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標題: 询问高压器件ESD能力评估方法 [打印本頁]
作者: calton    時間: 2011-12-2 01:00 PM
標題: 询问高压器件ESD能力评估方法
1、高压（700V）反偏二极管的ESD能力如何评估？1 l$ Y3 ~% x, k* d
我们用TLP测试过该二极管的I-V曲线，TLP电压打到1000V，电流只有0.14A。按照It2与ESD能力的对应，该Diode HBM能力只有200V多一点。请问这样理解对么？据以前敬仰，曾经有测试过高压Diode，TLP的It2很小，但是HBM测试能过3KV。请问这个怎么理解？高压Diode TLP测试不能代表HBM能力？  t3 q+ O2 u7 V9 n% ]; K, P
2、越是高压器件，ESD就越不是问题。这个观点对么？
  f) r0 j; _: e& m可不可以这样认为：ESD是一股能量，对于高压器件，比如700V反向二极管，只需要很小的电流就可以泄放掉大能量。因此，在没有电场击穿的前提下，高压器件抗ESD的能力几乎是不用考虑的。比如，一个耐压2KV的器件是肯定能过HBM 2KV的。这样理解对么？
作者: calton    時間: 2011-12-2 04:21 PM
伤心了，为什么没有人理睬~发的第一篇帖子
作者: andyjackcao    時間: 2011-12-2 10:01 PM
本帖最後由 andyjackcao 於 2011-12-2 10:07 PM 編輯
# L/ T" Z# [4 a! U& G& I  Z8 v4 u* w
我们用TLP测试过该二极管的I-V曲线，TLP电压打到1000V，电流只有0.14A。-----这时候的VT2是1000V，IT2=0.14A' s; D; W, ^7 {
按照It2与ESD能力的对应，该Diode HBM能力只有200V多一点---这是根据HBM作为一个电流源来理解: R% e! Q! c( u1 }
2KV时为1.34A
/ I# p7 f. Q  T/ v个人意见：& }' K+ P: a8 i! s
当测试高压器件时，高压器件击穿后的内阻会改变HBM的电流,不再为1.34A。用TLP的确不能准确预测高压器件的ESD性能
( D* M- X: n2 q# X# E/ A
. j9 h6 l+ K6 a, y* h/ I一个耐压2KV的器件是肯定能过HBM 2KV的。这样理解对
# f- Z. \7 s1 ^" _: v5 ^-------是不一定的。 有的器件耐压（DC)测试能达到2KV，在HBM时触发电压也可能低于2KV(eg.NMOS)，如果不考虑场氧击穿，NMOS如果不均匀导通也容易失效
作者: calton    時間: 2011-12-4 11:41 AM
回復 3# andyjackcao
9 g8 e& W0 ^& F0 N
4 e  ~1 T  t* X, s5 Y* P+ P我重点想关注的是700V Diode 的ESD能力如何通过TLP考察？
. o5 h4 N  S/ A一、当测试高压器件时，高压器件击穿后的内阻会改变HBM的电流,不再为1.34A。用TLP的确不能准确预测高压器件的ESD性能————这里主要是TLP和HBM两种不同测试方法如何转换的问题。
/ ]9 ~: j1 `' x4 `; {1、对于所有Snpaback器件都会有内阻改变，TLP测试的It2与HBM测试能力的换算为V=1500*It2（@）。因此我不懂你说的改变HBM电流，不在是1.34A是什么意思？
) e' ~7 c9 ^3 \0 r$ w  _) Q2 Y2、对于高压Diode器件（700V），是不是It2不能作为评判其ESD能力的标准，上一条@的公式也不能作为转换依据。那如何通过TLP测试来评价700V diode的ESD能力？
! S+ d9 \# W( ?' V二、是不一定的。 有的器件耐压（DC)测试能达到2KV，在HBM时触发电压也可能低于2KV(eg.NMOS)，如果不考虑场氧击穿，NMOS如果不均匀导通也容易失效。  W) X. @# U7 [$ }, [/ P( x& f
1、那对于高压Diode，BV后，1000V，0.14A的电流对应的功率为140W，这个功率已经足够高了。从这个角度来看，是不是这个高压Diode的ESD能力是没有问题的了？
作者: andyjackcao    時間: 2011-12-5 09:00 PM
1),改变HBM电流，不在是1.34A是什么意思？8 d' `& ~' u) y3 N6 I% \0 f0 h
我想表达，测试2KV HBM时，由于高压管的内阻较大，不能忽略；2KV 时的峰值电流不再为2kv/1500 ohm=1.34 A( b- \" E- @. U4 {) j

