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隨著電子系統產品往輕、薄、短、小、多、省、廉、快、美等趨勢演進，也促使半導體技術朝微縮與元件整合兩大方向發展。目前主流記憶體DRAM及Flash在1xnm將遇到製程微縮的重大挑戰與瓶頸，而從不同材料與設計著手的前瞻記憶體可望突破此限制，並將取代目前的主流記憶體。
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4 A: N4 j n% [ _% P: V- P& m 迎接未來4G通訊時代，下一代Mobile DRAM需要高達12.8GB/s的頻寬，以支援4G時代手機傳輸功能的需求，而採用TSV技術來提高頻寬需求的3D IC，將實現Mobile Wide IO DRAM的來臨，並且在2012年也將逐漸應用在較高價位的智慧型手機中。: T- ^0 e+ w* {( Z4 `
k% o; h( P$ h0 R2 E" U, ? 有鑑於前瞻IC重要技術發展逐漸改變市場生態，此次研討會將分別探討「前瞻記憶體(PCM、RRAM、STT-MRAM)全球發展趨勢」與「3D IC的新市場機會與挑戰」，提供各界更多元的思維，搶先掌握商機。
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& g8 O' J3 v3 i3 D主辦單位： 經濟部技術處 9 o4 b7 b3 ], I5 J% R
協辦單位： ITIS專案辦公室、工研院產業經濟與趨勢研究中心(IEK)、台南市電腦商業同業公會
* W1 Q# r; J0 s, s7 q時 間： 2011/9/1(四) 13:30~16:20
0 J# Y$ Z( t4 R$ V m地 點： 台南成大會館AB會議室(台南市東區大學路2號3樓)(場地資訊) ( K0 i a$ s( o0 n+ [
活動費用： 新台幣$500元整 & Y1 C0 b4 X6 ~) r4 U0 @+ n
報名方式： 網路報名：至ITIS智網(www.itis.org.tw)直接填寫相關報名資料。 |
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發表於 2011-8-19 11:06:00
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