Chip123 科技應用創新平台

標題: <转>避免Antena该往上还是往下跳线 [打印本頁]
作者: jeffcui18    時間: 2011-11-29 11:49 PM
標題: <转>避免Antena该往上还是往下跳线
<转自sinovale dot com>关于天线效应我在<浅析集成电路中闩锁效应和天线效应>一文中有提到过。天线效应的产生粗略的讲就是金属表面积累的电荷过多，但又无法形成对地的放电通路，结果很有可能是对栅氧造成破坏。由于现代工艺尺寸越来越先进，沟道长度越来越小，antena的问题就越来越受重视。通常，我们通过金属跳线或者在poly-gate旁边放置足够面积的diode可以避免天线效应的发生。但是金属该往上跳还是往下跳呢？; x0 }$ m) t/ F( L# X
8 ?; A* ^' B* @# p6 k! I" R
Process* N5 L- R4 X+ h4 Q7 B

' O$ ~& ?( F4 v我们都知道fab在做mask的时候是从低层往高层做的。process在每一道工序都有诸如平坦化，隔离等，之后肯定会有静电泄放的操作。从这个角度来说，假如metal3过大有antena的问题，我们用metal4对其跳线。在做metal3的mask时，metal3实际上分开的，只有做到metal4的时候他们才会连起来，而到metal4时，metal3的表面电荷已经由于工艺过程减少很多了；而如果用metal2对其跳线，在做metal3时，metal2和metal3是会相连的，并没有起到减少电荷的作用。' P0 Y& s5 ]7 ^* }- e+ ]

- T. M2 s) c8 L1 D4 W8 `0 n" p3 L栅氧漏电，尽管对功耗不利，但对天线效应是有利的。栅氧漏电可以防止电荷积累达到击穿。所以，实际上可以看到薄的栅氧较厚栅氧不易发生损坏，因为当栅氧变薄，漏电是指数上升的，而击穿电压是线性下降的。1 I4 ^$ A5 P8 U, ^) M, I
$ m8 _  c+ s- |/ B7 \) i
我常用的三个避免antena的方法
0 b" |. Q" ]* b2 D
5 l$ L4 Y1 n  C9 d) b; I# [# f1，跳线，而且最好是往上跳线' e5 J7 Y2 n4 M: ]" I  n/ i

# w! M- [! F7 X& h! Q% y2，增加NAC diode
3 N. G( W5 G! m( V, e6 a* i7 {7 q* C, f: U4 {9 M
3，在信号线上加一组buffer，这个方法既可以规避antena，也可以为signal增加驱动
1 |) N3 n, E$ ]4 q5 m' m5 s0 q- C
" ?: k% u6 Q6 j) iDRC
8 R1 i9 R0 m3 Z/ ]5 F
- y) U/ P2 {( K' \- A$ _/ F8 J一般来说command file会定义检查是否antena metal连到gate-poly上，还有是否面积过大。解决方法我建议是在靠近gate-poly的地方断开metal用高层metal跳一下，当然这在drc中可能不太好查，所以drc一般规定在发生antena的metal上有一个N-diode（最好是close to gate）。6 ^1 |& C2 `2 v( @- C; z, t
  k( v+ q) Z' s7 p" K
<转自sinovale dot com>第一次发帖请大家海涵。
作者: MTK1019    時間: 2011-12-5 01:56 PM
1.天线效应收集的电荷，要通过有源区泄放掉。必须是向上跳 向下跳无任何作用。只要跳上一层金属就可以。至于为什么你要去了解下工艺流程。金属是先溅射一片，然后刻蚀。



歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://chip123.com/) Powered by Discuz! X3.2