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標題:
如何選擇ESD Device Contact Type？
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作者:
CHIP321
時間:
2011-12-29 05:10 PM
標題:
如何選擇ESD Device Contact Type？
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-29 05:17 PM 編輯
. M' K( D8 K. X) g L$ z- K
% ] T4 Z+ H9 o! y: k; t
[attach]15181[/attach]
% D' i. S$ n. Z! l8 L
近來遇到了由於Contact導致電流密度不一緻的問題。
5 P$ E3 W& w( e7 U( G# R9 G& b
查找了過去的一些Bipolar高壓片，發現很多使用的是長條矩形Cont或者Cont Ring，貌似應當有不錯的均勻性。
c2 g2 S. _" i; H/ Z
但是咨詢了一些同仁，認爲 使用標準Cont Matrix會更均勻。、
" W n) ~' Z5 F: A! J; ?
迷惑中....
( n7 W2 i8 S% M- n; x
如果不考慮CMP製程限制，那種方法更有效些呢？
. _: g, R) r2 g6 s' U Y
' h9 `, l a' T- I+ W/ x* n+ s
作者:
sendow
時間:
2012-1-31 11:31 AM
這個問題也困擾我很久, 不知有前輩可以解答嗎?
; Z2 E% i% l) E' T4 d7 u0 Q) l9 w
/ ]$ x7 N1 Y9 @0 w% L( O) c* N
個人經驗, 有些製程有效, 不過可能要考慮parasitic path,
+ i: R2 l7 d5 w4 W7 x4 A, G
有些製程則使用contact matrix即可, 還有要考慮processs能力,
; _' H6 i8 W# T. g8 |
有些製程slit contact可能form不好, 造成ESD robustness unstable,
6 m) M5 x: j8 f* E& U
這也是現實上要考量的.
B# l$ D1 G, v" Y0 T: K2 a( g
6 u0 b2 \1 W' s* U# Q
一般而言如要高效能ESD ability還是選用ESD circuit來保護比較safe
; l, {0 p# r/ Y$ c& w0 G+ u8 W# C
不過有專利問題,這方面可能又要取捨了.
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