Chip123 科技應用創新平台
標題:
LDO的POWER MOS長度選擇?
[打印本頁]
作者:
satokazuo
時間:
2011-10-29 03:44 PM
標題:
LDO的POWER MOS長度選擇?
LDO的POWER MOS長度用最小長度180nm(.18製程) OK嗎?
& S; i5 K. v! v! K
9 ]! t4 b& [" j% ~
目前使用TSMC 1P6M 0.18um 製作一顆LDO
) k/ @/ @0 W' j) Y6 l) K
) z1 _( v5 W. S& X1 N: v0 T" Y$ @
利用常見的計算公式 [attach]14409[/attach] 加上要求Imax=50mA Vdrop=200mV KPp=66uA/V^2 帶入算出 W/L=38880
% z) L! \4 j- P4 N! x0 k' K4 s) e
" G" x8 f9 k1 k% w8 Z' ?
明顯的用最小長度180nm製作出來的面積最小~但明顯的180nm表現出來是短通道效應，一般常用的長通道模型不適合。
& e$ K' }) y# E0 O/ E
1 b: u* @8 o- x$ t0 M2 x* G
請問各路高手有何看法>?
作者:
finster
時間:
2011-11-6 07:47 AM
一般在作LDO的Power MOS我是不會用最小的minimum length,我會選擇minimum length再大一點的length,這是因為Fab的機台有好有壞,若用minimum作為Power MOS設計時,若機台的差異稍微差異一點就會影響很大,故而通常不建議
5 P" m% s7 N' K5 X( r
至於要加多大,通常會加個0.3um~1um之間,看情況有所調整
作者:
shaq
時間:
2011-11-11 10:34 AM
0.5um, 0.6um 的話，我 L 都取min. length. 但 0.18um 沒作過，也許可以，也許不行。 下了才知道~ 這種事情也說不準XD
歡迎光臨 Chip123 科技應用創新平台 (http://chip123.com/)
Powered by Discuz! X3.2