5 U; O6 f
& `9 ^, p- z$ I# z% S7 F
不好意思想再請教個問題，在ADS中我要如何去看CMOS的Cgs和gm呢?
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