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標題: 9/1『前瞻記憶體與3D IC技術發展趨勢』研討會 [打印本頁]

作者: amatom    時間: 2011-8-19 11:06 AM
標題: 9/1『前瞻記憶體與3D IC技術發展趨勢』研討會
  隨著電子系統產品往輕、薄、短、小、多、省、廉、快、美等趨勢演進,也促使半導體技術朝微縮與元件整合兩大方向發展。目前主流記憶體DRAM及Flash在1xnm將遇到製程微縮的重大挑戰與瓶頸,而從不同材料與設計著手的前瞻記憶體可望突破此限制,並將取代目前的主流記憶體。
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' [$ c( |, \$ t7 e" q  迎接未來4G通訊時代,下一代Mobile DRAM需要高達12.8GB/s的頻寬,以支援4G時代手機傳輸功能的需求,而採用TSV技術來提高頻寬需求的3D IC,將實現Mobile Wide IO DRAM的來臨,並且在2012年也將逐漸應用在較高價位的智慧型手機中。2 `5 j7 q  J* l1 l9 I* N$ ^! K$ R& T

6 g* H" T' b0 c- q3 I- }7 l  有鑑於前瞻IC重要技術發展逐漸改變市場生態,此次研討會將分別探討「前瞻記憶體(PCM、RRAM、STT-MRAM)全球發展趨勢」與「3D IC的新市場機會與挑戰」,提供各界更多元的思維,搶先掌握商機。  # R0 y" y# h  G' H  h

( q. ^1 Y- V$ Y4 |1 a; o* A4 E主辦單位: 經濟部技術處 4 T' X5 ]& O# r
協辦單位: ITIS專案辦公室、工研院產業經濟與趨勢研究中心(IEK)、台南市電腦商業同業公會
: _$ ^$ V% C5 L2 s/ R) D時  間: 2011/9/1(四) 13:30~16:20 1 S+ h0 u$ b: P! }- L( {( M% H
地  點: 台南成大會館AB會議室(台南市東區大學路2號3樓)(場地資訊)
3 R4 _# v% w0 |. k2 \; F% o* P- W活動費用: 新台幣$500元整
/ i2 Q% z3 D" S' V2 ?$ b/ R報名方式: 網路報名:至ITIS智網(www.itis.org.tw)直接填寫相關報名資料。
作者: amatom    時間: 2011-8-19 11:06 AM
時間議程內容主講人
13:00~13:30迎賓報到
13:30~13:40引言
13:40~14:30前瞻記憶體(PCM、RRAM、STT-MRAM)全球發展趨勢彭茂榮/工研院IEK產業分析師
14:30~14:50休息
14:50~15:403D IC新市場機會與挑戰陳玲君/工研院IEK產業分析師





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