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標題:
高壓 ｌａｙｏｕｔ 問題??
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作者:
GU
時間:
2011-2-21 10:59 PM
標題:
高壓 ｌａｙｏｕｔ 問題??
對於高壓 ｌａｙｏｕｔ 有幾個問題想問一下
- v+ ^7 |3 y- U' L, `7 `* O: E; r8 H
" z/ a1 A9 c i0 |
1. 高壓 與 低壓的MOS，GND能否共用，VDD一定不行共用??
- Z& ~% J2 b, c9 |" K; }
( @, k1 T" D! x3 U4 F
2. 高壓MOS 有一層OD2 他是要把VDD與GND包起來??還是與VDD與GND要保持距離??(都符合RULE的狀況下)
9 }' E6 U# u# H6 t" O
: ^' a) D& u9 N8 d( N7 |. o9 x
3.加問一題DNW的用途是什麼?? 該如何使用??
2 |, X- \5 f" Z2 A3 p r) T5 N. x; L
( l4 }: g* G6 `
% t: |$ D% Y) r( u, e: {- ?
請前輩 幫我解開一下問題 謝謝
作者:
motofatfat
時間:
2011-2-22 11:14 AM
1.GND 通常會接在一起
1 T( B0 ?+ J2 [* N
2.通常是要把 mos 整個包起來
f+ w! S3 W$ h6 Y6 |
3.通常整各晶圓都是 P_SUB 用 DNW 可以再深層做出一個空間
: T! e9 @/ Z7 [! m5 D
再DNW 上 NMOS BODY 就能和其他 的 NMOS 的BODY分離
6 A9 w, r4 c4 X$ _
會比較乾淨
作者:
cakejoy
時間:
2011-2-22 10:07 PM
GND端通常都會接在一起，
n5 C$ M! |5 e( m
至於VDD端的話，有甚麼用途會想把HV和LV的接在一起嗎？
" J3 D# A) f2 [' G# {& ]
因為除非你兩者的POWER SUPPLY都是來自於相同的電壓來源，儘管如此在製程方面，還是要區隔開來！
O. B: r* X1 \2 e# f
只是這樣為何不直接使用LV元件，或整體HV元件就好？
) V9 k6 c$ Z* T9 B+ }, n
DNW就像motofatfat講的一樣，利用TRIPLE-WELL的方式，去區隔不同WELL層的電位！也因此如果你的BODY和SOURCE電位不同的話，就要區隔很多層WELL才能達成！
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