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標題: 請問如何使用 HSPICE 讓 32768Hz Xtal Oscillator 振盪? [打印本頁]
作者: wallace60    時間: 2011-12-12 11:12 AM
標題: 請問如何使用 HSPICE 讓 32768Hz Xtal Oscillator 振盪?
求助各位先進
4 X: w+ G) A' k0 i$ ~) ?0 |$ u
+ [1 O' D5 M" {& [0 X0 j& D本人在 TSMC 90nm 製程中
( m; W4 q, k7 D$ }# t$ ~使用 HSPICE 模擬 TSMC 提供的 32768Hz Xtal Oscillator circuit1 z( W5 u! `; }' m- C: v2 X
遇到在高電壓(VDDPST33>1.2V)無法起振' f4 J: B5 z7 k' T$ K

2 V9 W. d5 V/ Z. t0 g8 I本人參考  "CMOS晶體震盪器模擬"9 T9 H0 K  y8 [0 A9 N% M2 d: o9 W
http://bbs.innoing.com/viewthrea ... mp;from=recommend_f
3 s" B9 T9 K1 J+ ?2 n0 Y其中幾種方法但扔無法起振
8 ?  s& ]* |  i' v# Y, A' g* @- c0 G2 S+ m2 b# A
請問如何使用 HSPICE 讓 32768Hz Xtal Oscillator 振盪?2 P! o7 T0 L: G2 c0 b
需在  .option 設定什麼參數?
/ u- {4 O- I2 k" \- G: lHSPICE 版本是否有差異?
& L( h4 }) l, \! ]7 e$ s
7 P/ q$ K( {  q' w4 d4 `% k
( Y) A! v0 S: g, c# z4 c7 b謝謝
作者: wallace60    時間: 2011-12-13 04:36 PM
這幾天我試了$ `, [: p$ `  E2 R

  D7 U9 c) I8 T5 \$ h; oHSPICE 版本' o) i4 {/ p4 `2 Y$ d* G5 B
2002
0 {3 M" y8 V' V7 S  Y+ w  F; }2007
% Z" x3 X- G2 ?* ]8 O2 O4 D20084 }: w* E( r4 P5 }8 Q; q
20113 C; Z3 @' b( M$ Y' m% n5 e& a
1 N; _$ {/ A! O: U" \
adit 2006
2 C6 h. M% N% O% h' E
1 H2 h5 Q/ }% o) O) x! A7 B$ @.options delmax=3e-79 W2 c; q& U1 n, [/ z+ F
(delmax < T/100)
* D+ W( J% \: L8 o! e) q+ m% V1 m9 e
結果還是 高電壓(VDDPST33>1.2V)無法起振
作者: wallace60    時間: 2011-12-13 04:41 PM
真是令人訥悶  t" I9 P' W( T0 @- d
愈高電壓 inverter  gm 愈大
/ m+ _# g) l4 E. V3 q. {3 d9 v應該愈容易起振........3 O" ?: l/ @$ B; h' K
再繼續努力吧
作者: wallace60    時間: 2011-12-15 09:59 AM
降低 crystal Q 值
" x) J  |) {, T雖在較高電壓會起振
+ V3 E$ }; j  O4 k  ~但振盪頻率不對
作者: wallace60    時間: 2011-12-28 06:10 PM
利用負電阻方法模擬/ g6 p  F: w8 l4 U
可找出與 .tran 方法 起振的相對應關係
作者: kanchiam    時間: 2012-1-18 05:25 PM
有下過.option accurate 了嗎？- x) x6 w. C8 s+ V6 C" g4 Q2 p$ J
另外一個...-gm要大於xtal的阻值2~3倍...
3 W9 D- i* y/ A8 C: ?; r, b時間拉長到10ms以上
作者: skyblue    時間: 2012-2-2 12:00 PM
這是我在option下的參數你參考一下吧6 G' Q6 c: A1 |* t' @5 b) ?
* h+ w, l4 _0 e- S0 f2 W
.option post probe nomod accurate acct=2 method=trap puretp
5 Z( J3 B  |& P4 H5 K4 X' s8 f.tran 100n 1000m8 G' p& U8 B0 c, b2 A: ^
.op 1m
4 {! v$ \) z9 ?4 r8 k! V6 \5 U. o
. a+ j; l3 h! B  I對於外掛crystal所找到相關的振盪設定的方法. G# X+ b# Z# c2 e; S$ \
**************method1********************
8 N: ]% v1 }) _7 Z( T" V.SUBCKT cry_32k XIN XOUT
0 S7 c4 X. B1 h4 D" H6 w/ x7 ECof XIN XOUT 1.5e-12/ G5 E  Q4 q: f9 Y2 W& B" H
Ro XIN N1 20272.5
+ T" `* \% N7 d) Y" p) v/ mCo N1 N2 0.003146e-12; }! O. I8 }  a
Lo N2 XOUT 7500.284 ic=0.1ua* J% {/ {: L6 u4 R+ N! v
.ENDS' ?$ O. L6 E+ J1 _
**************method2********************8 Q0 `! q. {/ I8 I$ {
*.SUBCKT cry_32k XIN XOUT1 @) X$ d1 H, U3 G5 ~7 ?/ o  i6 @
*Cof XIN XOUT 1.5e-12' D* V# s" T2 C" `4 E
*Ro XIN N1 20272.5
0 F9 m6 j1 F1 U: T+ k$ V) J*VSIN N1 NN1 sin(0 0.7k 32.768k 0.1n 8E4 0)  S" j# Y7 S( ?/ `0 l* _2 \
*Co NN1 N2 0.003146e-12
( C3 E4 `- B, P  q4 F& e  [*Lo N2 XOUT 7500.284$ o( F1 F- ]' R, V! z$ B
*.ENDS
$ P' C; R, n: K0 |**************method3********************
/ S% ?4 c& k) b& u; k% C' E* h*VPWRP PWRP gnd pwl(0 0 5m vdd33)9 r: c' b4 y7 y6 E6 ]' D& Q
*.ic v(xin=vdd33) v(xout=vdd33)- l+ e, Y5 ~) ^; \' w
*.SUBCKT cry_32k XIN XOUT
: S2 ~5 v6 E& i*Cof XIN XOUT 1.5e-12
' _% K6 \9 K5 u9 M7 ?*Ro XIN N1 20272.57 |$ g# N0 M- l; V; B0 s# Y1 N
*Co N1 N2 0.003146e-12
* S9 R4 V3 {- K9 ~8 J*Lo N2 XOUT 7500.284
- k1 O) l, t4 P! m*.ENDS5 T& {% E2 \" Z; D' s: s
*****************************************' R7 f! H: L, Y0 r0 b
還有一個負電阻的模擬$ \6 _1 ]6 R- p7 V7 L
當負電阻滿足時才會起振
作者: scy8080    時間: 2012-2-6 10:01 AM
是不是你的gm过大，过大也将无法起振。
作者: anita66    時間: 2012-2-16 03:29 PM
蠻奇怪的,建議你去參考另ㄧ篇"CMOS晶體震盪器模擬"(http://bbs.innoing.com/thread-8412-1-1.html), R9 X/ J0 T# z5 u( k7 M
看看吧,裡面會有你意想不到的收穫喔~



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