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標題: mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？ [打印本頁]

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作者: lion小海    時間: 2011-8-22 09:43 PM
標題: mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？
mos管做esd时，为什么漏端到poly的距离大于源端？麻烦大虾们解释下。。

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作者: lion小海    時間: 2011-8-26 10:35 AM
这上面人很少呀？没人发表下意见、、

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作者: andrewxj    時間: 2011-8-30 03:54 PM
http://bbs.innoing.com/thread-11820810-1-2.html   在本论坛有这方面的帖子,你可以看看去

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作者: lion小海    時間: 2011-8-31 09:21 AM
回復 3# andrewxj


& k* y# c/ ]* M    谢谢。。。

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作者: despair    時間: 2011-10-20 10:28 AM
熟悉ESD也是Layout的基礎。
$ D) ]0 z* D6 }
; \7 X" J- r" D/ \5 U1 ~+ jMOS承受ESD的一端必須要能承受ESD大電流的衝擊，所以承受端的R值就很重要
2 j( v1 ?: N2 h$ V2 ]這也是除了會有較大rule以及必須要覆蓋上sillicde block的原因
! i. t7 h. R) m) M6 x; a0 t1 Z
* X3 p7 x. z1 e9 W除了以上必要因素，部分foundry也會根據需也會在Drain再加入低濃度植入
讓耐受ESD的效果更好
" n; N: }$ y  v( N5 T
2 V+ x6 ?3 }) {8 V" G# u2 g7 w$ g這是認識ESD的基礎概念，其中還有很多必須要去深讀的
有機會大家可以多交流。

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