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標題:
VCO量測考量問題
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作者:
a016004
時間:
2010-12-9 10:45 PM
標題:
VCO量測考量問題
想請問各位前輩，本身是做LC VCO，在量測考量有幾個問題想請教:
; q' t/ t1 w; a+ j1 B: N% u
1.目前我查的資料說，晶片拿到CIC要量測時，需再接Bias-Tee電路，再接頻譜分析儀。我的問題點是想在模擬時加入此Bias-Tee電路+50歐姆負載，但我不知道CIC所提供之Bias-Tee電路的元件參數為何?
/ c- y7 o- J1 }5 \, C; R; ]4 D
2.想請問VCO所接的PAD是要用CIC所提供的哪種PAD。
: Q' Z$ p# Q8 f9 C
3.電路加入PAD負載考量時，電路要加多大的電容負載來模擬PAD負載呢?
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