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標題: 哪位達人能解釋下利用跳線解決天線效應的原理？ [打印本頁]
作者: minzyyl    時間: 2011-7-10 06:12 PM
標題: 哪位達人能解釋下利用跳線解決天線效應的原理？
這個問題困擾我好幾年了，誰來詳細解釋下？天線效應就不用講了，都明白。
作者: minzyyl    時間: 2011-7-10 08:21 PM
26 read, no reply? why? 26 read, no reply? why?
作者: totowo    時間: 2011-7-10 10:07 PM
天线效应是在fabrication的时候成产生的，所以在做某一层金属的时候，只要用上层跳线跳开，实际上它是断开的，金属的长宽比不会大到产生天线效应而在gate上积累电荷。
作者: minzyyl    時間: 2011-7-10 10:50 PM
天线效应是在fabrication的时候成产生的，所以在做某一层金属的时候，只要用上层跳线跳开，实际上它是断开 ...
* ?& G* [6 K) v! _3 Q: q6 atotowo 發表於 2011-7-10 10:07 PM
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: X5 q9 \/ p1 ]    恩，這個是最常見的解釋。1 O, G4 r5 G4 B$ \9 T+ z, R# E1 v5 b

3 U3 r! B1 l. Z問題是：當製作到上層跳線金屬的時候，實際上下層金屬和上層金屬又鏈接到一起了，那麼此時應該又會發生天線效應啊？為何？
作者: frankaurora    時間: 2011-7-11 10:13 AM
在做上层金属前，下层金属上的积累电荷已经被clean
作者: terriours    時間: 2011-7-11 01:17 PM
恩，這個是最常見的解釋。
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  ]8 x4 X! E2 {8 j: a問題是：當製作到上層跳線金屬的時候，實際上下層金屬和上層金屬又鏈接 ...& H- Q0 P$ {- y# \
minzyyl 發表於 2011-7-10 22:50

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( c/ p2 y* D6 {: u" m
您的這個說法，也有道理，有的工藝天線效應跳線解決不了，除非加diode才行，呵呵。
/ z' ^- S7 c$ ?+ Q還有就是process在每做一道金屬工序以及對它進行的平坦化，氮化硅隔離等之後都會有靜電泄放的過程，這就是我們爲什麽跳到高一層金屬天線效應會被消除的原因。# p' M* U" E% z' R3 D; f
希望對你有幫助。
作者: minzyyl    時間: 2011-7-12 10:49 PM
您的這個說法，也有道理，有的工藝天線效應跳線解決不了，除非加diode才行，呵呵。6 Y! a. Y7 V  B! g' Z4 {9 @: r
還有就是process在 ...
7 y# q) R% O0 X5 ?terriours 發表於 2011-7-11 01:17 PM

6 C; K3 _; q1 K+ K) x* m/ ^. \* ~. X% {# f; e; U/ f  l% p# o- @
) e- p* G+ E/ n: ]! |
    首先感謝你的回答。4 G' m8 T2 Q! G' N* A% g6 P
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這樣我又另外一個疑問，雖然有靜電釋放的過程，那麼天線效應爲什麽不會積累呢？& n1 _1 {+ u9 L: K8 S  R7 `

$ b) s& e9 T% P# S* c換句話說，到上層etch的時候，雖然暴露在外面的只有上層金屬，但是實際上下層有的是連接在一起的，那麼電荷會不斷的從上層積累到下層金屬中，從而產生天線效應。
作者: terriours    時間: 2011-7-13 09:28 AM
你想的很仔細啊，呵呵。我是這樣想的：你說的這個電荷從上層積累到下層我覺得可能性很小啊，既然上下層金屬連在一起那麼就是同條NET，那麼電勢相等的線上電荷怎麼會移動呢？當然也不排除熱電場，呵呵。
- o1 V3 A* q$ b0 p5 X1 t1 s* B
" n% k& R4 a3 Z) U* i很高興能和你討論啊 。
作者: minzyyl    時間: 2011-7-13 10:04 PM
你想的很仔細啊，呵呵。我是這樣想的：你說的這個電荷從上層積累到下層我覺得可能性很小啊，既然上下層金屬 ...
5 k  z( W4 r- G! O0 kterriours 發表於 2011-7-13 09:28 AM

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    你這個說法顯然很無理。1 L+ _4 C' W/ M6 g

* q4 H" Y2 E* g, M0 G電位是由電子的數量決定的，也就是電量，電荷不可能一下子就立即分佈到整個金屬，肯定存在電荷轉移的過程，你就想成電荷的濃度好了，電荷肯定由高濃度向低濃度動態轉移，從而最終達到一個平衡態，（尖端電容放電除外）金屬就像一個電容，最終達到他儲能的最大狀態，此時電荷移動是動態平衡的。
作者: terriours    時間: 2011-7-14 09:15 AM
你這個說法顯然很無理。
3 h, D8 W1 a+ z! d- R& H7 d( |" y7 I3 U4 P+ C7 ]3 b# K1 o
電位是由電子的數量決定的，也就是電量，電荷不可能一下子就立即分佈到整 ...0 a* v, }) v5 \
minzyyl 發表於 2011-7-13 22:04
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不太清楚您說的這些，呵呵。不好意思。
作者: ada1973    時間: 2011-7-14 02:51 PM
回復 10# terriours
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' T. y* E- F, Q9 h' Z, o
不過在實務layout上debug antenna DRC issue實,確必需以top metal 來跳線或是加足夠area 的diode才能解掉
1 ]- L  k: V/ j  I7 Y( ^, O這又說明了往上跳一層metal是無法解決問題的,
作者: minzyyl    時間: 2011-7-14 10:41 PM
回復  terriours
0 f- u' ~% r' H. L$ z. O# V6 E) |# l; l+ y! F
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不過在實務layout上debug antenna DRC issue實,確必需以top metal 來跳線或是加足夠are ...% u  e1 Q% b% W
ada1973 發表於 2011-7-14 02:51 PM
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) |* r/ _7 p8 R( L    如果要以topmetal来跳线，那么发生天线效应的是top-1层金属吗？ 我目前来说还没遇到过非要用top metal解决的问题
作者: smilodon    時間: 2011-7-31 12:32 AM
首先要明白Antena发生在Fabarication的过程：过长的金属会像天线一样收集电荷<=电荷来源于Fabrication中广泛使用的Plasma.7 C7 i" j7 U# L( ?& C" `
现在明白了吗？只要保证在使用Plasma时，连在Gate上的Metal长度不超过一定范围（不管是Metal1还是更高层的Metal），它所收集的电荷不会产生足以击穿Gate的电压，那么Gate就是安全的  O4 w/ W+ H* M7 Z8 M

9 ~. ^  }9 |, g1 @这也就是为什么采用断开下层金属用更高层金属跳线可以消除绝大多数Antena效应的原因；而插入Area适当的Diode，就是为了在Fabrication过程中消除过多的电荷积累，在无法用跳线解决Antena效应的情况下，插入Diode通常不会影响电路的功能和性能，视Designer的要求了



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