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標題: 高壓製程 [打印本頁]
作者: b0917353006cool    時間: 2011-6-10 06:20 PM
標題: 高壓製程
請問大大，我現在想學關於高壓製程Layout
1 `0 S; _' C3 D: P. ]1 o( j那我對高壓製程的構造不是很了解，可以介紹網站或資料給我做參考參考嗎?
作者: sleon1662    時間: 2011-8-10 09:37 PM
感謝大大無私的分享啊
: Q, j7 f! P+ P2 }6 K% G: N4 A+ u9 c- W% u5 S, k. i1 o
感謝感謝~~~~~~~
作者: fish1121    時間: 2011-9-1 10:46 AM
咦!!~~~我只有看到問題$ Z8 n  w" N  ]% W3 s
有分享任何資訊嗎?!
# ^, c& u* Q% J小女無材0 F- d3 M2 x1 `9 R
看不懂勒
作者: calton    時間: 2011-12-7 05:10 PM
我勒个去，同没看到材料，为毛会有人感谢大大。
作者: bobo lin    時間: 2011-12-21 03:03 PM
我也是看不到耶....是因為權限還沒到嗎?
作者: bernie820    時間: 2011-12-26 06:32 PM
我也沒瞰傲任何的東瞎呀~太客怕了吧
3 ]6 ?, L0 H% ]- h- `+ L7 Q; y2 w( c, Z* |( q: s+ x
這就是所謂的國王的答案嗎??XD
作者: CHIP321    時間: 2011-12-28 11:35 AM
請問大大，我現在想學關於高壓製程Layout
# b5 v6 c( r1 B1 l) I  {那我對高壓製程的構造不是很了解，可以介紹網站或資料給我做參考 ...7 R0 d  l: m( q5 t# i
b0917353006cool 發表於 2011-6-10 06:20 PM

) S" Q& t. h$ {
7 a  ?. U$ Y/ a. `$ l% k, R% N4 b( u個人淺見，分享下關於高壓製程和佈圖學習應驗. r. h2 x& L- }6 ^
1：首先理解目前我們HV製程的一個簡單劃分
$ q- R! F  @1 M$ e. m& {5 z' I; s   不同的廠家，會有不同的定義，在深亞微米中，可能5V VBRDS的Device已經被識別為高壓。) ]3 K" y; f4 n) \$ @' C! ?+ d5 ]
   依據VBRDS/VGSmax大致可以作一個劃分
% r9 m$ U/ Z- H) G    LV
% h7 O; e: v& G7 U* B    VbrDS<5V
& |, w$ {+ r/ n# v2 c, Q      MV
  M3 W1 y0 ?$ a% q, [$ P     15V<VbrDS<25V8 Z3 x. A! o6 B) @" F9 P
      HV
& m) H0 ^- ^! ]/ f' L  K3 L1 Q     30 <VbrDS<45V& q+ {( {+ ?; y
     45<VbrDS<80V
; T2 y/ M% l4 s6 J" C     UHV$ g5 O% r+ F% ]/ v1 \. E9 ]6 G% L
     80<VbrDS<120V
; ]+ o, M& Y* |! y+ w; T     500V<VbrDS. B9 m; c# l  J& N6 c! ?
     800V<VbrDS- c; t  a, l) G# [9 h4 s
     目前大致會做這樣幾個區間的劃分，這種狀況與製成本身的發展，產品系列兼容，甚至考慮兼容早期BIPOLAR用於電力，電機產品有一定關係。' j+ h* d1 O+ E3 q/ w

5 [6 h5 l2 p4 B& T, j( `! A2：此後，可以按照自己學習興趣與工作需求，選取制定學習計劃
2 v% k  `9 k+ y   並理解器件的物理和電學特性9 W- ~; [3 W* j4 S
   這樣做是必須的，好處也很明顯。只有這樣才能避免犯錯誤，才能理解高壓規則的制訂依據或者限制級在那裏。; W$ Y( y; `5 q( W3 F0 y
   一些圖書是必須的，製程介紹類的圖書相信大家都不會缺少，特別強調下，在30V以上時，最好下功夫對LDMOS做細緻的學習。
( {! Y/ v2 ?) k   如果涉及到80V左右的應用，尤其需要謹慎，因爲在CMOS時代這個電壓區間是比較尷尬的，HVI可能會帶來leakage current的問題，一定要與廠家做好細緻溝通，並在Pre-tapout前作好Review。( l1 \& p# |9 @; a1 K/ w( Y+ |* _
   500V之上的的單片集成應用必然會涉及到Resurf技術或者SOI的應用，這樣的製程會與普通的結隔離又較大的差異，HVI也會帶來影響。不過一般廠家都會給出一些解決方案，
6 S7 D: z# [, j8 S/ _   IR，摩托等等公司也產生了很多專利 ，讓人感嘆設計師的創造力之強 。0 R# R+ b/ I) G. }! `! e, s5 G! U6 T% d: v
   理論的學習，
  _2 D& s: I* Y+ j   推介使用陈星弼老先生的那本《功率mosfet與高壓集成電路》，這是一部相當老的圖書，出版于幾十年前，但是對基本結構，如場板，終端結構等等的介紹很清晰明瞭。+ u# g8 h  X4 j8 U1 _  a9 P
   原書已經絕版，好在資料可以到網路上搜索到。2 `+ w7 D: r/ _3 n- Y3 K
+ G9 T1 ?6 C% _- \: R) E
3：實踐/ K; T0 _. {4 l7 j6 N7 X+ M
   檢索了目前大多數的論文與報告，並不令人滿意。在這個工程領域，主要的技術應當是各個廠家。
+ M' b" E/ `( ~# R' k2 R& t8 x   UMC/TSMC年前都對這個領域作了開發，可能主要的目標是指向對新能源產品的支持，可以咨詢並下載相關文檔。其中給出了Refrence Rules和相應的guide line，這些規則大部分對其他產品設計依然有1 D: {2 {& G" ~2 z$ F6 s
   參考的作用。此外 X-FAB，AMIS在這個領域可以說是歐美洲區域領導者地位，結構也與台系有區別。尤其AMIS。不過好像已經被ON收購，可能會在合作中產生一定障礙。
1 i8 X7 {5 Z% `9 V) v& V/ l2 ~   特別提一下新竹的EPISL，應當是臺灣較早投入這個領域的廠家之一，EPI是HVDevice的關鍵之一，或許是EPISL的最大優勢。當然，還有極低的價格。
- ]# J% ?. `4 Y5 U# [) e/ @
. h- T% f, \" g/ e" {4：Reverse engineering
  ^' k' J' E( Q; t2 F* X& w5 m( o    對於新的公司新的設計，是個可選，當然僅限與佈圖參考，如果完全依賴，那就驚險了。. W3 k! F/ ]  l2 c9 ?4 M

( ^' B7 `6 u3 j- S. S& l3 ~8 [淺見，歡迎拍塼！
作者: bobobelieve    時間: 2012-2-28 03:27 PM
楼上有爱，又学到东西啦！
作者: spiritpillar    時間: 2012-3-1 07:50 PM
感謝大大這樣熱情分享資訊,
作者: stephen_jjh    時間: 2012-4-13 12:25 PM
大家都是不明真相的围观群众啊
作者: liu.leon    時間: 2012-4-13 02:41 PM
回復 7# CHIP321



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