6 Y" k7 y4 h+ L$ e還是要從電阻的材料來選擇?(ex: Nwell ) e7 c) u J. l' I, V4 f
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還是要考慮製程飄移的影響呢?那又要如何知道飄移程度呢? * z3 R7 C3 H8 V5 B) f) s" K; o% u% ?, Q
* V1 [' Y! z0 u3 u6 `8 m/ R% w. N' @% d ' b& \4 w% P2 E- Z- p假如電阻值大約是3~5K歐姆的話 (0.35um製程) # a( _% E( {: L! a- Z 1 o- u2 V0 a: j# g. N應該選擇哪一種電阻的子電路呢?; D$ P" u0 U) C. z) H3 d1 S' t