1 e$ ^" I' T3 H  u! h, M: K2),如何通过TLP测试来评价700V diode的ESD能力/ K5 e. z% M- o3 z* H( H
  如果制作700V diode的process 一定的情况下（不变），因为diode反向击穿泻放ESD的能力与diode的面积，周长，形状相关。其中面积最为重要。
; M5 s) z$ O2 i2 i, ^( S6 k  是否 可以通过实验的方法来评价700 V diode的ESD能力
# R' N, j' d6 y6 p- R9 N/ A  绘制不同面积的diode layout（A，B，C。。。。），测试每类diode（A，B，C。。。）的TLP的各项参数。测试每类diode（A，B，C。。。）过HBM的能力" t8 l' i* |- u& g" x) O$ R
  那么这样就可以拟和出关于It2与HBM的曲线，从而来评估700V diode的ESD能力
9 u9 C6 S& X$ _3 w1 _' A  ---------------
作者: CHIP321    時間: 2011-12-6 01:10 PM
本帖最後由 CHIP321 於 2011-12-6 01:18 PM 編輯
4 U' T" U% ]/ O/ y! B
1、高压（700V）反偏二极管的ESD能力如何评估？: * _1 [# f& m9 l: W4 B: j
我们用TLP测试过该二极管的I-V曲线，TLP电压打到1000V，电流只有0.14A。按照It2与ESD能力的对应，该Diode HBM能力只有200V多一点。请问这样理解对么？据以前敬仰，曾经有测试过高压Diode，TLP的It2很小，但是HBM测试能过3KV。请问这个怎么理解？高压Diode TLP测试不能代表HBM能力？" D5 L! M5 E1 b$ {* P* E- o$ F: t4 n
2、越是高压器件，ESD就越不是问题。这个观点对么？
4 j* D3 X1 q4 _- ]  \6 I可不可以这样认为：ESD是一股能量，对于高压器件，比如700V反向二极管，只需要很小的电流就可以泄放掉大能量。因此，在没有电场击穿的前提下，高压器件抗ESD的能力几乎是不用考虑的。比如，一个耐压2KV的器件是肯定能过HBM 2KV的。这样理解对么？
2 g& b$ W# x; n* o: S# Z  Q
* B; ?7 |; Y$ d7 M- d
ANS 1，具体HBM值应当与TLP波形相关，若BV电平在1000V左右，It2在0.14A左右，不考虑测试时候寄生电阻误差（同时仅考虑单个器件的ESD测试），那么HBM值当小于1210V，TLP对ESD LEVER的评价应当是最精确的描述，当然价格也更贵些。+ W% h6 I$ O, n* a0 `$ J0 O  |
ANS 2，这个问题“通俗”的说是对的，但是就逻辑上来说，这是一个错误的命题。典型的例子就是您的这种情况。700V mos它的ESD能力可以轻易达到1000V左右，那么你说它的Esd能力如何？
0 ~( H7 u9 P0 ~: ~+ z( K% W0 I: D# c: M6 M" ]( J2 }
PS1，目前HBM测试机台，误差在500V以内是很常见的，如果长时间没有校准，1500v的误差也可能出现。通常来说，用TPL逆推HBM值，才是DUT的ESD能力的准确评估。
( A2 w9 r; a' X% g+ m0 O& C
' \' u& v" S8 xPS2，通常HBM模型ESD PASS最大电压值等于1.5K*It2是因为通常亚微米管BV值在几伏特到十几个伏特之间，所以忽略掉这个值。若稍微修正一下，HBM=It2*1.5K+BV,从这里来看，BV值高会弥补It2较低的影响，但是却不是唯一影响因素。
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作者: calton    時間: 2011-12-6 04:31 PM
回復 5# andyjackcao
, A1 h3 S8 \0 w  Q哈哈哈，谢谢你的第二个建议啊，这个倒是可以考虑去做一下。3 t  k+ r' B9 Y. A: Q
总的来说就是因为高压DiodeBV很高，且没有回滞（也就是你所说的内阻大），HBM=It2*1.5K+BV,因而它的实际ESD能力有1210V。汗，之前完全没考虑器件本身的压降。
作者: calton    時間: 2011-12-6 07:44 PM
回復 6# CHIP321 4 l( o" G& a+ S9 }% Q: @# \
嗯，多谢您的回复，茅塞顿开啊。5 s" P& }5 y  N* t0 q0 I  b
不过有点小小的疑问。5 g! K" _& j6 Y
按照您的说法，700V的这个Diode ESD能力只有1200V。但是我们不知道真实的HBM测试中它的ESD能力如何。之前举例说上华有个高压的Diode，也是TLP It2很低（抱歉，具体数据我不知道，但肯定没有1.3A），但其HBM达到3KV（在宜硕打的）。我是不是可以理解成，宜硕的这个HBM测试结果是不准的。
作者: sendow    時間: 2012-1-17 09:03 AM
回復 6# CHIP321
作者: sendow    時間: 2012-1-17 09:12 AM
ANS 1，具体HBM值应当与TLP波形相关，若BV电平在1000V左右，It2在0.14A左右，不考虑测试时候寄生电阻误差 ...( A, t" e* j" j# s
CHIP321 發表於 2011-12-6 01:10 PM

1 l, }0 K# \6 w9 e5 t0 D1 c# ~! A! t6 S
& ?6 `2 {$ c/ {$ n
版主說的TLP逆推HBM值,才是DUT的準確評估.9 J3 M+ a; c0 ]/ r3 `3 j2 r
這是錯的, 在高壓元件中TLP已經不能準確呈現HBM level, 已經有journal發表過類似問題, 可以去收尋paper. 再高壓元件中It2高, 不一定ESD level就高, 有的It2很低仍然可以pass HBM 4K, 這個我也在實務上驗證過多次!! h1 n/ U* ?  ^8 Z/ y; L, }

+ U5 f2 v+ g. r700V超高壓元件, 除了考慮到電流擊穿oxide, 由於內阻大還需考慮到power, 雖然電流低但是700V的高壓, 可能導致元件power過大, 造成物理性的damage. 實務上最好的方法是測試function, 目前就單顆元件還沒有統一正式的測試方法, Hint:可由基本電性下去驗證.



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